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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
SGR15N40LTM	0.8000	보상요청	765	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	SGR15	기준		45W	TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			-												도랑	400V		130A	8V @ 4.5V, 130A	-		-
HUF75545S3S	1.0000	보상요청	8349	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널		80V	75A(Tc)	10V	10m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 20V	±20V	3750pF @ 25V	-	270W(Tc)
FDC8886	0.2000	보상요청	184	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6			MOSFET(금속)		SuperSOT™-6	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1,500		N채널		30V	6.5A(Ta), 8A(Tc)	4.5V, 10V	23m옴 @ 6.5A, 10V	3V @ 250μA	7.4nC @ 10V	±20V	15V에서 465pF	-	1.6W(타)
FDMS8560S	-	보상요청	2883	비교차일드	PowerTrench®, SyncFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS85		MOSFET(금속)		8-PQFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		N채널		25V	30A(타), 70A(Tc)	4.5V, 10V	1.8m옴 @ 30A, 10V	2.2V @ 1mA	68nC @ 10V	±12V	13V에서 4350pF	-	2.5W(Ta), 65W(Tc)
FDB2572	1.0000	보상요청	5398	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		150V	4A(Ta), 29A(Tc)	6V, 10V	54m옴 @ 9A, 10V	4V @ 250μA	34nC @ 10V	±20V	1770pF @ 25V	-	135W(Tc)
HGTG7N60A4D	-	보상요청	3040	비교차일드	SMPS	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		125W	TO-247-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HGTG7N60A4D-600039			1			390V, 7A, 25옴, 15V											34ns	-	600V	34A	56A	2.7V @ 15V, 7A	55μJ(켜짐), 60μJ(꺼짐)	37nC	11ns/100ns
FQD20N06LETM	0.3100	보상요청	54	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		60V	17.2A(Tc)	5V, 10V	60m옴 @ 8.6A, 10V	2.5V @ 250μA	13nC @ 5V	±20V	25V에서 665pF	-	2.5W(Ta), 38W(Tc)
FDMJ1023PZ	0.3000	보상요청	3	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WFDFN 옆형 패드	FDMJ1023		MOSFET(금속)	700mW	SC-75, 마이크로FET	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 P채널(듀얼)			20V	2.9A		112m옴 @ 2.9A, 4.5V	1V @ 250μA	6.5nC @ 4.5V		400pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FQPF4N60	0.7000	보상요청	4	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널		600V	2.6A(Tc)	10V	2.2옴 @ 1.3A, 10V	5V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 670pF	-	36W(Tc)
FDM3300NZ	2.4400	보상요청	86	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	FDM3300		MOSFET(금속)	900mW	파워33	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)			20V	10A		23m옴 @ 10A, 4.5V	250μA에서 1.5V	17nC @ 4.5V		1610pF @ 10V	게임 레벨 레벨
HUF75623S3ST	-	보상요청	8539	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널		100V	22A(TC)	10V	64m옴 @ 22A, 10V	4V @ 250μA	52nC @ 20V	±20V	25V에서 790pF	-	85W(Tc)
BD681S	0.3000	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3	BD681			40W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																100V	4A									500μA	NPN-달링턴	2.5V @ 30mA, 1.5A	750 @ 1.5A, 3V	-
FGPF70N30TTU	1.2100	보상요청	11	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		기준		49.2W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			-												도랑	300V		160A	1.5V @ 15V, 20A	-	125nC	-
KSC838YBU	0.0300	보상요청	1327	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				250mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	9,744																30V	30mA									100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 1mA, 10mA	120 @ 2mA, 12V	250MHz
FDD6035AL	0.4800	보상요청	207	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1		N채널		30V	12A(Ta), 46A(Tc)	4.5V, 10V	12m옴 @ 12A, 10V	3V @ 250μA	18nC @ 5V	±20V	1230pF @ 15V	-	1.5W(Ta), 56W(Tc)
FDMA530PZ	-	보상요청	5634	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드			MOSFET(금속)		6-MicroFET(2x2)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	418		P채널		30V	6.8A(타)	4.5V, 10V	35m옴 @ 6.8A, 10V	3V @ 250μA	24nC @ 10V	±25V	15V에서 1070pF	-	2.4W(타)
KSC1009YTA	-	보상요청	1818년	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	KSC1009			800mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																140V	700mA									100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 20mA, 200mA	120@50mA, 2V	50MHz
FDS3670	1.6700	보상요청	28	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		100V	6.3A(타)	6V, 10V	32m옴 @ 6.3A, 10V	4V @ 250μA	80nC @ 10V	±20V	50V에서 2490pF	-	2.5W(타)
2SK4085LS-1E	1.3000	보상요청	1	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3FS	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		N채널		500V	11A(티씨)		430m옴 @ 8A, 10V	5V @ 1mA	46.6nC @ 10V	±30V	30V에서 1200pF	-	2W(Ta), 40W(Tc)
MMBFJ202	-	보상요청	7118	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350mW	SOT-23-3	다운로드					EAR99	8541.21.0095	1		N채널									-												40V	20V에서 900μA	800mV @ 10nA
FQPF9N50CT	0.7800	보상요청	604	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널		500V	9A(TC)	10V	800m옴 @ 4.5A, 10V	4V @ 250μA	35nC @ 10V	±30V	25V에서 1030pF	-	44W(Tc)
MJD340TF	-	보상요청	9301	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	MJD34			1.56W	D-박	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1																300V	500mA									100μA	NPN	-	30 @ 50mA, 10V	-
FQP32N20C	-	보상요청	2537	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		200V	28A(TC)	10V	82m옴 @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110nC @ 10V	±30V	2200pF @ 25V	-	156W(Tc)
KSB772OS	0.1000	보상요청	8	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3				1W	TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	250																30V	3A									1μA(ICBO)	PNP	500mV @ 200mA, 2A	100 @ 1A, 2V	80MHz
SFP9640L	0.7200	보상요청	760	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50		P채널		200V	11A(티씨)	5V	500m옴 @ 5.5A, 5V	2V @ 250μA	59nC @ 5V	±20V	25V에서 1585pF	-	98W(Tc)
FDMA291P	1.0000	보상요청	6897	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드			MOSFET(금속)		6-MicroFET(2x2)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		P채널		20V	6.6A(타)	1.8V, 4.5V	42m옴 @ 6.6A, 4.5V	1V @ 250μA	14nC @ 4.5V	±8V	10V에서 1000pF	-	2.4W(타)
FQB6N50TM	0.7200	보상요청	79	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800		N채널		500V	5.5A(Tc)	10V	1.3옴 @ 2.8A, 10V	5V @ 250μA	22nC @ 10V	±30V	25V에서 790pF	-	3.13W(Ta), 130W(Tc)
FJPF3305TU	0.3000	보상요청	34	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				30W	TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50																400V	4A									1μA(ICBO)	NPN	1V @ 1A, 4A	19 @ 1A, 5V	4MHz
NDS9933A	-	보상요청	9116	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	NDS993		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	930	2 P채널(듀얼)			20V	2.8A		140m옴 @ 2.8A, 4.5V	1V @ 250μA	8.5nC @ 4.5V		405pF @ 10V	게임 레벨 레벨
HUF75545S3	0.8500	보상요청	3	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400		N채널		80V	75A(Tc)	10V	10m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	235nC @ 20V	±20V	3750pF @ 25V	-	270W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²