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트랜지스터(3821)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FDD6692	0.5500	보상요청	66	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		30V	54A(타)	4.5V, 10V	12m옴 @ 14A, 10V	3V @ 250μA	25nC @ 5V	±16V	15V에서 2164pF	-	1.6W(타)
FJV992PMTF	-	보상요청	5408	비교차일드	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000															120V	50mA						-	PNP	300mV @ 1mA, 10mA	200@1mA, 6V	50MHz
FCI11N60	1.2100	보상요청	64	비교차일드	SuperFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50		N채널		600V	11A(티씨)	10V	380m옴 @ 5.5A, 10V	5V @ 250μA	52nC @ 10V	±30V	25V에서 1490pF	-	125W(Tc)
FCH085N80-F155	-	보상요청	7391	비교차일드	SuperFET® II	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			MOSFET(금속)		TO-247-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널		800V	46A(Tc)	10V	85m옴 @ 23A, 10V	4.5V @ 4.6mA	255nC @ 10V	±20V	100V에서 10825pF	-	446W(Tc)
FGH40N60UFTU	-	보상요청	1849년	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		290W	TO-247	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1			400V, 40A, 10옴, 15V											필드스톱	600V	80A	120A	2.4V @ 15V, 40A	1.19mJ(켜짐), 460μJ(꺼짐)	120nC	24ns/112ns
FDP15N50F102	-	보상요청	4852	비교차일드	*	대부분	활동적인				FDP15N		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	106												-
BS170-D26Z	0.1000	보상요청	172	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			MOSFET(금속)		TO-92-3	다운로드				EAR99	8541.21.0095	3,406		N채널		60V	500mA(타)	10V	5옴 @ 200mA, 10V	3V @ 1mA		±20V	10V에서 40pF	-	830mW(타)
HP4936DY	0.4600	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	HP4936		MOSFET(금속)	2W(타)	8-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	1	2 N채널(듀얼)			30V	5.8A(타)		37m옴 @ 5.8A, 10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V		625pF @ 25V	게임 레벨 레벨
FDD2570	1.4600	보상요청	84	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널		150V	4.7A(타)	6V, 10V	80m옴 @ 4.7A, 10V	4V @ 250μA	62nC @ 10V	±20V	75V에서 1907pF	-	3.2W(Ta), 70W(Tc)
FDP8440	2.3200	보상요청	18	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1		N채널		40V	100A(Tc)	4.5V, 10V	2.2m옴 @ 80A, 10V	3V @ 250μA	450nC @ 10V	±20V	24740pF @ 25V	-	306W(Tc)
FDT3612	-	보상요청	5936	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)		SOT-223-4	-					0000.00.0000	1		N채널		100V	3.7A(타)	6V, 10V	120mΩ @ 3.7A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±20V	50V에서 632pF	-	3W(타)
FQP4N90	1.5900	보상요청	2	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	189		N채널		900V	4.2A(Tc)	10V	3.3옴 @ 2.1A, 10V	5V @ 250μA	30nC @ 10V	±30V	25V에서 1100pF	-	140W(Tc)
FDD3706	0.6000	보상요청	1	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					0000.00.0000	500		N채널		20V	14.7A(Ta), 50A(Tc)	2.5V, 10V	9m옴 @ 16.2A, 10V	250μA에서 1.5V	23nC @ 4.5V	±12V	10V에서 1882pF	-	3.8W(Ta), 44W(Tc)
FQPF3N25	0.4300	보상요청	204	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널		250V	2.3A(Tc)	10V	2.2옴 @ 1.15A, 10V	5V @ 250μA	5.2nC @ 10V	±30V	25V에서 170pF	-	27W(Tc)
IRFS610BFP001	-	보상요청	4251	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1		N채널		200V	3.3A(티제이)	10V	1.5옴 @ 1.65A, 10V	4V @ 250μA	9.3nC @ 10V	±30V	25V에서 225pF	-	22W(Tc)
KST56MTF	0.0200	보상요청	86	비교차일드	-	대부분	활동적인	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	3,000															80V	500mA						100nA	PNP	250mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	50MHz
FQPF32N12V2	1.4400	보상요청	83	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널		120V	32A(Tc)	10V	50m옴 @ 16A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±30V	1860pF @ 25V	-	50W(Tc)
FDU2572	1.0000	보상요청	8	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	1,800		N채널		150V	4A(Ta), 29A(Tc)	6V, 10V	54m옴 @ 9A, 10V	4V @ 250μA	34nC @ 10V	±20V	1770pF @ 25V	-	135W(Tc)
FDB024N06	-	보상요청	8933	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D²PAK(TO-263)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		N채널		60V	120A(Tc)	10V	2.4m옴 @ 75A, 10V	250μA에서 4.5V	226nC @ 10V	±20V	25V에서 14885pF	-	395W(Tc)
KSC2310YBU	0.0500	보상요청	118	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리				800mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	500															150V	50mA						100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 1mA, 10mA	120 @ 10mA, 5V	100MHz
FQU8N25TU	0.6400	보상요청	5	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	70		N채널		250V	6.2A(Tc)	10V	550m옴 @ 3.1A, 10V	5V @ 250μA	15nC @ 10V	±30V	25V에서 530pF	-	2.5W(Ta), 50W(Tc)
BC307CBU	0.0200	보상요청	1289	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	629															45V	100mA						15nA	PNP	500mV @ 5mA, 100mA	380 @ 2mA, 5V	130MHz
FQU1N60TU	0.5500	보상요청	607	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA			MOSFET(금속)		아이팩	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	607		N채널		600V	1A(Tc)	10V	11.5옴 @ 500mA, 10V	5V @ 250μA	6nC @ 10V	±30V	25V에서 150pF	-	2.5W(Ta), 30W(Tc)
FDMS3600S	-	보상요청	6104	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	FDMS3600		MOSFET(금속)	2.2W(타), 2.5W(타)	8-PQFN(5x6)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1	2 N채널(이중) 배열			25V	15A(Ta), 30A(Tc), 30A(Ta), 40A(Tc)		5.6m옴 @ 15A, 10V, 1.6m옴 @ 30A, 10V	2.7V @ 250μA, 3V @ 1mA	27nC @ 10V, 82nC @ 10V		13V에서 1680pF, 13V에서 5375pF	-
FDD8880_F054	0.4200	보상요청	501	비교차일드	*	대부분	활동적인									-	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1
SFR2955TF	0.2500	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	2,000		P채널		60V	7.6A(Tc)	10V	300m옴 @ 3.8A, 10V	4V @ 250μA	19nC @ 10V	±20V	25V에서 600pF	-	2.5W(Ta), 32W(Tc)
FDW258P	1.3600	보상요청	92	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)			MOSFET(금속)		8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,500		P채널		12V	9A(타)	1.8V, 4.5V	11m옴 @ 9A, 4.5V	250μA에서 1.5V	73nC @ 4.5V	±8V	5049pF @ 5V	-	1.3W(타)
FQA35N40	4.4800	보상요청	197	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	450		N채널		400V	35A(Tc)	10V	105m옴 @ 17.5A, 10V	5V @ 250μA	140nC @ 10V	±30V	5600pF @ 25V	-	310W(Tc)
HUF76429D3ST	0.5300	보상요청	2959	비교차일드	UltraFET™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	404		N채널		60V	20A(TC)	4.5V, 10V	23m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	46nC @ 10V	±16V	25V에서 1480pF	-	110W(Tc)
SGR15N40LTM	0.8000	보상요청	765	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	SGR15	기준		45W	TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,500			-											도랑	400V		130A	8V @ 4.5V, 130A	-		-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(3821)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²