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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
PRMD12Z	0.3500	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	PRMD12			480MW	DFN1412-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																	50V	100ma	1µA	1 npn 프리 n, 1 pnp	150mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V	230MHz	47kohms	47kohms
phpt60610nyx	0.6100	RFQ	8488	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PHPT60610			1.5 w	LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,500																	60 v	10 a	100NA	NPN	360mv @ 1a, 10a	240 @ 500ma, 2V	140MHz
phpt61010nyx	0.8100	RFQ	1837	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PHPT61010			1.5 w	LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,500																	100 v	10 a	100NA	NPN	370mv @ 1a, 10a	150 @ 500ma, 2V	145MHz
prmh10z	0.3500	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	PRMH10			480MW	DFN1412-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																	50V	100ma	100NA	2 npn--바이어스 (듀얼)	100MV @ 250µA, 5MA	100 @ 10ma, 5V	230MHz	2.2kohms	47kohms
PMDPB55XP, 115	0.5000	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-ufdfn 노출 패드	PMDPB55		MOSFET (금속 (()	490MW	6- 휴슨 (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)					20V	3.4a		70mohm @ 3.4a, 4.5v	900MV @ 250µA	25NC @ 5V		785pf @ 10V	논리 논리 게이트
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pmpb14r8xnx	0.5200	RFQ	9670	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB14		MOSFET (금속 (()		DFN2020M-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널				30 v	7.3A (TA)	1.8V, 4.5V	18.4mohm @ 7.3a, 4.5v	900MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 12V	500 pf @ 15 v	-	1.5W (TA), 18W (TC)
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PH2525L, 115	-	RFQ	3999	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669			MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널				25 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 25a, 10V	2.15v @ 1ma	34.7 NC @ 4.5 v	± 20V	4470 pf @ 12 v	-	62.5W (TC)
psmn040-100msex	0.9800	RFQ	48	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)	PSMN040		MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널				100 v	30A (TJ)	10V	36.6MOHM @ 10A, 10V	4V @ 1MA	30 nc @ 10 v	± 20V	1470 pf @ 50 v	-	91W (TC)
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BUK9C07-65 비트, 118	-	RFQ	6832	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)					D2PAK-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500
PBSS4112PAN, 115	0.5200	RFQ	4627	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-ufdfn 노출 패드	PBSS4112			510MW	6- 휴슨 (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	120V	1A	100NA (ICBO)	2 NPN (()	120mv @ 50ma, 500ma	60 @ 500ma, 2v	120MHz
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²