SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FDH047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDH047AN08A0 1.0000
RFQ
ECAD 9498 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 15A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
FDMD8900 Fairchild Semiconductor FDMD8900 0.9900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powerwdfn FDMD89 MOSFET (금속 (() 2.1W 12-power3.3x5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 30V 19a, 17a 4mohm @ 19a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 2605pf @ 15V -
FJL4315OTU Fairchild Semiconductor fjl4315otu 2.5900
RFQ
ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 150 W. HPM F2 다운로드 귀 99 8542.39.0001 126 250 v 17 a 5µA (ICBO) NPN 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
BSS138L Fairchild Semiconductor BSS138L -
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 50 v 200MA (TA) 2.75V, 5V 3.5ohm @ 200ma, 5V 1.5V @ 1mA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor FDB86102LZ 0.8700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 345 n 채널 100 v 8.3A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1275 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
FDB9409-F085 Fairchild Semiconductor FDB9409-F085 1.0000
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 94W (TJ)
FCH125N60E Fairchild Semiconductor FCH125N60E 1.0000
RFQ
ECAD 7379 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10V 3.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2990 pf @ 380 v - 278W (TC)
FQP6N60C Fairchild Semiconductor FQP6N60C 0.8500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 353 n 채널 600 v 5.5A (TC) 10V 2ohm @ 2.75a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 125W (TC)
FGPF4565 Fairchild Semiconductor fgpf4565 1.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 30 w TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 30A, 5ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 170 a 1.88V @ 15V, 30A - 40.3 NC 11.2ns/40.8ns
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606AS 1.0900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3606 MOSFET (금속 (() 1W 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1695pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDPF5N50UT Fairchild Semiconductor fdpf5n50ut 0.6400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 470 n 채널 500 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 28W (TC)
FDY100PZ Fairchild Semiconductor fdy100pz -
RFQ
ECAD 9774 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 MOSFET (금속 (() SOT-523F 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 350MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 100 pf @ 10 v - 625MW (TA)
FDMB3800N Fairchild Semiconductor FDMB3800N -
RFQ
ECAD 6599 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMB3800 MOSFET (금속 (() 750MW 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 587 2 n 채널 (채널) 30V 4.8a 4.8A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V 논리 논리 게이트
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842P3 -
RFQ
ECAD 1670 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 230W (TC)
FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH077N65F-F085 6.1300
RFQ
ECAD 148 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 49 n 채널 650 v 54A (TC) 10V 77mohm @ 27a, 10V 5V @ 250µA 164 NC @ 10 v ± 20V 7162 pf @ 25 v - 481W (TC)
FDMA6023PZT Fairchild Semiconductor FDMA6023PZT 0.3800
RFQ
ECAD 369 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 FDMA6023 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 792 2 p 채널 (채널) 20V 3.6a 60mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 885pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTD24N06LT4G Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G -
RFQ
ECAD 9924 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD24 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 24A (TA) 5V 45mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 15V 1140 pf @ 25 v - 1.36W (TA), 62.5W (TJ)
FDD6530A Fairchild Semiconductor FDD6530A 1.0000
RFQ
ECAD 9011 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 20 v 21A (TA) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 710 pf @ 10 v - 3.3W (TA), 33W (TC)
FDMS3622S Fairchild Semiconductor FDMS3622S -
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3622 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 17.5A, 34A 5mohm @ 17.5a, 10V 2V @ 250µA 26NC @ 10V 1570pf @ 13v 논리 논리 게이트
FDMS5362LF085 Fairchild Semiconductor FDMS5362LF085 -
RFQ
ECAD 7713 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.29.0095 526 n 채널 60 v 17.6A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 17.6a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 878 pf @ 25 v - 41.7W (TJ)
FDMS3669S Fairchild Semiconductor FDMS3669S 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3669 MOSFET (금속 (() 1W (TA), 2.2W (TC), 1W (TA), 2.5W (TC) 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 352 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13A (TA), 24A (TC), 18A (TA), 60A (TC) 10mohm @ 13a, 10v, 5mohm @ 18a, 10v 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA 24NC @ 10V, 34NC @ 10V 1605pf @ 15v, 2060pf @ 15v 논리 논리 게이트
HUF75321P3 Fairchild Semiconductor HUF75321P3 0.6400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 468 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
PZTA64 Fairchild Semiconductor PZTA64 0.1500
RFQ
ECAD 76 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223-4 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1,994 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor FCH76N60NF 12.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 24 n 채널 600 v 72.8A (TC) 10V 38mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 30V 11045 PF @ 100 v - 543W (TC)
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904TAR -
RFQ
ECAD 2085 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
RFQ
ECAD 1960 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 - 35 v 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 µA 50 옴
FDPC1002S Fairchild Semiconductor FDPC1002S 0.3900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn FDPC1 MOSFET (금속 (() 1.6W (TA), 2W (TA) 파워 파워 -33 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 25V 13A (TA), 20A (TC), 27A (TA), 60A (TC) 6mohm @ 13a, 10v, 1.8mohm @ 27a, 10v 2.2v @ 250µa, 2.2v @ 1ma 19NC @ 10V, 64NC @ 10V 1240pf @ 13v, 4335pf @ 13v -
FDD6688 Fairchild Semiconductor FDD6688 1.1100
RFQ
ECAD 149 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 83W (TA)
FDN352AP Fairchild Semiconductor FDN352AP 1.0000
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN352 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 1.3A (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.3a, 10V 2.5V @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 v ± 25V 150 pf @ 15 v - 500MW (TA)
FDMS8023S Fairchild Semiconductor FDMS8023S 0.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 483 n 채널 30 v 26A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 26a, 10V 3V @ 1mA 57 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 59W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고