| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQB15P12TM | - | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 120V | 15A(Tc) | 10V | 200m옴 @ 7.5A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1100pF | - | 3.75W(Ta), 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR130ATF | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-IRLR130ATF-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2883YTF | 0.1200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 1W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 30V | 1.5A | 100nA(ICBO) | NPN | 2V @ 30mA, 1.5A | 160 @ 500mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSP4N90A | - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 900V | 4A(TC) | 10V | 5옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 3.5V | 46nC @ 10V | ±30V | 25V에서 950pF | - | 120W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75309P3 | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 19A(TC) | 10V | 70m옴 @ 19A, 10V | 4V @ 250μA | 24nC @ 20V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 55W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQI10N60CTU | 0.8300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 9.5A(Tc) | 10V | 730m옴 @ 4.75A, 10V | 4V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±30V | 2040pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSH210TM | 0.3600 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | KSH21 | 1.4W | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,500 | 25V | 5A | 100nA(ICBO) | PNP | 1.8V @ 1A, 5A | 45 @ 2A, 1V | 65MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFU9034TU | 0.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 60V | 14A(TC) | 10V | 140m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1155pF | - | 2.5W(Ta), 49W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | KSC5402DTTU | 0.4700 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 50W | TO-220-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-KSC5402DTTU-600039 | 1 | 450V | 2A | 100μA | NPN | 750mV @ 200mA, 1A | 6 @ 1A, 1V | 11MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13007H1TU | - | ![]() | 6327 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 80W | TO-220-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FJP13007H1TU-600039 | 1 | 400V | 8A | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 15 @ 2A, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222ATA | 1.0000 | ![]() | 6789 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 40V | 1A | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSR2N60BTF | 0.1900 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 1.8A(Tc) | 10V | 5옴 @ 900mA, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 490pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 44W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N308AP3 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 8옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 68nC @ 10V | ±20V | 2600pF @ 15V | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | SFP9530 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | P채널 | 100V | 10.5A(Tc) | 300m옴 @ 5.3A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±30V | 1035pF @ 25V | - | 66W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQU4N25TU | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N채널 | 250V | 3A(TC) | 10V | 1.75옴 @ 1.5A, 10V | 5V @ 250μA | 5.6nC @ 10V | ±30V | 200pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 37W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N60B3-FS | 3.5900 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 165W | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 600V | 40A | 160A | 2V @ 15V, 20A | - | 135nC | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDP5645 | - | ![]() | 317 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 80A(타) | 6V, 10V | 9.5m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±20V | 30V에서 4468pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDI047AN08A0 | 2.4900 | ![]() | 787 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 75V | 80A(Tc) | 6V, 10V | 4.7m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 138nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6600pF | - | 310W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF10N60ZUT | 1.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 246 | N채널 | 600V | 9A(TC) | 10V | 800m옴 @ 4.5A, 10V | 5V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±30V | 1980pF @ 25V | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSB772YS | 0.2200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,391 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8020 | 1.0000 | ![]() | 6840 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 26A(Ta), 42A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.5m옴 @ 26A, 10V | 3V @ 250μA | 61nC @ 10V | ±20V | 3800pF @ 15V | - | 2.5W(Ta), 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8027S | 0.8700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 비교차일드 | PowerTrench®, SyncFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 347 | N채널 | 30V | 18A(타), 22A(Tc) | 4.5V, 10V | 5m옴 @ 18A, 10V | 3V @ 1mA | 31nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1815pF | - | 2.5W(Ta), 36W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR110ATM | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 4.7A(타) | 10V | 400m옴 @ 2.35A, 10V | 4V @ 250μA | 12nC @ 10V | ±20V | 25V에서 240pF | - | 2.5W(Ta), 20W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | BC548C | 0.0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 30V | 100mA | 15nA | NPN | 500μA, 10mA에서 250mV | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557B | 0.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,770 | 45V | 100mA | 100nA | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 180 @ 2mA, 5V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC850AMTF | 0.0200 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC850 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQI17N08LTU | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 16.5A(Tc) | 5V, 10V | 100m옴 @ 8.25A, 10V | 2V @ 250μA | 11.5nC @ 5V | ±20V | 25V에서 520pF | - | 3.75W(Ta), 65W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQA13N50CF | 1.0000 | ![]() | 8834 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET(금속) | TO-3PN | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 500V | 15A(Tc) | 10V | 480m옴 @ 7.5A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±30V | 2055pF @ 25V | - | 218W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N60SFDTU-F085 | - | ![]() | 4352 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 165W | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 20A, 10옴, 15V | 40ns | 필드스톱 | 600V | 40A | 60A | 2.8V @ 15V, 20A | 430μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) | 66nC | 13ns/90ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQB3P20TM | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 200V | 2.8A(Tc) | 10V | 2.7옴 @ 1.4A, 10V | 5V @ 250μA | 8nC @ 10V | ±30V | 25V에서 250pF | - | 3.13W(Ta), 52W(Tc) |

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