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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
FDD6688	1.1100	보상요청	149	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		30V	84A(타)	4.5V, 10V	5m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	56nC @ 10V	±20V	15V에서 3845pF	-	83W(타)
FDB42AN15A0-F085	1.0000	보상요청	6651	비교차일드	자동차, AEC-Q101, PowerTrench®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	FDB42		MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		150V	35A(Tc)	10V	42m옴 @ 12A, 10V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±20V	2040pF @ 25V	-	150W(Tc)
ISL9V2040D3ST	0.9700	보상요청	6	비교차일드	*	대부분	활동적인									다운로드					EAR99	8542.39.0001	309
FDW2501NZ	-	보상요청	8759	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비)	FDW25		MOSFET(금속)	600mW	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3	2 N채널(듀얼)			20V	5.5A		18m옴 @ 5.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	17nC @ 4.5V		1286pF @ 10V	게임 레벨 레벨
MJD32CTM	-	보상요청	4788	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				1.56W	TO-252-3(DPAK)	다운로드	해당 없음				EAR99	8541.29.0095	2,500																100V	3A						50μA	PNP	1.2V @ 375mA, 3A	10 @ 3A, 4V	3MHz
IRFW620BTM	0.4000	보상요청	933	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800		N채널		200V	5A(Tc)	10V	800m옴 @ 2.5A, 10V	4V @ 250μA	16nC @ 10V	±30V	390pF @ 25V	-	3.13W(Ta), 47W(Tc)
MPS6521	0.0400	보상요청	116	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	5,000																25V	100mA						50nA(ICBO)	NPN	500mV @ 5mA, 50mA	300 @ 2mA, 10V	-
FJE3303H2TU	0.2500	보상요청	31	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				20W	TO-126-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1,212																400V	1.5A						10μA(ICBO)	NPN	3V @ 500mA, 1.5A	14 @ 500mA, 2V	4MHz
SB29003TF	0.1500	보상요청	124	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				2W	SOT-223-4	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-SB29003TF	EAR99	8541.21.0095	1																400V	300mA						500nA	NPN	750mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
NVMD3P03R2G	-	보상요청	3256	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	NVMD3		MOSFET(금속)	730mW(타)	8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 P채널(듀얼)			30V	2.34A(티제이)		85m옴 @ 3.05A, 10V	2.5V @ 250μA	25nC @ 10V		24V에서 750pF	-
RFP14N05L	0.4000	보상요청	19	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널		50V	14A(TC)	5V	100m옴 @ 14A, 5V	2V @ 250μA	40nC @ 10V	±10V	25V에서 670pF	-	48W(Tc)
HUF75345P3	-	보상요청	6800	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HUF75345P3-600039			1		N채널		55V	75A(Tc)	10V	7m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	275nC @ 20V	±20V	25V에서 4000pF	-	325W(Tc)
BC238BBU	0.0200	보상요청	5464	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				500mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수			2156-BC238BBU-FS	EAR99	8541.21.0075	1,000																25V	100mA						15nA	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2mA, 5V	250MHz
FDW2503NZ	0.5500	보상요청	136	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비)	FDW25		MOSFET(금속)	600mW	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 N채널(듀얼)			20V	5.5A		20m옴 @ 5.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	17nC @ 4.5V		1286pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FDPF16N50UT	1.2300	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		500V	15A(Tc)	10V	480m옴 @ 7.5A, 10V	5V @ 250μA	45nC @ 10V	±30V	1945pF @ 25V	-	38.5W(Tc)
BC856CMTF	-	보상요청	7356	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856			310mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																65V	100mA						15nA(ICBO)	PNP	650mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	150MHz
NDH8521C	0.7700	보상요청	39	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비)	NDH8521		MOSFET(금속)	800mW(타)	SuperSOT™-8	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 및 P 채널			30V	3.8A(타), 2.7A(타)		33m옴 @ 3.8A, 10V, 70m옴 @ 2.7A, 10V	2V @ 250μA	25nC @ 10V, 27nC @ 10V		500pF @ 15V, 560pF @ 15V	-
KSC2669YTA	0.0200	보상요청	9489	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어				200mW	TO-92S	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,752																30V	30mA						100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 1mA, 10mA	120 @ 2mA, 12V	250MHz
KSC838YTA	0.0200	보상요청	1999년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				250mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	1,751																30V	30mA						100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 1mA, 10mA	120 @ 2mA, 12V	250MHz
IRFP460C	-	보상요청	8134	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30		N채널		500V	20A(TC)	10V	240m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	170nC @ 10V	±30V	6000pF @ 25V	-	235W(Tc)
FDP7042L	0.6600	보상요청	33	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		30V	50A(타)	4.5V, 10V	7.5m옴 @ 25A, 10V	2V @ 250mA	51nC @ 4.5V	±12V	15V에서 2418pF	-	83W(타)
TIP121	-	보상요청	1846년	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TIP121			2W	TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1																80V	5A						500μA	NPN-달링턴	4V @ 20mA, 5A	1000 @ 3A, 3V	-
FDS9933BZ	0.5100	보상요청	11	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS99		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)			20V	4.9A		46m옴 @ 4.9A, 4.5V	250μA에서 1.5V	15nC @ 4.5V		985pF @ 10V	게임 레벨 레벨
2N4403TA	0.0400	보상요청	9457	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	2N4403			625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																40V	600mA						100nA	PNP	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
FQP5N30	0.4400	보상요청	2	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널		300V	5.4A(Tc)	10V	900m옴 @ 2.7A, 10V	5V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	25V에서 430pF	-	70W(Tc)
FJN3309RTA	0.0200	보상요청	156	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	FJN330			300mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																40V	100mA						100nA(ICBO)	NPN - 사전 바이어스됨	300mV @ 1mA, 10mA	100 @ 1mA, 5V	250MHz	4.7kΩ
FJN4302RTA	0.0300	보상요청	7488	비교차일드	-	대부분	활동적인		스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	FJN430			300mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	472																50V	100mA						100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	30 @ 5mA, 5V	200MHz	10kΩ	10kΩ
BC638TA	0.0500	보상요청	12	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				1W	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.29.0075	5,912																60V	1A						100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 2V	100MHz
SGW23N60UFDTM	0.8300	보상요청	48	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	SGW23	기준		100W	D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800			300V, 12A, 23옴, 15V											60ns	-	600V	23A	92A	2.6V @ 15V, 12A	115μJ(켜짐), 135μJ(꺼짐)	49nC	17ns/60ns
ISL9N310AD3	0.4100	보상요청	3	비교차일드	UltraFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 스텁 레코드, IPak			MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		30V	35A(Tc)	4.5V, 10V	10옴 @ 35A, 10A	3V @ 250μA	48nC @ 10V	±20V	15V에서 1800pF	-	70W(타)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²