 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | HUF76629DS3 | 1.0000 |  | 5109 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | HUF76629 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | IRF730B | 0.3200 |  | 471 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 400V | 5.5A(Tc) | 10V | 1옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 33nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1000pF | - | 73W(Tc) | ||||||||||
|  | MMBT3416 | 0.0200 |  | 39 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50V | 500mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||
|  | BC846A | 0.0700 |  | 96 | 0.00000000 | 비교차일드 | SOT-23 | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
|  | 2SJ633-E | - |  | 4413 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 2SJ633 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | FQPF13N50CSDTU | 0.9600 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FQPF1 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 500V | 13A(티씨) | 10V | 480m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±30V | 2055pF @ 25V | - | 48W(Tc) | |||||||||
|  | FCP130N60 | 2.8900 |  | 127 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 127 | N채널 | 600V | 28A(TC) | 10V | 130m옴 @ 14A, 10V | 3.5V @ 250μA | 70nC @ 10V | ±20V | 3590pF @ 380V | - | 278W(Tc) | |||||||||||||
|  | FDP8030L | 4.7200 |  | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 80A(타) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 80A, 10V | 2V @ 250μA | 170nC @ 5V | ±20V | 15V에서 10500pF | - | 187W(Tc) | |||||||||||||
|  | FQD6N60CTF | - |  | 5291 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 810pF | - | 80W(Tc) | ||||||||||
|  | SFR9024TM | 0.4000 |  | 5190 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 175 | P채널 | 60V | 7.8A(Tc) | 10V | 280m옴 @ 3.9A, 10V | 4V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 600pF | - | 2.5W(Ta), 32W(Tc) | ||||||||||||
|  | FJAF4210YTU | 1.2300 |  | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | FJAF4210 | 80W | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 140V | 10A | 10μA(ICBO) | PNP | 500mV @ 500mA, 5A | 90 @ 3A, 4V | 30MHz | 

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