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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
KSC5021RTU	-	보상요청	5843	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	KSC5021			50W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1																500V	5A						10μA(ICBO)	NPN	1V @ 600mA, 3A	15 @ 600mA, 5V	18MHz
TIP106	0.2700	보상요청	8150	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				80W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	890																80V	8A						50μA	PNP-달링턴	2.5V @ 80mA, 8A	1000 @ 3A, 4V	4MHz
KSC838CYTA	0.0200	보상요청	1968년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				250mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	1,252																30V	30mA						100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 1mA, 10mA	120 @ 2mA, 12V	250MHz
HUF75939P3	1.0100	보상요청	35	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400		N채널			200V	22A(TC)	10V	125m옴 @ 22A, 10V	4V @ 250μA	20V에서 152nC	±20V	2200pF @ 25V	-	180W(Tc)
FDD6030L	0.8900	보상요청	637	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	339		N채널			30V	12A(Ta), 50A(Tc)	4.5V, 10V	14.5m옴 @ 12A, 10V	3V @ 250μA	28nC @ 5V	±20V	1230pF @ 15V	-	3.2W(Ta), 56W(Tc)
KST06MTF-FS	-	보상요청	4273	비교차일드	-	대부분	활동적인	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000																80V	500mA						100nA	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	100MHz
FDMC86106LZ	0.4800	보상요청	4443	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	FDMC86		MOSFET(금속)		8-MLP(3.3x3.3)	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	3,000		N채널			100V	3.3A(Ta), 7.5A(Tc)		103m옴 @ 3.3A, 10V	2.2V @ 250μA	6nC @ 10V		50V에서 310pF	-	2.3W(Ta), 19W(Tc)
FQI27N25TU-F085	2.0000	보상요청	640	비교차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	FQI2		MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			250V	25.5A(Tc)	10V	110m옴 @ 12.75A, 10V	5V @ 250μA	65nC @ 10V	±30V	25V에서 1800pF	-	3.13W(Ta), 417W(Tc)
FDS6993	1.0100	보상요청	10	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS69		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)				30V, 12V	4.3A, 6.8A		55m옴 @ 4.3A, 10V	3V @ 250μA	7.7nC @ 5V		530pF @ 15V	게임 레벨 레벨
SFW9520TM	0.3000	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1		P채널			100V	6A(TC)	10V	600m옴 @ 3A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 550pF	-	3.8W(Ta), 49W(Tc)
KSD1616YTA	-	보상요청	9482	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				750mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	3,831																50V	1A						100nA(ICBO)	NPN	300mV @ 50mA, 1A	135 @ 100mA, 2V	160MHz
KSC815YTA	0.0300	보상요청	41	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				400mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1																45V	200mA						100nA(ICBO)	NPN	400mV @ 15mA, 150mA	120 @ 50mA, 1V	200MHz
FGPF50N33BTTU	0.8000	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인		스루홀	TO-220-3 풀팩	FGPF5	기준		43W	TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	0000.00.0000	1			-												도랑	330V	50A	160A	1.5V @ 15V, 20A	-	35nC	-
KSC1009YTA	-	보상요청	1818년	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	KSC1009			800mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1																140V	700mA						100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 20mA, 200mA	120@50mA, 2V	50MHz
FDG315N	0.2600	보상요청	15	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	FDG315		MOSFET(금속)		SC-88 (SC-70-6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000		N채널			30V	2A(타)	4.5V, 10V	120m옴 @ 2A, 10V	3V @ 250μA	4nC @ 5V	±20V	15V에서 220pF	-	750mW(타)
FDMA291P	1.0000	보상요청	6897	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드			MOSFET(금속)		6-MicroFET(2x2)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		P채널			20V	6.6A(타)	1.8V, 4.5V	42m옴 @ 6.6A, 4.5V	1V @ 250μA	14nC @ 4.5V	±8V	10V에서 1000pF	-	2.4W(타)
FDB12N50UTM	0.9000	보상요청	2	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDB12N		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	800													-
FQP16N25C-F105	-	보상요청	4519	비교차일드	*	대부분	활동적인									-					0000.00.0000	250
FDP14AN06LA0	3.0100	보상요청	14	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400		N채널			60V	10A(Ta), 67A(Tc)	5V, 10V	11.6m옴 @ 67A, 10V	3V @ 250μA	31nC @ 5V	±20V	2900pF @ 25V	-	125W(Tc)
SSR2N60B	0.3900	보상요청	4	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			600V	1.8A(Tc)	10V	5옴 @ 900mA, 10V	4V @ 250μA	17nC @ 10V	±30V	490pF @ 25V	-	2.5W(Ta), 44W(Tc)
FDM3300NZ	2.4400	보상요청	86	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	FDM3300		MOSFET(금속)	900mW	파워33	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)				20V	10A		23m옴 @ 10A, 4.5V	250μA에서 1.5V	17nC @ 4.5V		1610pF @ 10V	게임 레벨 레벨
HUFA75329G3	98.2200	보상요청	2	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1		N채널			55V	49A(TC)	10V	24m옴 @ 49A, 10V	4V @ 250μA	75nC @ 20V	±20V	1060pF @ 25V	-	128W(Tc)
KST5551MTF	1.0000	보상요청	4546	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KST55			350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000																160V	600mA						50nA(ICBO)	NPN	200mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	300MHz
FDB3672-F085	1.0000	보상요청	9590	비교차일드	자동차, AEC-Q101, PowerTrench®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널			100V	7.2A(Ta), 44A(Tc)	6V, 10V	28m옴 @ 44A, 10V	4V @ 250μA	31nC @ 10V	±20V	25V에서 1710pF	-	120W(Tc)
HUFA75307D3ST	0.2400	보상요청	6	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			55V	15A(Tc)	10V	90m옴 @ 15A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 20V	±20V	25V에서 250pF	-	45W(Tc)
KSB564AOBU	-	보상요청	6910	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	8,000																25V	1A						100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 100mA, 1A	70 @ 100mA, 1V	110MHz
KSC2756OMTF	0.0200	보상요청	6579	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				150mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	2,632				15dB ~ 23dB												20V	30mA							NPN		90 @ 5mA, 10V	850MHz	6.5dB @ 200MHz
KSH112TM	-	보상요청	3267	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	KSH11			1.75W	D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	0000.00.0000	2,500																100V	2A						20μA	NPN-달링턴	3V @ 40mA, 4A	1000 @ 2A, 3V	25MHz
HUF75542P3	1.7400	보상요청	1	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	173		N채널			80V	75A(Tc)	10V	14m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	180nC @ 20V	±20V	2750pF @ 25V	-	230W(Tc)
FDG313N	-	보상요청	4378	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	FDG313		MOSFET(금속)		SC-88 (SC-70-6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	10,000		N채널			25V	950mA(타)	2.7V, 4.5V	450m옴 @ 500mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	2.3nC @ 4.5V	±8V	10V에서 50pF	-	750mW(타)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²