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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
KSC3953DSTU	0.1000	보상요청	80	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				1.3W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	1,920																120V	200mA						100nA(ICBO)	NPN	1V @ 3mA, 30mA	60 @ 10mA, 10V	400MHz
FDAF75N28	3.2100	보상요청	1	비교차일드	UniFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	360		N채널		280V	46A(Tc)	10V	41m옴 @ 23A, 10V	5V @ 250μA	144nC @ 10V	±30V	6700pF @ 25V	-	215W(Tc)
HUF76145S3	-	보상요청	8130	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	156nC @ 10V	±20V	25V에서 4900pF	-	270W(Tc)
SGL50N60RUFDTU	-	보상요청	3313	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA	SGL50N60	기준		250W	HPM F2	-						0000.00.0000	1			300V, 50A, 5.9옴, 15V											100ns	-	600V	80A	150A	2.8V @ 15V, 50A	1.68mJ(켜짐), 1.03mJ(꺼짐)	145nC	26ns/66ns
MJD350TF	-	보상요청	9699	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				1.56W	DPAK-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-MJD350TF-600039			1																300V	500mA						100μA	PNP	1V @ 10mA, 100mA	30 @ 50mA, 10V	10MHz
BC860BMTF	-	보상요청	4952	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC860			310mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																45V	100mA						15nA(ICBO)	PNP	650mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	150MHz
FCA20N60	-	보상요청	5993	비교차일드	SuperFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	FCA20		MOSFET(금속)		TO-3PN	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		600V	20A(TC)	10V	190m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	98nC @ 10V	±30V	3080pF @ 25V	-	208W(Tc)
FQP9N90C	2.1200	보상요청	364	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	142		N채널		900V	8A(TC)	10V	1.4옴 @ 4A, 10V	5V @ 250μA	58nC @ 10V	±30V	2730pF @ 25V	-	205W(Tc)
FDW2601NZ	0.4000	보상요청	3463	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)	FDW26		MOSFET(금속)	1.6W	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	26	2 N채널(이중) 시작			30V	8.2A		15mΩ @ 8.2A, 4.5V	250μA에서 1.5V	30nC @ 4.5V		1840pF @ 15V	게임 레벨 레벨
FDS6064N3	1.6200	보상요청	30	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		20V	23A(타)	1.8V, 4.5V	4m옴 @ 23A, 4.5V	250μA에서 1.5V	98nC @ 4.5V	±8V	7191pF @ 10V	-	3W(타)
SFR9014TF	0.1900	보상요청	5	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,000		P채널		60V	5.3A(Tc)	10V	500m옴 @ 2.7A, 10V	4V @ 250μA	11nC @ 10V	±30V	25V에서 350pF	-	2.5W(Ta), 24W(Tc)
BCP51	0.1600	보상요청	9	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	BCP51			1W	SOT-223-4	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1																45V	1.5A						100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 2V	-
FDW2506P	0.6400	보상요청	180	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)	FDW25		MOSFET(금속)	600mW	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)			20V	5.3A		22m옴 @ 5.3A, 4.5V	250μA에서 1.5V	34nC @ 4.5V		1015pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FDP040N06	1.7300	보상요청	800	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널		60V	120A(Tc)	10V	4m옴 @ 75A, 10V	250μA에서 4.5V	133nC @ 10V	±20V	8235pF @ 25V	-	231W(Tc)
FQI2P25TU	0.7500	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		P채널		250V	2.3A(Tc)	10V	4옴 @ 1.15A, 10V	5V @ 250μA	8.5nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	3.13W(Ta), 52W(Tc)
FQD2N60CTM	-	보상요청	5588	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		600V	1.9A(Tc)	10V	4.7옴 @ 950mA, 10V	4V @ 250μA	12nC @ 10V	±30V	25V에서 235pF	-	2.5W(Ta), 44W(Tc)
BC32716	0.0500	보상요청	6	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	800mA						100nA	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
FDD5N50NZFTM	-	보상요청	3985	비교차일드	UniFET-II™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		500V	3.7A(Tc)	10V	1.75옴 @ 1.85A, 10V	5V @ 250μA	12nC @ 10V	±25V	25V에서 485pF	-	62.5W(Tc)
FDB4030L	0.8300	보상요청	13	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	800		N채널		30V	20A(TC)	10V	55m옴 @ 4.5A, 10V	2V @ 250μA	18nC @ 10V	±20V	15V에서 365pF	-	37.5W(Tc)
FDS4501H	0.7200	보상요청	40	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS4501		MOSFET(금속)	1W	8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N 및 P 채널			30V, 20V	9.3A, 5.6A		18m옴 @ 9.3A, 10V	3V @ 250μA	27nC @ 4.5V		1958pF @ 10V	게임 레벨 레벨
4N92	0.4200	보상요청	35	비교차일드	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우			0000.00.0000	1
FQD1N50TM	0.5300	보상요청	241	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		500V	1.1A(Tc)	10V	9옴 @ 550mA, 10V	5V @ 250μA	5.5nC @ 10V	±30V	25V에서 150pF	-	2.5W(Ta), 25W(Tc)
IRFS634BT	0.1800	보상요청	3	비교차일드	*	대부분	활동적인				IRFS634		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1,803												-
FDMA910PZ	1.0000	보상요청	7442	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드			MOSFET(금속)		6-MicroFET(2x2)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		P채널		20V	9.4A(타)	1.8V, 4.5V	20m옴 @ 9.4A, 4.5V	250μA에서 1.5V	29nC @ 4.5V	±8V	10V에서 2805pF	-	2.4W(타)
BD441STU	-	보상요청	9609	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				36W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	60																80V	4A						100μA	NPN	800mV @ 200mA, 2A	40 @ 500mA, 1V	3MHz
FDD6030L	0.8900	보상요청	637	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	339		N채널		30V	12A(Ta), 50A(Tc)	4.5V, 10V	14.5m옴 @ 12A, 10V	3V @ 250μA	28nC @ 5V	±20V	1230pF @ 15V	-	3.2W(Ta), 56W(Tc)
FDMC86106LZ	0.4800	보상요청	4443	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	FDMC86		MOSFET(금속)		8-MLP(3.3x3.3)	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	3,000		N채널		100V	3.3A(Ta), 7.5A(Tc)		103m옴 @ 3.3A, 10V	2.2V @ 250μA	6nC @ 10V		50V에서 310pF	-	2.3W(Ta), 19W(Tc)
NDS335N	0.1800	보상요청	95	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000		N채널		20V	1.7A(타)	2.7V, 4.5V	110m옴 @ 1.7A, 4.5V	1V @ 250μA	9nC @ 4.5V	8V	10V에서 240pF	-	500mW(타)
2N3906TAR	-	보상요청	2685	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																40V	200mA						-	PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
MJD117TF-FS	-	보상요청	6953	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				1.75W	D-박	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1																100V	2A						20μA	PNP-달링턴	3V @ 40mA, 4A	1000 @ 2A, 3V	25MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²