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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
HUF75309P3	0.4100	보상요청	10	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8541.29.0095	400	N채널		55V	19A(TC)	10V	70m옴 @ 19A, 10V	4V @ 250μA	24nC @ 20V	±20V	25V에서 350pF	-	55W(Tc)
FDD6030BL	1.1300	보상요청	71	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널		30V	10A(Ta), 42A(Tc)	4.5V, 10V	16m옴 @ 10A, 10V	3V @ 250μA	31nC @ 10V	±20V	15V에서 1143pF	-	1.6W(Ta), 50W(Tc)
FQAF44N10	1.0400	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360	N채널		100V	33A(티씨)	10V	39m옴 @ 16.5A, 10V	4V @ 250μA	62nC @ 10V	±25V	25V에서 1800pF	-	85W(Tc)
FQU6N40CTU	-	보상요청	6824	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	5,040	N채널		400V	4.5A(Tc)	10V	1옴 @ 2.25A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 625pF	-	2.5W(Ta), 48W(Tc)
FDB6021P	0.7800	보상요청	21	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800	P채널		20V	28A(타)	1.8V, 4.5V	30m옴 @ 14A, 4.5V	250μA에서 1.5V	28nC @ 4.5V	±8V	10V에서 1890pF	-	37W(Tc)
FDC5661N	-	보상요청	2482	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			MOSFET(금속)		TSOT-23-6	다운로드					EAR99	8542.29.0095	1	N채널		60V	4.3A(타)	4.5V, 10V	47m옴 @ 4.3A, 10V	3V @ 250μA	19nC @ 10V	±20V	25V에서 763pF	-	1.6W(타)
MJE2955TTU	-	보상요청	3619	비교차일드	MJE2955T	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				600mW	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1															60V	10A						700μA	PNP	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4A, 4V	2MHz
HUF75545P3	1.4300	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	210	N채널		80V	75A(Tc)	10V	10m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 20V	±20V	3750pF @ 25V	-	270W(Tc)
KSB564ACGBU	0.0700	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	4,798															25V	1A						100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 100mA, 1A	200 @ 100mA, 1V	110MHz
FDZ7296	0.7200	보상요청	4	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	18-WFBGA			MOSFET(금속)		18-BGA(2.5x4)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000	N채널		30V	11A(타)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 11A, 10V	3V @ 250μA	31nC @ 10V	±20V	1520pF @ 15V	-	2.1W(타)
BSR13	1.0000	보상요청	5723	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350mW	SOT-23-3	-	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000															30V	500mA						30nA(ICBO)	NPN	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	250MHz
FGA15N120ANTDTU	-	보상요청	5007	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	FGA15N120	기준		186W	TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30		600V, 15A, 10옴, 15V											330ns	NPT 및 트렌치	1200V	30A	45A	2.4V @ 15V, 15A	3mJ(켜짐), 600μJ(꺼짐)	120nC	15ns/160ns
FQH140N10	-	보상요청	7619	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	450	N채널		100V	140A(Tc)	10V	10m옴 @ 70A, 10V	4V @ 250μA	285nC @ 10V	±25V	25V에서 7900pF	-	375W(Tc)
TIP30C	0.1700	보상요청	4759	비교차일드	TIP30C	대부분	활동적인	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1															100V	1A						300μA	PNP	700mV @ 125mA, 1A	40 @ 200mA, 4V	3MHz
SSR2N60BTF	0.1900	보상요청	196	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000	N채널		600V	1.8A(Tc)	10V	5옴 @ 900mA, 10V	4V @ 250μA	17nC @ 10V	±30V	490pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 44W(Tc)
FDB7030BLS	1.8700	보상요청	34	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	800	N채널		30V	60A(타)	4.5V, 10V	9m옴 @ 30A, 10V	3V @ 250μA	24nC @ 5V	±20V	1760pF @ 15V	-	60W(Tc)
FQPF8P10	0.3700	보상요청	860	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	860	P채널		100V	5.3A(Tc)	10V	530m옴 @ 2.65A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	470pF @ 25V	-	28W(Tc)
FJV4113RMTF	-	보상요청	4762	비교차일드	-	대부분	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FJV411			200mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000															50V	100mA						100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	68 @ 5mA, 5V	200MHz	2.2kΩ	47kΩ
FDB8444	1.1400	보상요청	167	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	264	N채널		40V	70A(Tc)	10V	5.5m옴 @ 70A, 10V	4V @ 250μA	128nC @ 10V	±20V	8035pF @ 25V	-	167W(Tc)
KSC10080BU	0.0200	보상요청	630	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				800mW	TO-92-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-KSC10080BU-600039	EAR99	8541.21.0095	1															60V	700mA						100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 50mA, 500mA	40 @ 50mA, 2V	50MHz
FQU2N90TU	0.4800	보상요청	332	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	5,040	N채널		900V	1.7A(Tc)	10V	7.2옴 @ 850mA, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 500pF	-	2.5W(Ta), 50W(Tc)
FQP85N06	-	보상요청	8435	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N채널		60V	85A(Tc)	10V	10m옴 @ 42.5A, 10V	4V @ 250μA	112nC @ 10V	±25V	4120pF @ 25V	-	160W(Tc)
KSD526YTU	1.0000	보상요청	7595	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				30W	TO-220-3	다운로드						0000.00.0000	1															80V	4A						30μA(ICBO)	NPN	1.5V @ 300mA, 3A	120 @ 500mA, 5V	8MHz
ISL9N308AP3	0.8100	보상요청	3	비교차일드	UltraFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1	N채널		30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	8옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	68nC @ 10V	±20V	2600pF @ 15V	-	100W(Tc)
FDMS7694	0.3200	보상요청	25	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	943	N채널		30V	13.2A(Ta), 20A(Tc)	4.5V, 10V	9.5m옴 @ 13.2A, 10V	3V @ 250μA	22nC @ 10V	±20V	1410pF @ 15V	-	2.5W(Ta), 27W(Tc)
KSC5042TU	-	보상요청	3172	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	KSC5042				TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,000																						10μA(ICBO)	NPN	5V @ 4mA, 20mA	30 @ 10mA, 5V	-
HUF76629DS3	1.0000	보상요청	5109	비교차일드	*	대부분	활동적인				HUF76629		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1											-
MJD31CTF-FS	1.0000	보상요청	5695	비교차일드	-	대부분	활동적인	-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	MJD31			1.56W	TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	2,000															100V	3A						50μA	NPN	1.2V @ 375mA, 3A	25 @ 1A, 4V	3MHz
FDB8442-F085	-	보상요청	5463	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDB8442-F085-600039			1	N채널		40V	28A(Ta), 80A(Tc)	10V	2.9m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 10V	±20V	25V에서 12200pF	-	254W(Tc)
FDI8442	1.5300	보상요청	6	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400	N채널		40V	23A(타), 80A(Tc)	10V	2.9m옴 @ 80A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 10V	±20V	25V에서 12200pF	-	254W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²