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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	입력	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
FDAF69N25	2.4400	보상요청	1	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			MOSFET(금속)			TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30		N채널			250V	34A(티씨)	10V	41m옴 @ 17A, 10V	5V @ 250μA	100nC @ 10V	±30V	4640pF @ 25V	-	115W(Tc)
FDB14AN06LA0	1.0000	보상요청	7597	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널			60V	10A(Ta), 67A(Tc)	5V, 10V	11.6m옴 @ 67A, 10V	3V @ 250μA	31nC @ 5V	±20V	2900pF @ 25V	-	125W(Tc)
FDMC7680	0.6100	보상요청	11	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)			8-MLP(3.3x3.3)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	492		N채널			30V	14.8A(타)	4.5V, 10V	7.2m옴 @ 14.8A, 10V	3V @ 250μA	42nC @ 10V	±20V	2855pF @ 15V	-	2.3W(Ta), 31W(Tc)
FDMS7558S	-	보상요청	6319	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)			8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널			25V	32A(Ta), 49A(Tc)	4.5V, 10V	1.25m옴 @ 32A, 10V	3V @ 1mA	119nC @ 10V	±20V	7770pF @ 13V	-	2.5W(Ta), 89W(Tc)
FGA70N30TDTU	1.7600	보상요청	660	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		기준		201W		TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30			-												21ns	도랑	300V		160A	1.5V @ 15V, 20A	-	125nC	-
FQB13N06LTM	0.3700	보상요청	6352	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	569		N채널			60V	13.6A(Tc)	5V, 10V	110m옴 @ 6.8A, 10V	2.5V @ 250μA	6.4nC @ 5V	±20V	25V에서 350pF	-	3.75W(Ta), 45W(Tc)
SI6463DQ	0.4600	보상요청	4	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)			MOSFET(금속)			8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	2,500		P채널			20V	8.8A(타)	2.5V, 4.5V	12.5m옴 @ 8.8A, 4.5V	250μA에서 1.5V	66nC @ 4.5V	±12V	10V에서 5045pF	-	600mW(타)
FDS4488	0.5000	보상요청	117	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	2,500		N채널			30V	7.9A(타)	4.5V, 10V	22m옴 @ 7.9A, 10V	3V @ 250μA	13nC @ 5V	±25V	15V에서 927pF	-	1W(타)
HUF75823D3S	0.8700	보상요청	3	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			150V	14A(TC)	10V	150m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	54nC @ 20V	±20V	25V에서 800pF	-	85W(Tc)
MPSA13	-	보상요청	2833	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW		TO-92 (TO-226)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	5,000																	30V	500mA						100nA(ICBO)			NPN-달링턴	1.5V @ 100μA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	125MHz
QSE114_0219	-	보상요청	7222	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
FQB27N25TM	1.3000	보상요청	16	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	FQB27		MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	800		N채널			250V	25.5A(Tc)	10V	131m옴 @ 25.5A, 10V	5V @ 250μA	49nC @ 10V	±30V	25V에서 1800pF	-	417W(티제이)
FDFS6N303	0.2900	보상요청	86	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500		N채널			30V	6A(타)	4.5V, 10V	35m옴 @ 6A, 10V	3V @ 250μA	17nC @ 10V	±20V	15V에서 350pF	쇼트키 다이오드(절연)	900mW(타)
FGA90N30TU	1.1500	보상요청	891	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		기준		219W		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30			-													-	300V	90A	220A	1.4V @ 15V, 20A	-	87nC	-
FJAF4210YTU	1.2300	보상요청	3	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩	FJAF4210			80W		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																	140V	10A						10μA(ICBO)			PNP	500mV @ 500mA, 5A	90 @ 3A, 4V	30MHz
FDI047AN08A0	2.4900	보상요청	787	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널			75V	80A(Tc)	6V, 10V	4.7m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	138nC @ 10V	±20V	25V에서 6600pF	-	310W(Tc)
IRF730B	0.3200	보상요청	471	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			400V	5.5A(Tc)	10V	1옴 @ 2.75A, 10V	4V @ 250μA	33nC @ 10V	±30V	25V에서 1000pF	-	73W(Tc)
FDP8030L	4.7200	보상요청	7	비교차일드	-	대부분	활동적인	-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널			30V	80A(타)	4.5V, 10V	3.5m옴 @ 80A, 10V	2V @ 250μA	170nC @ 5V	±20V	15V에서 10500pF	-	187W(Tc)
FDA15N65	2.2600	보상요청	2	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)			TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30		N채널			650V	16A(티씨)	10V	440m옴 @ 8A, 10V	5V @ 250μA	63nC @ 10V	±30V	3095pF @ 25V	-	260W(Tc)
FQD6N60CTF	-	보상요청	5291	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			600V	4A(TC)	10V	2옴 @ 2A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 810pF	-	80W(Tc)
SFR9024TM	0.4000	보상요청	5190	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	175		P채널			60V	7.8A(Tc)	10V	280m옴 @ 3.9A, 10V	4V @ 250μA	19nC @ 10V	±30V	25V에서 600pF	-	2.5W(Ta), 32W(Tc)
2SJ633-E	-	보상요청	4413	비교차일드	*	대부분	활동적인				2SJ633		-				-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1													-
KSC1674YTA	0.0200	보상요청	40	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				250mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000				-													20V	20mA									NPN		120@1mA, 6V	600MHz	3dB ~ 5dB @ 100MHz
FGAF40N60UFDTU	2.4800	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩		기준		100W		TO-3PF	다운로드					EAR99	8542.39.0001	122			300V, 20A, 10옴, 15V												95ns	-	600V	40A	160A	3V @ 15V, 20A	470μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	77nC	15ns/65ns
FMM7G30US60N	28.1700	보상요청	31	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	기준기준				104W	삼상 다리 정류기	-	다운로드	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-FMM7G30US60N	EAR99	8541.29.0095	1	브레이크가 있는 3상인터															-	600V	30A		2.7V @ 15V, 30A				250μA	예	30V에서 2.1nF
FCP130N60	2.8900	보상요청	127	비교차일드	SuperFET® II	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	127		N채널			600V	28A(TC)	10V	130m옴 @ 14A, 10V	3.5V @ 250μA	70nC @ 10V	±20V	3590pF @ 380V	-	278W(Tc)
BC846A	0.0700	보상요청	96	비교차일드	SOT-23	대부분	활동적인	-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200mW		SOT-23	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000																	65V	100mA						100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	100MHz
FGPF7N60RUFDTU	0.5100	보상요청	1	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		기준		41W		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			300V, 7A, 30옴, 15V												65ns	-	600V	14A	21A	2.8V @ 15V, 7A	230μJ(켜짐), 100μJ(꺼짐)	24nC	60ns/60ns
FQI32N12V2TU	0.5100	보상요청	592	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)			I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	592		N채널			120V	32A(Tc)	10V	50m옴 @ 16A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±30V	1860pF @ 25V	-	3.75W(Ta), 150W(Tc)
MMBT3416	0.0200	보상요청	39	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350mW		SOT-23-3	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	0000.00.0000	3,000																	50V	500mA						-			NPN	-	-	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²