SIC
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트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FDW2601NZ Fairchild Semiconductor FDW2601NZ 0.4000
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW26 MOSFET (금속 (() 1.6W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 26 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 30V 8.2A 15mohm @ 8.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30NC @ 4.5V 1840pf @ 15V 논리 논리 게이트
BC237 Fairchild Semiconductor BC237 0.0500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 350 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 200MHz
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS94 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 25 v - 214W (TJ)
TIP30C Fairchild Semiconductor TIP30C 0.1700
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 페어차일드 페어차일드 TIP30C 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 1 a 300µA PNP 700mv @ 125ma, 1a 40 @ 200ma, 4v 3MHz
FDD6030L Fairchild Semiconductor FDD6030L 0.8900
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 339 n 채널 30 v 12A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 56W (TC)
FDP8030L Fairchild Semiconductor FDP8030L 4.7200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 80A (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 170 nc @ 5 v ± 20V 10500 pf @ 15 v - 187W (TC)
MPSW01 Fairchild Semiconductor MPSW01 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 1,500 30 v 1 a - NPN 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1a, 1v 50MHz
FDS8876 Fairchild Semiconductor FDS8876 0.5000
RFQ
 ECAD 562 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
KSC3123OMTF Fairchild Semiconductor KSC3123OMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,409 20dB ~ 23dB 20V 50ma NPN 90 @ 5MA, 10V 1.4GHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
FQB13N50CTM Fairchild Semiconductor FQB13N50CTM -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 195W (TC)
5HP01M-TL-E-FS Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E-FS 0.1000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
FCPF380N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCP380N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - 2156-FCPF380N60E-F152 1 n 채널 600 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 31W (TC)
FCH190N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F155 3.3400
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET®, SUPERFET® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 66 n 채널 650 v 20.6A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 2MA 78 NC @ 10 v ± 20V 3225 pf @ 100 v - 208W (TC)
FQP20N06TSTU Fairchild Semiconductor FQP20N06TSTU -
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 53W (TC)
HUFA76407D3ST Fairchild Semiconductor hufa76407d3st 0.4600
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
FDS2570 Fairchild Semiconductor FDS2570 -
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 150 v 4A (TA) 6V, 10V 72mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1907 pf @ 75 v - 1W (TA)
KSD471ACGBU Fairchild Semiconductor KSD471ACGBU 0.0200
RFQ
 ECAD 790 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 1v 130MHz
FQP10N20L Fairchild Semiconductor FQP10N20L 1.0000
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 10A (TC) 5V, 10V 360mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 20V 830 pf @ 25 v - 87W (TC)
FQD8N25TF Fairchild Semiconductor FQD8N25TF 0.4600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 6.2A (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 530 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
PN2907ATAR Fairchild Semiconductor PN2907ATAR 1.0000
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 60 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
FGA6065ADF Fairchild Semiconductor fga6065adf -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 306 W. 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 60A, 6ohm, 15V 110 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 120 a 180 a 2.3V @ 15V, 60A 2.46mj (on), 520µJ (OFF) 84 NC 25.6ns/71ns
MJD350TF Fairchild Semiconductor MJD350TF -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.56 w DPAK-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MJD350TF-600039 1 300 v 500 MA 100µA PNP 1V @ 10MA, 100MA 30 @ 50MA, 10V 10MHz
TIP42B Fairchild Semiconductor TIP42B 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
FDMS8350LET40 Fairchild Semiconductor FDMS8350LET40 1.0000
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDMS8350LET40 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 49A (TA), 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 219 NC @ 10 v ± 20V 16590 pf @ 20 v - 3.33W (TA), 125W (TC)
FDB0260N1007L Fairchild Semiconductor FDB0260N1007L -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 200a (TC) 10V 2.6mohm @ 27a, 10V 4V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 20V 8545 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
TIP31ATU Fairchild Semiconductor tip31atu 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 60 v 3 a 300µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
BCP51 Fairchild Semiconductor BCP51 0.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP51 1 W. SOT-223-4 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 45 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
2N5551YTA Fairchild Semiconductor 2N5551YTA -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 160 v 600 MA - NPN 200mv @ 5ma, 50ma 180 @ 10ma, 5V 100MHz
FDC697P Fairchild Semiconductor FDC697P 0.7200
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDC697P-600039 1 p 채널 20 v 8A (TA) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 8V 3524 pf @ 10 v - 2W (TA)
FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDP14AN06LA0 3.0100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 10A (TA), 67A (TC) 5V, 10V 11.6MOHM @ 67A, 10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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