| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMC7692S-F126 | - | ![]() | 9784 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | MOSFET(금속) | 8-MLP(3.3x3.3) | - | 2156-FDMC7692S-F126 | 1 | N채널 | 30V | 12.5A(Ta), 18A(Tc) | 4.5V, 10V | 9.3m옴 @ 12.5A, 10V | 3V @ 1mA | 23nC @ 10V | ±20V | 1385pF @ 15V | - | 2.3W(Ta), 27W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | KSP8599CTA | 0.0200 | ![]() | 9617 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 80V | 500mA | 100nA | PNP | 400mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQPF11P06 | 0.6200 | ![]() | 552 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 552 | P채널 | 60V | 8.6A(Tc) | 10V | 175m옴 @ 4.3A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±25V | 25V에서 550pF | - | 30W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | FQI7N80TU | - | ![]() | 1520 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 800V | 6.6A(Tc) | 10V | 1.5옴 @ 3.3A, 10V | 5V @ 250μA | 52nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1850pF | - | 3.13W(Ta), 167W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | FDN357N | 0.1500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,976 | N채널 | 30V | 1.9A(타) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 2.2A, 10V | 2V @ 250μA | 5.9nC @ 5V | ±20V | 10V에서 235pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||
![]() | 2N4403BU | 0.0400 | ![]() | 309 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,242 | 40V | 600mA | - | PNP | 750mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FQP6N25 | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 250V | 5.5A(Tc) | 10V | 1옴 @ 2.75A, 10V | 5V @ 250μA | 8.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 300pF | - | 63W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | NDS355N | 1.0000 | ![]() | 5910 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156S355N-600039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 30V | 1.6A(타) | 4.5V, 10V | 85m옴 @ 1.9A, 10V | 2V @ 250μA | 5nC @ 5V | ±20V | 10V에서 245pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||
![]() | FDBL86210 | - | ![]() | 8016 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDBL862 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF17N40T | 1.8300 | ![]() | 642 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 400V | 9.5A(Tc) | 10V | 270m옴 @ 4.75A, 10V | 5V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±30V | 2300pF @ 25V | - | 56W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | FDMS5361L-F085 | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | MOSFET(금속) | 파워56 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDMS5361L-F085-600039 | 1 | N채널 | 60V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 15m옴 @ 16.5A, 10V | 3V @ 250μA | 44nC @ 10V | ±20V | 1980pF @ 25V | - | 75W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FDB8445-F085 | 1.0000 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 70A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 3805pF @ 25V | - | 92W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FJPF2145TU | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | ESBC™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 40W | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 532 | 800V | 5A | 10μA(ICBO) | NPN | 2V @ 300mA, 1.5A | 20 @ 200mA, 5V | 15MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FQU6N25TU | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N채널 | 250V | 4.4A(Tc) | 10V | 1옴 @ 2.2A, 10V | 5V @ 250μA | 8.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 300pF | - | 2.5W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FJL42150TU | 1.6200 | ![]() | 310 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8690 | 0.8400 | ![]() | 433 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | MOSFET(금속) | 8-MLP(5x6), 전원56 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 14A(Ta), 27A(Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1680pF | - | 2.5W(Ta), 37.8W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FDS4895C | 1.0000 | ![]() | 5000 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS48 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 40V | 5.5A, 4.4A | 39m옴 @ 5.5A, 10V | 5V @ 250μA | 10nC @ 10V | 410pF @ 20V | - | |||||||||||||||||
![]() | FDB110N15A | 1.0000 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 150V | 92A(Tc) | 10V | 11m옴 @ 92A, 10V | 4V @ 250μA | 61nC @ 10V | ±20V | 75V에서 4510pF | - | 234W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.0400 | ![]() | 227 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 160V | 600mA | 50nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FDS6812A | 1.0000 | ![]() | 3538 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS68 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 6.7A | 22m옴 @ 6.7A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 19nC @ 4.5V | 1082pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||
![]() | KSC1845PTA | 1.0000 | ![]() | 9449 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 120V | 50mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 1mA, 10mA | 200@1mA, 6V | 110MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD5N50TM | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 500V | 4A(TC) | 10V | 1.4옴 @ 2A, 10V | 5V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±30V | 25V에서 640pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | FDP13AN06A0_NL | - | ![]() | 4876 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 10.9A(Ta), 62A(Tc) | 6V, 10V | 13.5m옴 @ 62A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V | - | 115W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | MMBTA14-NB05232 | 0.1400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344P3 | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 210nC @ 20V | ±20V | 3200pF @ 25V | - | 285W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FDU8780 | 0.2900 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 25V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 13V에서 1440pF | - | 50W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | HUFA75321D3STQ | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | HUFA75321 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN4302RTA | 0.0300 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | FJN430 | 300mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 472 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 200MHz | 10kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||
![]() | FJPF19430TU | 0.7200 | ![]() | 952 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33725 | 0.0600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 800mA | 100nA | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz |

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