SIC
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트랜지스터 (3825)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQB12N60TM Fairchild Semiconductor FQB12N60TM 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 217 n 채널 600 v 10.5A (TC) 10V 700mohm @ 5.3a, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 180W (TC)
FDBL0120N40 Fairchild Semiconductor FDBL0120N40 -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 1.2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 7735 pf @ 25 v - 300W (TJ)
PN2222ATF Fairchild Semiconductor PN2222ATF 0.0400
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 50 40 v 1 a 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
FQA90N15 Fairchild Semiconductor FQA90N15 -
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 8700 pf @ 25 v - 375W (TC)
RF1K49092 Fairchild Semiconductor RF1K49092 0.5200
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Littlefet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RF1K4 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3 n 및 p 채널 12V 3.5A (TA), 2.5A (TA) 50mohm @ 3.5a, 5v, 130mohm @ 2.5a, 5v 2V @ 250µA 25NC @ 10V, 24NC @ 10V 750pf @ 10v, 775pf @ 10v -
SFS9Z34 Fairchild Semiconductor SFS9Z34 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 140mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1155 pf @ 25 v - 36W (TC)
SFW9510TM Fairchild Semiconductor SFW9510TM 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 3.6A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 335 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 32W (TC)
HUF75229P3_NL Fairchild Semiconductor HUF75229P3_NL 0.7000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 319 n 채널 50 v 44A (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 90W (TC)
FQAF9N50 Fairchild Semiconductor fqaf9n50 1.0100
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 730mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 90W (TC)
FQA13N50CF Fairchild Semiconductor fqa13n50cf 1.0000
RFQ
 ECAD 8834 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 218W (TC)
FDS6064N3 Fairchild Semiconductor FDS6064N3 1.6200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 23A (TA) 1.8V, 4.5V 4mohm @ 23a, 4.5v 1.5V @ 250µA 98 NC @ 4.5 v ± 8V 7191 pf @ 10 v - 3W (TA)
FDP5800 Fairchild Semiconductor FDP5800 1.0000
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 14A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 6ohm @ 80a, 10V 2.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 9160 pf @ 15 v - 242W (TC)
HUF75639S3_NL Fairchild Semiconductor HUF75639S3_NL 1.1300
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
FQA16N50 Fairchild Semiconductor FQA16N50 4.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 320mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 25 v - 200W (TC)
BCW31 Fairchild Semiconductor BCW31 0.0200
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 681 32 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500µa, 10ma 110 @ 2MA, 5V 200MHz
HGTP14N44G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N44G3VL 1.0000
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 논리 231 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 7.5A, 1KOHM, 5V - 490 v 27 a 1.9V @ 4.5V, 8A - -/18µs
USB10H Fairchild Semiconductor USB10H 1.0000
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 USB10 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.9a 170mohm @ 1.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 441pf @ 10V 논리 논리 게이트
SS9015-DBU Fairchild Semiconductor SS9015-DBU 0.0200
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 9,900 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 400 @ 1ma, 5V 190mhz
FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor fgaf40n60uftu 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 160
FGH40T65SHD-F155 Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH40 기준 268 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 40A, 6ohm, 15V 31.8 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 1.01mj (on), 297µJ (OFF) 72.2 NC 19.2ns/65.6ns
FDW258P Fairchild Semiconductor FDW258P 1.3600
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 12 v 9A (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 73 NC @ 4.5 v ± 8V 5049 pf @ 5 v - 1.3W (TA)
HGTD7N60C3S9A Fairchild Semiconductor HGTD7N60C3S9A 1.2200
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 60 W. TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 249 - - 600 v 14 a 56 a 2V @ 15V, 7A 165µJ (on), 600µJ (OFF) 23 NC -
FMG1G50US60H Fairchild Semiconductor FMG1G50US60H 34.0000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7시 250 W. 기준 오후 7시 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 15 하나의 - 600 v 50 a 2.8V @ 15V, 50A 250 µA 아니요 3.46 NF @ 30 v
KSD1417TU Fairchild Semiconductor KSD1417TU -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 7 a 100µA (ICBO) npn-달링턴 2V @ 14MA, 7A 2000 @ 3a, 3v -
FMG2G50US60 Fairchild Semiconductor FMG2G50US60 31.7500
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7시 250 W. 기준 오후 7시 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 600 v 50 a 2.8V @ 15V, 50A 250 µA 아니요 3.46 NF @ 30 v
HGT1S14N36G3VLT_NL Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT_NL -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 논리 100 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 124 300V, 7A, 28ohm, 5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -/7µs
ISL9V3036S3STSB82029A Fairchild Semiconductor ISL9V3036S3STSB82029A 1.0000
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ecospark® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 150 W. D2PAK (TO-263) 다운로드 0000.00.0000 50 - - 360 v 21 a 1.6V @ 4V, 6A - 17 NC -/4.8µs
FGB7N60UNDF Fairchild Semiconductor fgb7n60undf 1.1100
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 83 w D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 7A, 10ohm, 15V 32.3 ns NPT 600 v 14 a 21 a 2.3V @ 15V, 7A 99µJ (on), 104µJ (OFF) 18 NC 5.9ns/32.3ns
FGA5065ADF Fairchild Semiconductor fga5065adf 2.5200
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 268 w 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 50A, 6ohm, 15V 31.8 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 100 a 150 a 2.2V @ 15V, 50A 1.35mj (on), 309µJ (OFF) 72.2 NC 20.8ns/62.4ns
KSA643CYTA Fairchild Semiconductor KSA643CYTA 0.0400
RFQ
 ECAD 6054 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,850 20 v 500 MA 200NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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