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트랜지스터(3821)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
2N6517CTA Fairchild Semiconductor 2N6517CTA 1.0000
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 ECAD 3450 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 - 0000.00.0000 1 400V 500mA 50nA(ICBO) NPN 1V @ 5mA, 50mA 20 @ 50mA, 10V 200MHz
FJPF6806DTU Fairchild Semiconductor FJPF6806DTU -
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 ECAD 7696 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 40W TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 750V 6A 1mA NPN 5V @ 1A, 4A 4 @ 4A, 5V -
TN6719A Fairchild Semiconductor TN6719A -
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 ECAD 4174 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1W TO-226-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 1,500 300V 200mA 100nA(ICBO) NPN 750mV @ 3mA, 30mA 40 @ 30mA, 10V -
HUFA76633S3S Fairchild Semiconductor HUFA76633S3S -
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 ECAD 6617 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 383 N채널 100V 39A(Tc) 4.5V, 10V 35m옴 @ 39A, 10V 3V @ 250μA 67nC @ 10V ±16V 25V에서 1820pF - 145W(Tc)
FQD12N20TF Fairchild Semiconductor FQD12N20TF 0.5300
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 ECAD 6346 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5 N채널 200V 9A(TC) 10V 280m옴 @ 4.5A, 10V 5V @ 250μA 23nC @ 10V ±30V 25V에서 910pF - 2.5W(Ta), 55W(Tc)
FGA40T65UQDF Fairchild Semiconductor FGA40T65UQDF 1.9000
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 231W TO-3PN 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40A, 6옴, 15V 89ns NPT 650V 80A 120A 1.67V @ 15V, 40A 989μJ(켜짐), 310μJ(꺼짐) 306nC 32ns/271ns
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor HUFA75343G3 1.0200
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 ECAD 821 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 150 N채널 55V 75A(Tc) 10V 9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 205nC @ 20V ±20V 3000pF @ 25V - 270W(Tc)
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor FQD6P25TF 0.6000
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 ECAD 72 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 250V 4.7A(Tc) 10V 1.1옴 @ 2.35A, 10V 5V @ 250μA 27nC @ 10V ±30V 25V에서 780pF - 2.5W(Ta), 55W(Tc)
2SA1943RTU Fairchild Semiconductor 2SA1943RTU 2.7700
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -50°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-264-3, TO-264AA 150W HPM F2 다운로드 EAR99 8541.29.0075 109 250V 17A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1A, 5V 30MHz
FDFS2P102 Fairchild Semiconductor FDFS2P102 0.4300
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 ECAD 14 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 20V 3.3A(타) 4.5V, 10V 125m옴 @ 3.3A, 10V 2V @ 250μA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 270pF 쇼트키 다이오드(절연) 900mW(타)
SSS4N60BT Fairchild Semiconductor SSS4N60BT 0.3100
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 ECAD 1 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 4A(티제이) 10V 2.5옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 29nC @ 10V ±30V 25V에서 920pF - 33W(Tc)
FQI4N25TU Fairchild Semiconductor FQI4N25TU 0.1900
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 ECAD 8002 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,175 N채널 250V 3.6A(Tc) 10V 1.75옴 @ 1.8A, 10V 5V @ 250μA 5.6nC @ 10V ±30V 200pF @ 25V - 3.13W(Ta), 52W(Tc)
KSC1730YBU Fairchild Semiconductor KSC1730YBU 0.0200
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 ECAD 584 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 1,000 - 15V 50mA NPN 120 @ 5mA, 10V 1.1GHz -
FDMA1025P Fairchild Semiconductor FDMA1025P 0.2900
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 ECAD 92 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VDFN옆패드 FDMA1025 MOSFET(금속) 700mW 6-MicroFET(2x2) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 2 P채널(듀얼) 20V 3.1A 155m옴 @ 3.1A, 4.5V 250μA에서 1.5V 4.8nC @ 4.5V 450pF @ 10V 게임 레벨 레벨
HUF76409D3 Fairchild Semiconductor HUF76409D3 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 18A(TC) 4.5V, 10V 63m옴 @ 18A, 10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V ±16V 25V에서 485pF - 49W(Tc)
FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor FQI7N10LTU 0.3200
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 ECAD 4 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 7.3A(Tc) 5V, 10V 350m옴 @ 3.65A, 10V 2V @ 250μA 6nC @ 5V ±20V 290pF @ 25V - 3.75W(Ta), 40W(Tc)
MMBT2907AK Fairchild Semiconductor MMBT2907AK 1.0000
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 ECAD 1193 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 - ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 600mA 10nA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FDY301NZ Fairchild Semiconductor FDY301NZ -
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 ECAD 6207 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-89, SOT-490 MOSFET(금속) SOT-523F 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 20V 200mA(타) 1.5V, 4.5V 5옴 @ 200mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 1.1nC @ 4.5V ±12V 10V에서 60pF - 625mW(타)
FCH041N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH041N65F-F085 9.5400
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 ECAD 163 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, SuperFET® II 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 EAR99 8541.29.0095 35 N채널 650V 76A(티씨) 10V 41m옴 @ 38A, 10V 5V @ 250μA 304nC @ 10V ±20V 25V에서 13566pF - 595W(Tc)
FDS6612A Fairchild Semiconductor FDS6612A 0.3300
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 ECAD 144 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 917 N채널 30V 8.4A(타) 4.5V, 10V 22m옴 @ 8.4A, 10V 3V @ 250μA 7.6nC @ 5V ±20V 15V에서 560pF - 2.5W(타)
KSC5019MTA Fairchild Semiconductor KSC5019MTA 0.0700
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 ECAD 29 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 KSC5019 750mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 10V 2A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 2A 140 @ 500mA, 1V 150MHz
FMC7G15US60 Fairchild Semiconductor FMC7G15US60 -
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 ECAD 4427 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 45W 삼상 다리 정류기 - 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 4 브레이크가 있는 3상인터 - 600V 15A 2.8V @ 15V, 15A 250μA 아니요 30V에서 948pF
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606AS 1.0900
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 ECAD 7 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN FDMS3606 MOSFET(금속) 1W 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 2 N채널(이중) 배열 30V 13A, 27A 8m옴 @ 13A, 10V 2.7V @ 250μA 29nC @ 10V 15V에서 1695pF 게임 레벨 레벨
NDS9936 Fairchild Semiconductor NDS9936 0.5400
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 ECAD 40 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) NDS993 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 5A 50m옴 @ 5A, 10V 3V @ 250μA 35nC @ 10V 525pF @ 15V 게임 레벨 레벨
MPSA42RA Fairchild Semiconductor MPSA42RA 1.0000
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 ECAD 8905 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 - ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,000 300V 500mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 2mA, 20mA 40 @ 30mA, 10V 50MHz
FDMS3672 Fairchild Semiconductor FDMS3672 -
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 ECAD 7179 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-MLP(5x6), 전원56 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FDMS3672 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 7.4A(Ta), 22A(Tc) 6V, 10V 23m옴 @ 7.4A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 10V ±20V 50V에서 2680pF - 2.5W(Ta), 78W(Tc)
HUF76423P3 Fairchild Semiconductor HUF76423P3 -
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 ECAD 1419 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 35A(Tc) 4.5V, 10V 30m옴 @ 35A, 10V 3V @ 250μA 34nC @ 10V ±16V 1060pF @ 25V - 85W(Tc)
FQPF17N08 Fairchild Semiconductor FQPF17N08 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 11.2A(Tc) 10V 115m옴 @ 5.6A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±25V 25V에서 450pF - 30W(Tc)
FQB8N90CTM Fairchild Semiconductor FQB8N90CTM 1.0000
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 ECAD 2139 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 900V 6.3A(Tc) 10V 1.9옴 @ 3.15A, 10V 5V @ 250μA 45nC @ 10V ±30V 2080pF @ 25V - 171W(Tc)
IRF610A Fairchild Semiconductor IRF610A -
보상요청
 ECAD 9339 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 200V 3.3A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.65A, 10V 4V @ 250μA 10nC @ 10V ±30V 210pF @ 25V - 38W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

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