SIC
close

트랜지스터 (3821)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
TN6705A Fairchild Semiconductor TN6705A 0.1200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. TO-226-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,500 45 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 40 @ 250ma, 2v -
KSD1273QYDTU Fairchild Semiconductor KSD1273QYDTU 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 2 w TO-220F-3 (Y- 형성) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 50 60 v 3 a 100µA NPN 1V @ 50MA, 2A 500 @ 500ma, 4V 30MHz
NDT3055 Fairchild Semiconductor NDT3055 -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 4A (TA) 10V 100mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 30 v - 1.1W (TA)
2SK4085LS-1E Fairchild Semiconductor 2SK4085LS-1E 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3FS 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 11A (TC) 430mohm @ 8a, 10V 5V @ 1MA 46.6 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 30 v - 2W (TA), 40W (TC)
PN4093 Fairchild Semiconductor PN4093 0.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 16pf @ 20V 40 v 8 ma @ 20 v 1 v @ 1 na 80 옴
FQD2N50TF Fairchild Semiconductor FQD2N50TF 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 1.6A (TC) 10V 5.3ohm @ 800ma, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
FDZ299P Fairchild Semiconductor FDZ299P 0.3200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-WFBGA MOSFET (금속 (() 9-BGA (2x2.1) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 4.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 12V 742 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
BC640TF Fairchild Semiconductor BC640TF 0.0200
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
FDS6993 Fairchild Semiconductor FDS6993 1.0100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V, 12V 4.3A, 6.8A 55mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 7.7NC @ 5V 530pf @ 15V 논리 논리 게이트
KST06MTF-FS Fairchild Semiconductor KST06MTF-FS -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 80 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 100MHz
FDT86106LZ Fairchild Semiconductor FDT86106LZ -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-4 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDT86106LZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 108mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 315 pf @ 50 v - 1W (TA)
FDD6680A Fairchild Semiconductor FDD6680A 1.5300
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA), 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V 1425 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 60W (TC)
FDFMA3P029Z Fairchild Semiconductor FDFMA3P029Z 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6MLP (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 30 v 3.3A (TA) 87mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v 435 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
MMBT200 Fairchild Semiconductor MMBT200 -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MMBT200-600039 1 45 v 500 MA 50NA PNP 400mv @ 20ma, 200ma 100 @ 150ma, 5V 250MHz
FDP8442-F085 Fairchild Semiconductor FDP8442-F085 1.2700
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDP8442-F085-600039 1 n 채널 40 v 23A (TA), 80A (TC) 10V 3.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 v ± 20V 12200 pf @ 25 v - 254W (TC)
BC638BU Fairchild Semiconductor BC638BU 1.0000
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
FDB8453LZ Fairchild Semiconductor FDB8453LZ 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 16.1A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 17.6a, 10V 3V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3545 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 66W (TC)
FCH077N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH077N65F-F155 6.0400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET®, SUPERFET® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 66 n 채널 650 v 54A (TC) 10V 77mohm @ 27a, 10V 5V @ 5.4ma 164 NC @ 10 v ± 20V 7109 pf @ 100 v - 481W (TC)
KSH210TM Fairchild Semiconductor KSH210TM 0.3600
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 KSH21 1.4 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,500 25 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2A, 1V 65MHz
2N4400TA Fairchild Semiconductor 2N4400TA 0.0200
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 10,000 40 v 600 MA - NPN 750mv @ 50ma, 500ma 50 @ 150ma, 1V -
FDW2511NZ Fairchild Semiconductor FDW2511NZ 0.3600
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 1.6W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 7.1A 20mohm @ 7.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17.3NC @ 4.5V 1000pf @ 10V 논리 논리 게이트
KSC2001GTA Fairchild Semiconductor KSC2001GTA 0.0200
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 600MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,934 25 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 70ma, 700ma 200 @ 100ma, 1v 170MHz
FQB7N80TM Fairchild Semiconductor FQB7N80TM -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 188 n 채널 800 v 6.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 3.3a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 167W (TC)
FDMA910PZ Fairchild Semiconductor FDMA910PZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 9.4A (TA) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 9.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 8V 2805 pf @ 10 v - 2.4W (TA)
KSC1187YBU Fairchild Semiconductor KSC1187YBU 1.0000
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN - 120 @ 2MA, 10V 700MHz
FQP4N25 Fairchild Semiconductor FQP4N25 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 3.6A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 v ± 30V 200 pf @ 25 v - 52W (TC)
PN2907BU Fairchild Semiconductor PN2907BU 0.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2907 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 9,078 40 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
FDS9431A Fairchild Semiconductor FDS9431A -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FCPF11N65 Fairchild Semiconductor fcpf11n65 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet ™ 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF11 MOSFET (금속 (() TO-220F - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 650 v 11A (TC) 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v 1490 pf @ 25 v - 36W (TC)
HUFA76407D3 Fairchild Semiconductor HUFA76407D3 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다