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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
FDB12N50UTM	0.9000	보상요청	2	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDB12N		-				-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	800													-
KSC3123OMTF	0.0200	보상요청	8269	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				150mW		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,409				20dB ~ 23dB													20V	50mA								NPN		90 @ 5mA, 10V	1.4GHz	3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
FDC8886	0.2000	보상요청	184	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			MOSFET(금속)			SuperSOT™-6	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1,500		N채널			30V	6.5A(Ta), 8A(Tc)	4.5V, 10V	23m옴 @ 6.5A, 10V	3V @ 250μA	7.4nC @ 10V	±20V	15V에서 465pF	-	1.6W(타)
HRFZ44N	0.4200	보상요청	12	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널			55V	49A(TC)	10V	22m옴 @ 25A, 10V	4V @ 250μA	75nC @ 20V	±20V	1060pF @ 25V	-	120W(Tc)
FGA5065ADF	2.5200	보상요청	325	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		기준		268W		TO-3PN	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 50A, 6옴, 15V												31.8ns	트렌치 필드스톱	650V	100A	150A	2.2V @ 15V, 50A	1.35mJ(켜짐), 309μJ(꺼짐)	72.2nC	20.8ns/62.4ns
MMBT2222	0.0200	보상요청	66	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222			350mW		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																	30V	600mA						10μA(ICBO)		NPN	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	250MHz
TIP31A	-	보상요청	4435	비교차일드	TIP31A	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				2W		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1																	60V	3A						300μA		NPN	1.2V @ 375mA, 3A	25 @ 1A, 4V	3MHz
KSA1156OSTSTU	0.1800	보상요청	13	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3	KSA1156			1W		TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																	400V	500mA						100μA(ICBO)		PNP	1V @ 10mA, 100mA	60 @ 100mA, 5V	-
KSE800STU	0.4400	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				40W		TO-126-3	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-KSE800STU-600039			747																	60V	4A						100μA		NPN-달링턴	2.5V @ 30mA, 1.5A	750 @ 1.5A, 3V	-
IRFU330BTU	0.2700	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 스텁 레코드, IPak			MOSFET(금속)			TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			400V	4.5A(Tc)	10V	1옴 @ 2.25A, 10V	4V @ 250μA	33nC @ 10V	±30V	25V에서 1000pF	-	2.5W(Ta), 48W(Tc)
ISL9N306AD3ST	0.3400	보상요청	8	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)			TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			30V	50A(Tc)	4.5V, 10V	6m옴 @ 50A, 10V	3V @ 250μA	90nC @ 10V	±20V	15V에서 3400pF	-	125W(타)
FDMC8296	-	보상요청	8533	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)			8-MLP(3.3x3.3)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널			30V	12A(타), 18A(Tc)	4.5V, 10V	8m옴 @ 12A, 10V	3V @ 250μA	23nC @ 10V	±20V	1385pF @ 15V	-	2.3W(Ta), 27W(Tc)
FMG1G150US60H	55.2800	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준				595W	기준	-	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1	하나의															-	600V	150A		2.7V @ 15V, 150A				250μA	아니요
FDMS3008SDC	1.3000	보상요청	7	비교차일드	Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS30		MOSFET(금속)			듀얼 쿨링™56	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		N채널			30V	29A(타)	4.5V, 10V	2.6m옴 @ 28A, 10V	3V @ 1mA	64nC @ 10V	±20V	15V에서 4520pF	-	3.3W(Ta), 78W(Tc)
FDC855N	0.2400	보상요청	10	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			MOSFET(금속)			SuperSOT™-6	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1,265		N채널			30V	6.1A(타)	4.5V, 10V	27m옴 @ 6.1A, 10V	3V @ 250μA	13nC @ 10V	±20V	15V에서 655pF	-	1.6W(타)
HUF76139P3_NS2552	1.0000	보상요청	9045	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1
IRL540A	0.7000	보상요청	3	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널			100V	28A(TC)	5V	58m옴 @ 14A, 5V	2V @ 250μA	54nC @ 5V	±20V	25V에서 1580pF	-	121W(Tc)
IRLS620A	0.1900	보상요청	9510	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)			TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1,494		N채널			200V	4.1A(Tc)	5V	800m옴 @ 2.05A, 5V	2V @ 250μA	15nC @ 5V	±20V	25V에서 430pF	-	26W(Tc)
HUF76132S3S	0.9800	보상요청	4	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			TO-263AB	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널			30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	11m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	52nC @ 10V	±20V	25V에서 1650pF	-	120W(Tc)
KSD261CYBU	0.0300	보상요청	3939	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				500mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	9,000																	20V	500mA						100nA(ICBO)		NPN	400mV @ 50mA, 500mA	120 @ 100mA, 1V	-
PN2222TF	0.0500	보상요청	80	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW		TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	5,805																	30V	600mA						10nA(ICBO)		NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10mV	300MHz
FGAF40N60UFTU	1.8800	보상요청	2	비교차일드	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8542.39.0001	160
FDMS3624S	-	보상요청	6729	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS3624		MOSFET(금속)	2.2W(타), 2.5W(타)		8-PQFN(5x6)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열				25V	17.5A(Ta), 30A(Tc), 30A(Ta), 60A(Tc)		1.8m옴 @ 30A, 10V, 5m옴 @ 17.5A, 10V	2V @ 250μA, 2.2V @ 1mA	26nC @ 10V, 59nC @ 10V		1570pF @13V, 4045pF @ 13V	-
HUF75329S3	0.3300	보상요청	1516	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널			55V	49A(TC)	10V	24m옴 @ 49A, 10V	4V @ 250μA	75nC @ 20V	±20V	1060pF @ 25V	-	128W(Tc)
FCP11N65	1.4900	보상요청	3	비교차일드	*	대부분	활동적인				FCP11		-				-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1													-
KSE45H8TU	0.2500	보상요청	22	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	KSE45			1.67W		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																	60V	10A						10μA		PNP	1V @ 400mA, 8A	60 @ 2A, 1V	40MHz
FDMB506P	0.6600	보상요청	5	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN			MOSFET(금속)			8-MLP, 마이크로FET(3x1.9)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널			20V	6.8A(타)	1.8V, 4.5V	30m옴 @ 6.8A, 4.5V	250μA에서 1.5V	30nC @ 4.5V	±8V	2960pF @ 10V	-	1.9W(타)
IRFW730BTM	0.6400	보상요청	12	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)			D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	800		N채널			400V	5.5A(Tc)	10V	1옴 @ 2.75A, 10V	4V @ 250μA	33nC @ 10V	±30V	25V에서 1000pF	-	3.13W(Ta), 73W(Tc)
FGH20N60SFDTU-F085	-	보상요청	4352	비교차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		165W		TO-247	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			400V, 20A, 10옴, 15V												40ns	필드스톱	600V	40A	60A	2.8V @ 15V, 20A	430μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	66nC	13ns/90ns
HUF75542P3	1.7400	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	173		N채널			80V	75A(Tc)	10V	14m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	180nC @ 20V	±20V	2750pF @ 25V	-	230W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²