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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FQB15P12TM Fairchild Semiconductor FQB15P12TM -
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ECAD 4778 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 P채널 120V 15A(Tc) 10V 200m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 250μA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1100pF - 3.75W(Ta), 100W(Tc)
IRLR130ATF Fairchild Semiconductor IRLR130ATF 0.6200
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-IRLR130ATF-600039 1
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor KSC2883YTF 0.1200
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ECAD 110 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 4,000 30V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5A 160 @ 500mA, 2V 120MHz
SSP4N90A Fairchild Semiconductor SSP4N90A -
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ECAD 2494 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 900V 4A(TC) 10V 5옴 @ 2A, 10V 250μA에서 3.5V 46nC @ 10V ±30V 25V에서 950pF - 120W(Tc)
HUF75309P3 Fairchild Semiconductor HUF75309P3 0.4100
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ECAD 10 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 19A(TC) 10V 70m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 24nC @ 20V ±20V 25V에서 350pF - 55W(Tc)
FQI10N60CTU Fairchild Semiconductor FQI10N60CTU 0.8300
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ECAD 55 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 9.5A(Tc) 10V 730m옴 @ 4.75A, 10V 4V @ 250μA 57nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 3.13W(Ta), 156W(Tc)
KSH210TM Fairchild Semiconductor KSH210TM 0.3600
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ECAD 95 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 KSH21 1.4W D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 2,500 25V 5A 100nA(ICBO) PNP 1.8V @ 1A, 5A 45 @ 2A, 1V 65MHz
SFU9034TU Fairchild Semiconductor SFU9034TU 0.2600
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ECAD 4 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 14A(TC) 10V 140m옴 @ 7A, 10V 4V @ 250μA 38nC @ 10V ±25V 25V에서 1155pF - 2.5W(Ta), 49W(Tc)
KSC5402DTTU Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU 0.4700
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ECAD 136 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220-3 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-KSC5402DTTU-600039 1 450V 2A 100μA NPN 750mV @ 200mA, 1A 6 @ 1A, 1V 11MHz
FJP13007H1TU Fairchild Semiconductor FJP13007H1TU -
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ECAD 6327 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220-3 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FJP13007H1TU-600039 1 400V 8A - NPN 3V @ 2A, 8A 15 @ 2A, 5V 4MHz
PN2222ATA Fairchild Semiconductor PN2222ATA 1.0000
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ECAD 6789 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 - 0000.00.0000 1 40V 1A 10nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
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ECAD 196 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 1.8A(Tc) 10V 5옴 @ 900mA, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 2.5W(Ta), 44W(Tc)
ISL9N308AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N308AP3 0.8100
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 UltraFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 68nC @ 10V ±20V 2600pF @ 15V - 100W(Tc)
SFP9530 Fairchild Semiconductor SFP9530 -
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ECAD 5001 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 P채널 100V 10.5A(Tc) 300m옴 @ 5.3A, 10V 4V @ 250μA 38nC @ 10V ±30V 1035pF @ 25V - 66W(Tc)
FQU4N25TU Fairchild Semiconductor FQU4N25TU 0.4600
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 70 N채널 250V 3A(TC) 10V 1.75옴 @ 1.5A, 10V 5V @ 250μA 5.6nC @ 10V ±30V 200pF @ 25V - 2.5W(Ta), 37W(Tc)
HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3-FS 3.5900
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ECAD 42 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 165W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 - - 600V 40A 160A 2V @ 15V, 20A - 135nC -
FDP5645 Fairchild Semiconductor FDP5645 -
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ECAD 317 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 80A(타) 6V, 10V 9.5m옴 @ 40A, 10V 4V @ 250μA 107nC @ 10V ±20V 30V에서 4468pF - 125W(Tc)
FDI047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDI047AN08A0 2.4900
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ECAD 787 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 75V 80A(Tc) 6V, 10V 4.7m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 138nC @ 10V ±20V 25V에서 6600pF - 310W(Tc)
FDPF10N60ZUT Fairchild Semiconductor FDPF10N60ZUT 1.2200
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ECAD 1 0.00000000 비교차일드 UniFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 246 N채널 600V 9A(TC) 10V 800m옴 @ 4.5A, 10V 5V @ 250μA 40nC @ 10V ±30V 1980pF @ 25V - 42W(Tc)
KSB772YS Fairchild Semiconductor KSB772YS 0.2200
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ECAD 43 0.00000000 비교차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1,391
FDMS8020 Fairchild Semiconductor FDMS8020 1.0000
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ECAD 6840 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 30V 26A(Ta), 42A(Tc) 4.5V, 10V 2.5m옴 @ 26A, 10V 3V @ 250μA 61nC @ 10V ±20V 3800pF @ 15V - 2.5W(Ta), 65W(Tc)
FDMS8027S Fairchild Semiconductor FDMS8027S 0.8700
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ECAD 18 0.00000000 비교차일드 PowerTrench®, SyncFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 347 N채널 30V 18A(타), 22A(Tc) 4.5V, 10V 5m옴 @ 18A, 10V 3V @ 1mA 31nC @ 10V ±20V 15V에서 1815pF - 2.5W(Ta), 36W(Tc)
IRFR110ATM Fairchild Semiconductor IRFR110ATM 0.2500
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ECAD 5 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 4.7A(타) 10V 400m옴 @ 2.35A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 240pF - 2.5W(Ta), 20W(Tc)
BC548C Fairchild Semiconductor BC548C 0.0400
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ECAD 18 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 5,000 30V 100mA 15nA NPN 500μA, 10mA에서 250mV 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC557B Fairchild Semiconductor BC557B 0.0500
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ECAD 7 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 5,770 45V 100mA 100nA PNP 650mV @ 5mA, 100mA 180 @ 2mA, 5V 320MHz
BC850AMTF Fairchild Semiconductor BC850AMTF 0.0200
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ECAD 121 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 310mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor FQI17N08LTU 0.3700
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ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 16.5A(Tc) 5V, 10V 100m옴 @ 8.25A, 10V 2V @ 250μA 11.5nC @ 5V ±20V 25V에서 520pF - 3.75W(Ta), 65W(Tc)
FQA13N50CF Fairchild Semiconductor FQA13N50CF 1.0000
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ECAD 8834 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3PN 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 500V 15A(Tc) 10V 480m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 250μA 56nC @ 10V ±30V 2055pF @ 25V - 218W(Tc)
FGH20N60SFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-F085 -
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ECAD 4352 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 165W TO-247 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 10옴, 15V 40ns 필드스톱 600V 40A 60A 2.8V @ 15V, 20A 430μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) 66nC 13ns/90ns
FQB3P20TM Fairchild Semiconductor FQB3P20TM 0.4100
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ECAD 3 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 P채널 200V 2.8A(Tc) 10V 2.7옴 @ 1.4A, 10V 5V @ 250μA 8nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 3.13W(Ta), 52W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고