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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | SI3445DV | 0.1200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 5.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1926 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW31 | 0.0200 | ![]() | 6326 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 681 | 32 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 500µa, 10ma | 110 @ 2MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | J111 | 1.0000 | ![]() | 9687 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | - | 35 v | 20 ma @ 15 v | 3 V @ 1 µA | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF6N90 | 1.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 900 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.9ohm @ 2.3a, 10V | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1880 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | hufa75339p3 | 1.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDP10AN06A0 | 1.3100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 60 v | 12A (TA), 75A (TC) | 6V, 10V | 10.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 1840 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fgpf70n30ttu | 1.2100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 49.2 w | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 도랑 | 300 v | 160 a | 1.5V @ 15V, 20A | - | 125 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD681S | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD681 | 40 W. | TO-126-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 4 a | 500µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 30MA, 1.5A | 750 @ 1.5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3992 | - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS39 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 4.5A | 62MOHM @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 15NC @ 10V | 750pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB14AN06LA0 | 1.0000 | ![]() | 7597 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 10A (TA), 67A (TC) | 5V, 10V | 11.6MOHM @ 67A, 10V | 3V @ 250µA | 31 NC @ 5 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9945 | - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS99 | MOSFET (금속 (() | 1W (TA) | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 3.5A (TA) | 100mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250µA | 13NC @ 5V | 420pf @ 30V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF2N70 | 0.6300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 700 v | 2A (TC) | 10V | 6.3ohm @ 1a, 10V | 5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB27N25TM | 1.3000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB27 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 25.5A (TC) | 10V | 131mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 417W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD850N10LD | - | ![]() | 7269 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD | MOSFET (금속 (() | TO-252-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 15.3A (TC) | 75mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1465 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD117TF-FS | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 1.75 w | D-PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 2 a | 20µA | pnp- 달링턴 | 3V @ 40MA, 4A | 1000 @ 2a, 3v | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN336P | 0.1400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,156 | p 채널 | 20 v | 1.3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 330 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | huf76013d3st | 0.2800 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 20A (TC) | 5V, 10V | 22MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 624 pf @ 20 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFW2955TM | 0.4000 | ![]() | 5792 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 540 | p 채널 | 60 v | 9.4A (TC) | 10V | 300mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 49W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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