 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 입력 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BC849CMTF | 0.0200 |  | 130 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | IRLR130ATM | 0.8100 |  | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 13A(티씨) | 5V | 120m옴 @ 6.5A, 5V | 2V @ 250μA | 24nC @ 5V | ±20V | 25V에서 755pF | - | 2.5W(Ta), 46W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | IRFS730B | 0.2900 |  | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 400V | 5.5A(티제이) | 10V | 1옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 33nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1000pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | FDD8586 | 0.3300 |  | 83 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 20V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.5m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 2480pF @ 10V | - | 77W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA75332S3S | 1.0000 |  | 8831 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 60A(Tc) | 10V | 19m옴 @ 60A, 10V | 4V @ 250μA | 85nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 145W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | FQPF3N40 | 0.4400 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 400V | 1.6A(Tc) | 10V | 3.4옴 @ 800mA, 10V | 5V @ 250μA | 7.5nC @ 10V | ±30V | 230pF @ 25V | - | 20W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA75645S3S | 2.5500 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 128 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 10V | 14m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 238nC @ 20V | ±20V | 3790pF @ 25V | - | 310W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | FDMS3615S | - |  | 7214 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | FDMS3615 | MOSFET(금속) | 1W | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 N채널(이중) 배열 | 25V | 16A, 18A | 5.8m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 27nC @ 10V | 1765pF @ 13V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||
|  | PN100TF | 0.0500 |  | 177 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,662 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | NZT6715 | - |  | 3259 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1W | SOT-223-4 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-NZT6715-600039 | 1 | 40V | 1.5A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 100mA, 1A | 60 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FQB19N20LTM | 1.0000 |  | 5433 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 200V | 21A(TC) | 5V, 10V | 140m옴 @ 10.5A, 10V | 2V @ 250μA | 35nC @ 5V | ±20V | 2200pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | HUF76139P3_NS2552 | 1.0000 |  | 9045 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FQI12N60CTU | 1.0900 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 12A(TC) | 10V | 650m옴 @ 6A, 10V | 4V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±30V | 2290pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 225W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | FQB6N40CTM | 0.8100 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | - | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 400V | 6A(TC) | 10V | 1옴 @ 3A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 625pF | - | 73W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
|  | HUF76432S3ST | 0.9300 |  | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 59A (Tc) | 4.5V, 10V | 17m옴 @ 59A, 10V | 3V @ 250μA | 53nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1765pF | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | KSP45BU | 0.0400 |  | 183 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 350V | 300mA | 500nA | NPN | 750mV @ 5mA, 50mA | 50 @ 10mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FQPF90N10V2 | 2.3700 |  | 809 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 90A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 45A, 10V | 4V @ 250μA | 191nC @ 10V | ±30V | 25V에서 6150pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA76429D3ST_QF085 | - |  | 5621 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | HUFA76429 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FCP25N60N | 4.0200 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 슈프리모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | FCP25 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 600V | 25A(TC) | 10V | 125m옴 @ 12.5A, 10V | 4V @ 250μA | 74nC @ 10V | ±30V | 100V에서 3352pF | - | 216W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
|  | KSD2012YTU | 0.2000 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 25W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 3A | 100μA(ICBO) | NPN | 1V @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 5V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | FQI5N60CTU | 0.8600 |  | 35 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 2.5옴 @ 2.25A, 10V | 4V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 670pF | - | 3.13W(Ta), 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | FMG1G75US60H | 39.0100 |  | 80 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 오후 7시-가 | 310W | 기준 | 오후 7시-가 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 하나의 | - | 600V | 75A | 2.8V @ 15V, 75A | 250μA | 아니요 | 30V에서 7.056nF | |||||||||||||||||||||||||||
|  | KST55MTF | - |  | 9303 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KST55 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 60V | 500mA | 100nA | PNP | 250mV @ 10mA, 100mA | 50 @ 100mA, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
|  | KSC1008GBU | 0.0200 |  | 3480 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 11,270 | 60V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 50mA, 500mA | 200 @ 50mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | TIP106 | 0.2700 |  | 8150 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 80W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 890 | 80V | 8A | 50μA | PNP-달링턴 | 2.5V @ 80mA, 8A | 1000 @ 3A, 4V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | HGTG30N60B3_NL | 6.0400 |  | 51 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 208W | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 51 | 480V, 60A, 3옴, 15V | NPT | 600V | 60A | 220A | 1.9V @ 15V, 30A | 550μJ(켜짐), 680μJ(꺼짐) | 250nC | 36ns/137ns | ||||||||||||||||||||||||
|  | PN2907ATAR | 1.0000 |  | 4109 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 800mA | 20nA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FOD817X_5701W | 0.1100 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MMBT2222 | 0.0200 |  | 66 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 600mA | 10μA(ICBO) | NPN | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | MPSW56RLRPG | 1.0000 |  | 8987 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드) | 1W | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80V | 500mA | 500nA | PNP | 500mV @ 10mA, 250mA | 50 @ 250mA, 1V | 50MHz | 

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