| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SGR15N40LTM | 0.8000 | ![]() | 765 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | SGR15 | 기준 | 45W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | - | 도랑 | 400V | 130A | 8V @ 4.5V, 130A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545S3S | 1.0000 | ![]() | 8349 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 75A(Tc) | 10V | 10m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 235nC @ 20V | ±20V | 3750pF @ 25V | - | 270W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF7N60LSDTU | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | 45W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 7A, 470옴, 15V | 65ns | - | 600V | 14A | 21A | 2V @ 15V, 7A | 270μJ(켜짐), 3.8mJ(꺼짐) | 24nC | 120ns/410ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF70N30TTU | 1.2100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | 49.2W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 도랑 | 300V | 160A | 1.5V @ 15V, 20A | - | 125nC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76407D3ST | - | ![]() | 2034년 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 60V | 12A(TC) | 4.5V, 10V | 92m옴 @ 13A, 10V | 3V @ 250μA | 11.3nC @ 10V | ±16V | 25V에서 350pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4003R | 0.0200 | ![]() | 7822 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200mW | SOT-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 56 @ 5mA, 5V | 250MHz | 22kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGD2N40L | 0.2600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 논리 | 29W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V, 2.5A, 51옴, 4V | - | 400V | 7A | 29A | 1.6V @ 2.4V, 2.5A | - | 11nC | 47ns/650ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ2552P | 1.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET(금속) | 2.1W(타) | 18-BGA(2.5x4) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P채널(이중) 시작 | 20V | 5.5A(타) | 45m옴 @ 5.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 13nC @ 4.5V | 884pF @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP50N06 | - | ![]() | 6246 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-RFP50N06-600039 | 1 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 10V | 22m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 150nC @ 20V | ±20V | 2020pF @ 25V | - | 131W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8350LET40 | 1.0000 | ![]() | 8612 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FDMS8350LET40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 40V | 49A(Ta), 300A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.85m옴 @ 47A, 10V | 3V @ 250μA | 219nC @ 10V | ±20V | 20V에서 16590pF | - | 3.33W(Ta), 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8550BBU | 0.0300 | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,493 | 25V | 1.5A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 80mA, 800mA | 85 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST2222AMTF | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N25C | - | ![]() | 5673 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 250V | 8.8A(Tc) | 10V | 430m옴 @ 4.4A, 10V | 4V @ 250μA | 35nC @ 10V | ±30V | 25V에서 710pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4085LS-1E | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3FS | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 11A(티씨) | 430m옴 @ 8A, 10V | 5V @ 1mA | 46.6nC @ 10V | ±30V | 30V에서 1200pF | - | 2W(Ta), 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB40N60SM | - | ![]() | 2594 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 349W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40A, 6옴, 15V | 필드스톱 | 600V | 80A | 120A | 2.3V @ 15V, 40A | 870μJ(켜짐), 260μJ(꺼짐) | 119nC | 12ns/92ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BBU | - | ![]() | 2021 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1mA, 5V | 270MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008COTA | 0.0200 | ![]() | 5300 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 800mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60V | 700mA | 100nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 50mA, 500mA | 70 @ 50mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI47P06TU | 1.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 60V | 47A (Tc) | 10V | 26m옴 @ 23.5A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±25V | 3600pF @ 25V | - | 3.75W(Ta), 160W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N80 | 1.0000 | ![]() | 9416 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 4.8A(Tc) | 10V | 2.6옴 @ 2.4A, 10V | 5V @ 250μA | 33nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1250pF | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMM7G20US60I | 28.1700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | 기준기준 | 89W | 삼상 다리 정류기 | - | 다운로드 | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FMM7G20US60I | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 브레이크가 있는 3상인터 | - | 600V | 20A | 2.7V @ 15V, 20A | 250μA | 예 | 30V에서 1.277nF | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTH10-FS | - | ![]() | 3518 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | - | 25V | - | NPN | 60 @ 4mA, 10V | 650MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2NA90 | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 900V | 2.8A(Tc) | 10V | 5.8옴 @ 1.4A, 10V | 5V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 680pF @ 25V | - | 107W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5338DTU | - | ![]() | 8971 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 75W | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 450V | 5A | 100μA | NPN | 500mV @ 200mA, 1A | 6 @ 2A, 1V | 11MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF644B-FP001 | 1.8400 | ![]() | 980 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-IRF644B-FP001-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 250V | 14A(TC) | 10V | 280m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1600pF | - | 139W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4501H | 0.7200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS4501 | MOSFET(금속) | 1W | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N 및 P 채널 | 30V, 20V | 9.3A, 5.6A | 18m옴 @ 9.3A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 4.5V | 1958pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD117TF-FS | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.75W | D-박 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 100V | 2A | 20μA | PNP-달링턴 | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDY1002PZ | - | ![]() | 1950년 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | FDY1002 | MOSFET(금속) | 446mW | SOT-563F | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 830mA | 500m옴 @ 830mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 3.1nC @ 4.5V | 135pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS630A | 0.4400 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 200V | 6.5A(Tc) | 10V | 400m옴 @ 3.25A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±30V | 25V에서 650pF | - | 38W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFW9510TM | 0.3400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 100V | 3.6A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 1.8A, 10V | 4V @ 250μA | 10nC @ 10V | ±30V | 335pF @ 25V | - | 3.8W(Ta), 32W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858AMTF | 0.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz |

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