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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
2N4124TFR	0.0200	보상요청	2405	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			2156-2N4124TFR-FSTR	EAR99	8541.21.0075	2,000																25V	200mA						50nA(ICBO)	NPN	300mV @ 5mA, 50mA	120 @ 2mA, 1V	300MHz
FDMS3606AS	1.0900	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS3606		MOSFET(금속)	1W	8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열			30V	13A, 27A		8m옴 @ 13A, 10V	2.7V @ 250μA	29nC @ 10V		15V에서 1695pF	게임 레벨 레벨
BD14010S	1.0000	보상요청	6439	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				1.25W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	250																80V	1.5A						100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	-
FDB8876	0.4800	보상요청	7	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널		30V	71A (Tc)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 40A, 10V	2.5V @ 250μA	45nC @ 10V	±20V	1700pF @ 15V	-	70W(Tc)
KSH45H11TF	1.0000	보상요청	4431	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	KSH45			1.75W	D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000																80V	8A						10μA	PNP	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4A, 1V	40MHz
KSD1616AGTA	0.1000	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				750mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	2,950																60V	1A						100nA(ICBO)	NPN	300mV @ 50mA, 1A	200 @ 100mA, 2V	160MHz
HUFA75307P3	0.2000	보상요청	10	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널		55V	15A(Tc)	10V	90m옴 @ 15A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 20V	±20V	25V에서 250pF	-	45W(Tc)
FDS8926	0.9400	보상요청	2	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDS89		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1												-
FDZ3N513ZT	0.3200	보상요청	25	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	4-XFBGA, WLCSP			MOSFET(금속)		4-WLCSP(1x1)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		P채널		30V	1.1A		462m옴 @ 300mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	1nC @ 4.5V	+5.5V, -300mV	15V에서 85pF	쇼트키 다이오드(절연)	1W(타)
FDB016N04AL7	-	보상요청	3084	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭)	FDB016		MOSFET(금속)		TO-263-7	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		40V	160A(Tc)	10V	1.6m옴 @ 80A, 10V	3V @ 250μA	167nC @ 10V	±20V	11600pF @ 25V	-	283W(Tc)
BC32716BU	0.0400	보상요청	44	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	10,000																45V	800mA						100nA	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
FDW2507N	0.5100	보상요청	28	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비)	FDW25		MOSFET(금속)	1.1W	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(듀얼)			20V	7.5A		19m옴 @ 7.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	28nC @ 4.5V		2152pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FQU9N25TU	0.5600	보상요청	6	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드					EAR99	8542.39.0001	538		N채널		250V	7.4A(Tc)	10V	420m옴 @ 3.7A, 10V	5V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 700pF	-	2.5W(Ta), 55W(Tc)
2N4403BU	0.0400	보상요청	309	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	8,242																40V	600mA						-	PNP	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
KSC3569YTU	1.0000	보상요청	6299	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				15W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50																400V	2A						10μA(ICBO)	NPN	1V @ 100mA, 500mA	40 @ 100mA, 5V	-
FCP21N60N	2.3100	보상요청	20	비교차일드	-	튜브	활동적인	-	스루홀	TO-220-3	FCP21		MOSFET(금속)		TO-220-3	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	800		N채널		600V	-		-	-				-	-
SGH10N60RUFDTU	2.1000	보상요청	173	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	SGH10N60	기준		75W	TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			300V, 10A, 20옴, 15V											60ns	-	600V	16A	30A	2.8V @ 15V, 10A	141μJ(켜짐), 215μJ(꺼짐)	30nC	15ns/36ns
FDD6770A	0.7100	보상요청	4	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	FDD677		MOSFET(금속)		D-PAK (TO-252)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		25V	24A(Ta), 50A(Tc)	4.5V, 10V	4m옴 @ 24A, 10V	3V @ 250μA	47nC @ 10V	±20V	13V에서 2405pF	-	3.7W(Ta), 65W(Tc)
RFP4N05L	0.5300	보상요청	9	비교차일드	*	대부분	활동적인									다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-RFP4N05L-600039			1
FQU10N20LTU	0.4300	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	70		N채널		200V	7.6A(Tc)	5V, 10V	360m옴 @ 3.8A, 10V	2V @ 250μA	17nC @ 5V	±20V	25V에서 830pF	-	2.5W(Ta), 51W(Tc)
FDP7045L	3.0400	보상요청	167	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		30V	100A(티제이)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 50A, 10V	3V @ 250μA	58nC @ 5V	±20V	4357pF @ 15V	-	107W(타)
2N4403TA	0.0400	보상요청	9457	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	2N4403			625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																40V	600mA						100nA	PNP	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
FDZ1827NZ	0.1200	보상요청	20	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-XFBGA, WLCSP	FDZ1827		MOSFET(금속)	2W(타)	6-WLCSP(1.3x2.3)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 시작			20V	10A(타)		13m옴 @ 1A, 4.5V	1.2V @ 250μA	24nC @ 10V		2055pF @ 10V	-
FJV4103RMTF	-	보상요청	9217	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV410			200mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	4,244																50V	100mA						100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	56 @ 5mA, 5V	200MHz	22kΩ	22kΩ
FDS9431	-	보상요청	7646	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDS99		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1												-
HUFA75332S3ST	0.4700	보상요청	44	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널		55V	60A(Tc)	10V	19m옴 @ 60A, 10V	4V @ 250μA	85nC @ 20V	±20V	25V에서 1300pF	-	145W(Tc)
NDH832P	0.3700	보상요청	73	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비)			MOSFET(금속)		SuperSOT™-8	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널		20V	4.2A(타)	2.7V, 4.5V	60m옴 @ 4.2A, 4.5V	1V @ 250μA	30nC @ 4.5V	-8V	10V에서 1000pF	-	1.8W(타)
2N4400TF	0.0200	보상요청	20	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,000																40V	600mA						-	NPN	750mV @ 50mA, 500mA	50 @ 150mA, 1V	-
BC81716MTF	0.0300	보상요청	63	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817			310mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	230																45V	800mA						100nA	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	110 @ 100mA, 1V	100MHz
FQP2P25	-	보상요청	3576	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	750		P채널		250V	2.3A(Tc)	10V	4옴 @ 1.15A, 10V	5V @ 250μA	8.5nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	52W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²