 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | HUF76129S3S | 0.5900 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 56A(티씨) | 4.5V, 10V | 16옴 @ 56A, 10V | 3V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V | - | 105W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | KSC900LBU | 0.0200 |  | 29 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25V | 50mA | 50nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 2mA, 20mA | 500μA에서 350, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FQD20N06TF | 0.4000 |  | 5421 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 525 | N채널 | 60V | 16.8A(Tc) | 10V | 63m옴 @ 8.4A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±25V | 25V에서 590pF | - | 2.5W(Ta), 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | PN3685 | 0.2400 |  | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN368 | MOSFET(금속) | TO-92-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | HUFA75339P3 | 1.1600 |  | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 12m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 130nC @ 20V | ±20V | 2000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | FDPF18N20FT-G | 0.7100 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 200V | 18A(TC) | 10V | 140m옴 @ 9A, 10V | 5V @ 250μA | 26nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1180pF | - | 35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
|  | FDC6308P | 0.5300 |  | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | FDC6308 | - | 700mW(타) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 1.7A(타) | 180m옴 @ 1.7A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 5nC @ 4.5V | 265pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
|  | TN2907A | 0.2700 |  | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-226-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 60V | 800mA | 10nA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | KSC838CYTA | 0.0200 |  | 1968년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 250mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,252 | 30V | 30mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 1mA, 10mA | 120 @ 2mA, 12V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | HUF75345S3ST_NL | 1.0000 |  | 4487 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 275nC @ 20V | ±20V | 25V에서 4000pF | - | 325W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | SI3445DV | 0.1200 |  | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | P채널 | 20V | 5.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 33m옴 @ 5.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 30nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 1926pF | - | 800mW(타) | |||||||||||||||||||||
|  | FDS7098N3 | 0.5100 |  | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 14A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 14A, 10V | 3V @ 250μA | 22nC @ 5V | ±20V | 1587pF @ 15V | - | 3W(타) | |||||||||||||||||||||||
|  | HGTD7N60C3S9A | 1.2200 |  | 249 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 기준 | 60W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 249 | - | - | 600V | 14A | 56A | 2V @ 15V, 7A | 165μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) | 23nC | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | HGTG30N60C3D | 6.9600 |  | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 208W | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 44 | - | 60ns | - | 600V | 63A | 252A | 1.8V @ 15V, 30A | 1.05mJ(켜짐), 2.5mJ(꺼짐) | 162nC | - | ||||||||||||||||||||||||
|  | BC550ABU | 0.0200 |  | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | KSD560YTU | - |  | 5589 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | KSD560 | 1.5W | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100V | 5A | 1μA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 3mA, 3A | 5000 @ 3A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | FDY1002PZ | - |  | 1950년 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | FDY1002 | MOSFET(금속) | 446mW | SOT-563F | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 830mA | 500m옴 @ 830mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 3.1nC @ 4.5V | 135pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||
|  | FDP120AN15A0 | 0.9000 |  | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 150V | 2.8A(Ta), 14A(Tc) | 6V, 10V | 120m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 14.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 770pF | - | 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | FFB2222A | 1.0000 |  | 9966 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FFB22 | 300mW | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 40V | 500mA | 10nA(ICBO) | 2 NPN(이중) | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
|  | BC32725TA | - |  | 1604 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC32725 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 45V | 800mA | 100nA | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDP2614 | - |  | 2460 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDP2614 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 62A(Tc) | 10V | 27m옴 @ 31A, 10V | 5V @ 250μA | 99nC @ 10V | ±30V | 25V에서 7230pF | - | 260W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | KSA1201YTF | - |  | 8558 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 120V | 800mA | 100nA(ICBO) | PNP | 1V @ 50mA, 500mA | 120 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | SFR9210TF | - |  | 7818 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 200V | 1.6A(Tc) | 10V | 3옴 @ 800mA, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±30V | 25V에서 285pF | - | 2.5W(Ta), 19W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | FDB8453LZ | 0.6700 |  | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 16.1A(Ta), 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 7m옴 @ 17.6A, 10V | 3V @ 250μA | 66nC @ 10V | ±20V | 20V에서 3545pF | - | 3.1W(Ta), 66W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | KSC2001YBU | 0.0200 |  | 147 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 600mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 25V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 70mA, 700mA | 135 @ 100mA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | BC849CMTF | 0.0200 |  | 130 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
|  | IRLR130ATM | 0.8100 |  | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 13A(티씨) | 5V | 120m옴 @ 6.5A, 5V | 2V @ 250μA | 24nC @ 5V | ±20V | 25V에서 755pF | - | 2.5W(Ta), 46W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | IRFS730B | 0.2900 |  | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 400V | 5.5A(티제이) | 10V | 1옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 33nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1000pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | FDD8586 | 0.3300 |  | 83 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 20V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.5m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 2480pF @ 10V | - | 77W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
|  | HUFA75332S3S | 1.0000 |  | 8831 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 60A(Tc) | 10V | 19m옴 @ 60A, 10V | 4V @ 250μA | 85nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 145W(Tc) | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

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