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트랜지스터(3821)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
USB10H Fairchild Semiconductor USB10H 1.0000
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 ECAD 1200 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 USB10 MOSFET(금속) 700mW SuperSOT™-6 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 1.9A 170m옴 @ 1.9A, 4.5V 250μA에서 1.5V 4.2nC @ 4.5V 441pF @ 10V 게임 레벨 레벨
FDBL0150N60 Fairchild Semiconductor FDBL0150N60 4.4900
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerSFN MOSFET(금속) 8-HPSOF 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FDBL0150N60 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 240A(Tc) 10V 1.5m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 169nC @ 10V ±20V 30V에서 10300pF - 357W(티제)
FCI11N60 Fairchild Semiconductor FCI11N60 1.2100
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 ECAD 64 0.00000000 비교차일드 SuperFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11A(티씨) 10V 380m옴 @ 5.5A, 10V 5V @ 250μA 52nC @ 10V ±30V 25V에서 1490pF - 125W(Tc)
FJV992PMTF Fairchild Semiconductor FJV992PMTF -
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 ECAD 5408 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 120V 50mA - PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200@1mA, 6V 50MHz
FDU2572 Fairchild Semiconductor FDU2572 1.0000
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 ECAD 8 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 150V 4A(Ta), 29A(Tc) 6V, 10V 54m옴 @ 9A, 10V 4V @ 250μA 34nC @ 10V ±20V 1770pF @ 25V - 135W(Tc)
FDB024N06 Fairchild Semiconductor FDB024N06 -
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 ECAD 8933 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 60V 120A(Tc) 10V 2.4m옴 @ 75A, 10V 250μA에서 4.5V 226nC @ 10V ±20V 25V에서 14885pF - 395W(Tc)
KSH47TF Fairchild Semiconductor KSH47TF 1.0000
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 ECAD 5767 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 KSH47 1.56W D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 2,000 250V 1A 200μA NPN 1V @ 200mA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
FDW258P Fairchild Semiconductor FDW258P 1.3600
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 ECAD 92 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) MOSFET(금속) 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 12V 9A(타) 1.8V, 4.5V 11m옴 @ 9A, 4.5V 250μA에서 1.5V 73nC @ 4.5V ±8V 5049pF @ 5V - 1.3W(타)
HUF76429D3ST Fairchild Semiconductor HUF76429D3ST 0.5300
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 ECAD 2959 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 404 N채널 60V 20A(TC) 4.5V, 10V 23m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 46nC @ 10V ±16V 25V에서 1480pF - 110W(Tc)
SFR2955TF Fairchild Semiconductor SFR2955TF 0.2500
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252-3(DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 7.6A(Tc) 10V 300m옴 @ 3.8A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 2.5W(Ta), 32W(Tc)
FQA35N40 Fairchild Semiconductor FQA35N40 4.4800
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 ECAD 197 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3P 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 450 N채널 400V 35A(Tc) 10V 105m옴 @ 17.5A, 10V 5V @ 250μA 140nC @ 10V ±30V 5600pF @ 25V - 310W(Tc)
KST56MTF Fairchild Semiconductor KST56MTF 0.0200
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 ECAD 86 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 80V 500mA 100nA PNP 250mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 1V 50MHz
FDW2601NZ Fairchild Semiconductor FDW2601NZ 0.4000
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 ECAD 3463 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) FDW26 MOSFET(금속) 1.6W 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 26 2 N채널(이중) 시작 30V 8.2A 15m옴 @ 8.2A, 4.5V 250μA에서 1.5V 30nC @ 4.5V 1840pF @ 15V 게임 레벨 레벨
BC32716 Fairchild Semiconductor BC32716 0.0500
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 ECAD 6 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 800mA 100nA PNP 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
FDW2506P Fairchild Semiconductor FDW2506P 0.6400
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 ECAD 180 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET(금속) 600mW 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 20V 5.3A 22m옴 @ 5.3A, 4.5V 250μA에서 1.5V 34nC @ 4.5V 1015pF @ 10V 게임 레벨 레벨
SFR9014TF Fairchild Semiconductor SFR9014TF 0.1900
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 ECAD 5 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 5.3A(Tc) 10V 500m옴 @ 2.7A, 10V 4V @ 250μA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 350pF - 2.5W(Ta), 24W(Tc)
FDP040N06 Fairchild Semiconductor FDP040N06 1.7300
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 ECAD 800 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 60V 120A(Tc) 10V 4m옴 @ 75A, 10V 250μA에서 4.5V 133nC @ 10V ±20V 8235pF @ 25V - 231W(Tc)
FQI2P25TU Fairchild Semiconductor FQI2P25TU 0.7500
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 ECAD 1 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 250V 2.3A(Tc) 10V 4옴 @ 1.15A, 10V 5V @ 250μA 8.5nC @ 10V ±30V 25V에서 250pF - 3.13W(Ta), 52W(Tc)
FQU1N60TU Fairchild Semiconductor FQU1N60TU 0.5500
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 ECAD 607 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 607 N채널 600V 1A(Tc) 10V 11.5옴 @ 500mA, 10V 5V @ 250μA 6nC @ 10V ±30V 25V에서 150pF - 2.5W(Ta), 30W(Tc)
FQD2N60CTM Fairchild Semiconductor FQD2N60CTM -
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 ECAD 5588 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 600V 1.9A(Tc) 10V 4.7옴 @ 950mA, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 235pF - 2.5W(Ta), 44W(Tc)
FDS6064N3 Fairchild Semiconductor FDS6064N3 1.6200
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 ECAD 30 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 20V 23A(타) 1.8V, 4.5V 4m옴 @ 23A, 4.5V 250μA에서 1.5V 98nC @ 4.5V ±8V 7191pF @ 10V - 3W(타)
FDT3612 Fairchild Semiconductor FDT3612 -
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 ECAD 5936 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223-4 - 0000.00.0000 1 N채널 100V 3.7A(타) 6V, 10V 120m옴 @ 3.7A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 50V에서 632pF - 3W(타)
FQP4N90 Fairchild Semiconductor FQP4N90 1.5900
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 ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 189 N채널 900V 4.2A(Tc) 10V 3.3옴 @ 2.1A, 10V 5V @ 250μA 30nC @ 10V ±30V 25V에서 1100pF - 140W(Tc)
KSC2310YBU Fairchild Semiconductor KSC2310YBU 0.0500
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 ECAD 118 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 800mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 500 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 120 @ 10mA, 5V 100MHz
FQPF32N12V2 Fairchild Semiconductor FQPF32N12V2 1.4400
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 ECAD 83 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 120V 32A(Tc) 10V 50m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 53nC @ 10V ±30V 1860pF @ 25V - 50W(Tc)
ISL9V3036S3STSB82029A Fairchild Semiconductor ISL9V3036S3STSB82029A 1.0000
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 ECAD 1646년 0.00000000 비교차일드 EcoSPARK® 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 150W D2PAK (TO-263) 다운로드 0000.00.0000 50 - - 360V 21A 1.6V @ 4V, 6A - 17nC -/4.8μs
BC560BTA Fairchild Semiconductor BC560BTA 1.0000
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 ECAD 7158 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
MJD127TF Fairchild Semiconductor MJD127TF 1.0000
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 ECAD 5044 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1.75W TO-252-3(DPAK) 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 100V 8A 10μA PNP-달링턴 4V @ 80mA, 8A 1000 @ 4A, 4V -
FQU8N25TU Fairchild Semiconductor FQU8N25TU 0.6400
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 ECAD 5 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 70 N채널 250V 6.2A(Tc) 10V 550m옴 @ 3.1A, 10V 5V @ 250μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 530pF - 2.5W(Ta), 50W(Tc)
BC307CBU Fairchild Semiconductor BC307CBU 0.0200
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 ECAD 1289 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 629 45V 100mA 15nA PNP 500mV @ 5mA, 100mA 380 @ 2mA, 5V 130MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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