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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PSMN013-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES, 127 -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 68A (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 3195 pf @ 50 v - 170W (TC)
NX2301P,215 Nexperia USA Inc. NX2301P, 215 0.4400
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX2301 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 1a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 380 pf @ 6 v - 400MW (TA), 2.8W (TC)
PMG85XP,115 Nexperia USA Inc. PMG85XP, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMG85 MOSFET (금속 (() 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TJ) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2a, 4.5v 1.15V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 12V 560 pf @ 10 v - 375MW (TA), 2.4W (TC)
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS, 118 3.7700
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn2r8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 v ± 20V 9961 pf @ 40 v - 306W (TC)
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS, 118 2.0400
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 4.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 70.8 nc @ 10 v ± 20V 4426 pf @ 30 v - 211W (TC)
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100BS, 118 2.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn5r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 141 NC @ 10 v ± 20V 8061 pf @ 50 v - 306W (TC)
PSMN7R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC, 115 0.6700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn7r0 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 67A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 17.9 NC @ 10 v ± 20V 1076 pf @ 15 v - 57W (TC)
PMCM650VNEZ Nexperia USA Inc. PMCM650VNEZ -
RFQ
 ECAD 6495 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,500 n 채널 12 v 6.4A (TA) 4.5V 25mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 15.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1060 pf @ 6 v - 556MW (TA), 12.5W (TC)
PSMN1R2-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn1r2-25yldx 1.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn1r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 25A, 10V 2.2v @ 1ma 60.3 NC @ 10 v ± 20V 4327 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 172W (TC)
PSMN5R4-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn5r4-25yldx 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r4 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 5.69mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 12.4 NC @ 10 v ± 20V 858 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 47W (TC)
BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30EX 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M10 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 54A (TC) 5V 7.8mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 12.2 NC @ 5 v ± 10V 1249 pf @ 25 v - 55W (TC)
BUK9M15-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M15-60EX 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M15 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 47A (TA) 5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2.45V @ 1MA 17 nc @ 5 v ± 10V 2230 pf @ 25 v - 75W (TA)
BUK9M9R1-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M9R1-40EX 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk9m9 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 64A (TC) 5V 7.3mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 16.2 nc @ 5 v ± 10V 2048 pf @ 25 v - 75W (TC)
PSMN015-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN015-60PS, 127 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN015 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 14.8mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 20.9 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 30 v - 86W (TC)
BUK7Y102-100B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y102-100B, 115 0.8300
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y102 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 15A (TC) 10V 102mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 12.2 NC @ 10 v ± 20V 779 pf @ 25 v - 60W (TC)
BFS19,235 Nexperia USA Inc. BFS19,235 0.4200
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS19 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 20 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN - 65 @ 1ma, 10V 260MHz
BUK9608-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9608-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 92 NC @ 5 v ± 15V 6021 pf @ 25 v - 253W (TC)
PMN45EN,135 Nexperia USA Inc. PMN45EN, 135 -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 5.2A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 3a, 10V 2V @ 1mA 6.1 NC @ 4.5 v 20V 495 pf @ 25 v - 1.75W (TC)
PHD9NQ20T,118 Nexperia USA Inc. phd9nq20t, 118 -
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 phd9nq20 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 8.7A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 959 pf @ 25 v - 88W (TC)
PHT4NQ10T,135 Nexperia USA Inc. pht4nq10t, 135 -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 3.5A (TC) 10V 250mohm @ 1.75a, 10V 4V @ 1MA 7.4 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 6.9W (TC)
BUK7107-40ATC,118 Nexperia USA Inc. BUK7107-40ATC, 118 -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 108 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
BUK7107-55ATE,118 Nexperia USA Inc. BUK7107-55ATE, 118 -
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
BUK7225-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7225-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 43A (TC) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1310 pf @ 25 v - 94W (TC)
BUK7510-100B,127 Nexperia USA Inc. BUK7510-100B, 127 -
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK7510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 20V 6773 pf @ 25 v - 300W (TC)
BUK7520-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7520-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 54A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1592 pf @ 25 v - 118W (TC)
BUK7C06-40AITE,118 Nexperia USA Inc. Buk7c06-40aite, 118 -
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 6ohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
BUK953R2-40B,127 Nexperia USA Inc. BUK953R2-40B, 127 -
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 94 NC @ 5 v ± 15V 10502 pf @ 25 v - 300W (TC)
BUK9540-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK9540-100A, 127 -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 39A (TC) 4.5V, 10V 39mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 48 NC @ 5 v ± 15V 3072 pf @ 25 v - 158W (TC)
BUK9616-75B,118 Nexperia USA Inc. BUK9616-75B, 118 1.6900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9616 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 67A (TC) 5V, 10V 14mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 35 NC @ 5 v ± 15V 4034 pf @ 25 v - 157W (TC)
BUK964R4-40B,118 Nexperia USA Inc. BUK964R4-40B, 118 2.9700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK964 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 64 NC @ 5 v ± 15V 7124 pf @ 25 v - 254W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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