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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
FDD24AN06LA0	1.1300	보상요청	6	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			60V	7.1A(Ta), 40A(Tc)	5V, 10V	19m옴 @ 40A, 10V	2V @ 250μA	21nC @ 5V	±20V	25V에서 1850pF	-	75W(Tc)
KSH45H11TM	0.3400	보상요청	13	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				1.75W	TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	0000.00.0000	500																80V	8A					10μA	PNP	1V @ 400mA, 8A	60 @ 2A, 1V	40MHz
FJY4001R	0.0200	보상요청	15	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-89, SOT-490	FJY400			200mW	SOT-523F	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	15,000																50V	100mA					100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	20 @ 10mA, 5V	200MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
FQPF6N50	0.5900	보상요청	5	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널			500V	3.6A(Tc)	10V	1.3옴 @ 1.8A, 10V	5V @ 250μA	22nC @ 10V	±30V	25V에서 790pF	-	42W(Tc)
FOD817X_5700W	-	보상요청	1319	비교차일드	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우			1
MPSA20	0.0400	보상요청	97	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	5,000																40V	100mA					100nA(ICBO)	NPN	250mV @ 1mA, 10mA	40 @ 5mA, 10V	125MHz
KSC1674COBU	0.0200	보상요청	8988	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				250mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	12,645				-												20V	20mA						NPN		70 @ 1mA, 6V	600MHz			3dB ~ 5dB @ 100MHz
ISL9V3036D3S	1.2300	보상요청	3	비교차일드	EcoSPARK®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		논리		150W	TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,800			300V, 1k옴, 5V												-	360V	21A	1.6V @ 4V, 6A	-	17nC	-/4.8μs
FQB5P10TM	0.6100	보상요청	5646	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	27		P채널			100V	4.5A(Tc)	10V	1.05옴 @ 2.25A, 10V	4V @ 250μA	8.2nC @ 10V	±30V	25V에서 250pF	-	3.75W(Ta), 40W(Tc)
IRFM120A	-	보상요청	2953	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)		SOT-223-4	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	89		N채널			100V	2.3A(타)	10V	200m옴 @ 1.15A, 10V	4V @ 250μA	22nC @ 10V	±20V	25V에서 480pF	-	2.4W(타)
HUF76619D3S	0.3200	보상요청	5	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	75		N채널			100V	18A(TC)	4.5V, 10V	85m옴 @ 18A, 10V	3V @ 250μA	29nC @ 10V	±16V	25V에서 767pF	-	75W(Tc)
KSA992FTA	0.0500	보상요청	6133	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				500mW	TO-92-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	2,000																120V	50mA					1μA	PNP	300mV @ 1mA, 10mA	300@1mA, 6V	100MHz
BC32716TA	0.0300	보상요청	22	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	800mA					100nA	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
TIP102TU	-	보상요청	3767	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TIP102			2W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1																100V	8A					50μA	NPN-달링턴	2.5V @ 80mA, 8A	1000 @ 3A, 4V	-
FDMS3610S	-	보상요청	3566	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS3610		MOSFET(금속)	1W	파워56	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열				25V	17.5A, 30A		5m옴 @ 17.5A, 10V	2V @ 250μA	26nC @ 10V		1570pF @ 13V	게임 레벨 레벨
HUF76145S3S	1.9000	보상요청	9	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	156nC @ 10V	±20V	25V에서 4900pF	-	270W(Tc)
FDB5645	3.8100	보상요청	8	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	800		N채널			60V	80A(타)	6V, 10V	9.5m옴 @ 40A, 10V	4V @ 250μA	107nC @ 10V	±20V	30V에서 4468pF	-	125W(Tc)
FCH20N60	2.6500	보상요청	838	비교차일드	SuperFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	30		N채널			600V	20A(TC)	10V	190m옴 @ 10A, 10V	5V @ 250μA	98nC @ 10V	±30V	3080pF @ 25V	-	208W(Tc)
FDN306P	-	보상요청	1935년	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		P채널			12V	2.6A(타)	1.8V, 4.5V	40m옴 @ 2.6A, 4.5V	250μA에서 1.5V	17nC @ 4.5V	±8V	6V에서 1138pF	-	500mW(타)
SFH9140	0.6600	보상요청	2935	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.21.0095	388		P채널			100V	19A(TC)	10V	200m옴 @ 9.5A, 10V	4V @ 250μA	54nC @ 10V	±20V	25V에서 1535pF	-	166W(Tc)
FDD6685	-	보상요청	2428	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		P채널			30V	11A(Ta), 40A(Tc)	4.5V, 10V	20m옴 @ 11A, 10V	3V @ 250μA	24nC @ 5V	±25V	1715pF @ 15V	-	1.6W(타)
FDMD8280	-	보상요청	1017	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	12-PowerWDFN	FDMD82		MOSFET(금속)	1W	12-전력3.3x5	다운로드					0000.00.0000	1	2 N채널(듀얼)				80V	11A		8.2m옴 @ 11A, 10V	4V @ 250μA	44nC @ 10V		3050pF @ 40V	-
BDX54C	-	보상요청	5656	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				60W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1																100V	8A					500μA	PNP-달링턴	2V @ 12mA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
NDP7061	2.3200	보상요청	5	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50		N채널			60V	64A(티씨)	10V	16m옴 @ 35A, 10V	4V @ 250μA	100nC @ 10V	±20V	1930pF @ 25V	-	130W(Tc)
SS9013FBU	0.0200	보상요청	32	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	15,000																20V	500mA					100nA(ICBO)	NPN	600mV @ 50mA, 500mA	78 @ 50mA, 1V	-
ISL9N302AP3	1.1800	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400		N채널			30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	2.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	300nC @ 10V	±20V	11000pF @ 15V	-	345W(Tc)
BCP51	0.1600	보상요청	9	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	BCP51			1W	SOT-223-4	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1																45V	1.5A					100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 2V	-
FDD850N10LD	-	보상요청	7269	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-5, DPak(4리드 + 탭), TO-252AD			MOSFET(금속)		TO-252-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	0000.00.0000	2,500		N채널			100V	15.3A(Tc)		75m옴 @ 12A, 10V	2.5V @ 250μA	28.9nC @ 10V	±20V	25V에서 1465pF	-	42W(Tc)
FMBA14	0.1900	보상요청	12	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	FMBA1			700mW	SuperSOT™-6	다운로드				EAR99	8541.21.0095	1,750																30V	1.2A					100nA(ICBO)	2 NPN(이중)	1.5V @ 100μA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	1.25MHz
RFD16N05LSM_NL	-	보상요청	5616	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			50V	16A	4V, 5V	47m옴 @ 16A, 5V	2V @ 250mA	80nC @ 10V	±10V		-	60W

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²