SIC
close

트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FJZ733OTF Fairchild Semiconductor fjz733otf 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-623F 100MW SOT-623F 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 70 @ 1ma, 6V 180MHz
BC860BMTF Fairchild Semiconductor BC860BMTF -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
HUF75842S3ST Fairchild Semiconductor HUF75842S3st 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 230W (TC)
FQI50N06TU Fairchild Semiconductor fqi50n06tu 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 25A, 25A, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 25V 1540 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
PN2222ABU Fairchild Semiconductor PN2222ABU -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 1 a 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
FQPF3N25 Fairchild Semiconductor FQPF3N25 0.4300
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 250 v 2.3A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250µA 5.2 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 27W (TC)
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 200MHz
FDS3670 Fairchild Semiconductor FDS3670 1.6700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 6.3A (TA) 6V, 10V 32mohm @ 6.3a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2490 pf @ 50 v - 2.5W (TA)
FDB5645 Fairchild Semiconductor FDB5645 3.8100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 80A (TA) 6V, 10V 9.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 4468 pf @ 30 v - 125W (TC)
KSE45H8TU Fairchild Semiconductor KSE45H8TU 0.2500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSE45 1.67 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 60 v 10 a 10µA PNP 1V @ 400MA, 8A 60 @ 2a, 1v 40MHz
KSB564AOBU Fairchild Semiconductor KSB564AOBU -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 8,000 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 70 @ 100MA, 1V 110MHz
FDP12N50 Fairchild Semiconductor FDP12N50 0.9800
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 11.5A (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1315 pf @ 25 v - 165W (TC)
J176 Fairchild Semiconductor J176 0.1000
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 - 30 v 2 ma @ 15 v 1 V @ 10 NA 250 옴
J175 Fairchild Semiconductor J175 0.1200
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 2156-J175-FS 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 5.5pf @ 10V (VGS) 30 v 7 ma @ 15 v 3 V @ 10 NA 125 옴
FQPF19N10L Fairchild Semiconductor FQPF19N10L 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 13.6A (TC) 5V, 10V 100mohm @ 6.8a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 870 pf @ 25 v - 38W (TC)
HUFA76429D3ST_QF085 Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST_QF085 -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 HUFA76429 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 300 -
FDS8949-F085 Fairchild Semiconductor FDS8949-F085 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 40V 6A 29mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 5v 955pf @ 20V 논리 논리 게이트
FJY3005R Fairchild Semiconductor fjy3005r 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 fjy300 200 MW SOT-523F 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
FQU4N25TU Fairchild Semiconductor fqu4n25tu 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 250 v 3A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 v ± 30V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
2N4125BU Fairchild Semiconductor 2N4125BU -
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,000 30 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 50 @ 2MA, 1V -
FQD20N06TF Fairchild Semiconductor FQD20N06TF 0.4000
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 525 n 채널 60 v 16.8A (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
KSD363YTU Fairchild Semiconductor KSD363YTU -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 40 W. TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 120 v 6 a 1MA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 120 @ 1a, 5V 10MHz
FJAFS1510ATU Fairchild Semiconductor fjafs1510atu 2.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 ESBC ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 60 W. to-3pf 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FJAFS1510ATU-600039 1 750 v 6 a 100µA NPN 500MV @ 1.5A, 6A 7 @ 3a, 5V 15.4MHz
2N5088TF Fairchild Semiconductor 2N5088TF 1.0000
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,000
FQAF44N08 Fairchild Semiconductor FQAF44N08 0.8300
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 80 v 35.6a (TC) 10V 34mohm @ 17.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1430 pf @ 25 v - 83W (TC)
FDU6N50TU Fairchild Semiconductor fdu6n50tu 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 30V 940 pf @ 25 v - 89W (TC)
BC850AMTF Fairchild Semiconductor BC850AMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
FDMD8280 Fairchild Semiconductor FDMD8280 -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powerwdfn FDMD82 MOSFET (금속 (() 1W 12-power3.3x5 다운로드 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 80V 11a 8.2mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 44NC @ 10V 3050pf @ 40v -
FQP9N25 Fairchild Semiconductor FQP9N25 0.4600
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 250 v 9.4A (TC) 10V 420mohm @ 4.7a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 90W (TC)
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor FDMJ1023PZ 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 FDMJ1023 MOSFET (금속 (() 700MW SC-75,, 펫 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.9A 112mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA 6.5NC @ 4.5V 400pf @ 10V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다