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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2N7002P,235 Nexperia USA Inc. 2N7002P, 235 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 360MA (TA) 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 10 v - 350MW (TA)
PMBT2222A,215 Nexperia USA Inc. PMBT2222A, 215 0.1400
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT2222 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
PMBT2907A,215 Nexperia USA Inc. PMBT2907A, 215 0.1400
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT2907 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
BUK7880-55/CUF Nexperia USA Inc. BUK7880-55/CUF -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 55 v 3.5A (TA) 10V 80mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 500 pf @ 25 v - 8.3W (TC)
ON5452,518 Nexperia USA Inc. on5452,518 -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 - - - - - 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
BUK9Y7R6-40E/DMANX Nexperia USA Inc. buk9y7r6-40e/dmanx -
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-buk9y7r6-40e/dmanx 귀 99 8541.29.0095 1
BC846BW/DG/B2,135 Nexperia USA Inc. BC846BW/DG/B2,135 -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846XW 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062453135 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PBHV9540XX Nexperia USA Inc. PBHV9540XX 0.1874
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBHV9540 1.5 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 400 v 500 MA 100NA PNP 400mv @ 40ma, 200ma 140 @ 100MA, 5V 65MHz
PDTA123JTVL Nexperia USA Inc. PDTA123JTVL 0.1700
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
BCM847BS,115 Nexperia USA Inc. BCM847BS, 115 0.4800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM847 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 npn (() 일치 한 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
PDTA114ET,215 Nexperia USA Inc. PDTA114ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 10 KOHMS 10 KOHMS
PMDXB290UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB290UNEZ 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB290 MOSFET (금속 (() 280MW (TA), 6W (TC) DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 20V 930MA (TA), 3.5A (TC) 320mohm @ 1.2a, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 43.6pf @ 10V 기준
PSMN7R0-30MLC Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC 1.0000
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K22-80EX 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k22 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 21A (TA) 19mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 23.1NC @ 5V 3115pf @ 25v 논리 논리 게이트
BUK9C07-65BIT,118 Nexperia USA Inc. BUK9C07-65 비트, 118 -
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
PHPT61003PYX Nexperia USA Inc. phpt61003pyx 0.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61003 1.25 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 360mv @ 200ma, 2a 150 @ 500ma, 10V 125MHz
BSS192,135 Nexperia USA Inc. BSS192,135 0.1786
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSS192 MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 240 v 200MA (TA) 10V 12ohm @ 200ma, 10V 2.8V @ 1MA ± 20V 90 pf @ 25 v - 560MW (TA), 12.5W (TC)
BUK954R8-60E,127 Nexperia USA Inc. BUK954R8-60E, 127 -
RFQ
 ECAD 3348 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 5V, 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 65 nc @ 5 v ± 10V 9710 pf @ 25 v - 234W (TC)
PDTC123JU,115 Nexperia USA Inc. PDTC123JU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
PDTB114EUX Nexperia USA Inc. pdtb114eux 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB114 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BSH121,135 Nexperia USA Inc. BSH121,135 -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 75 v 300MA (TA) 1.8V, 4.5V 4ohm @ 500ma, 4.5v 1.3v @ 1ma 1 nc @ 8 v ± 8V 40 pf @ 10 v - 700MW (TC)
BUK9223-60EJ Nexperia USA Inc. BUK9223-60EJ -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069871118 귀 99 8541.29.0095 2,500 75a
BUK7E2R3-40E,127 Nexperia USA Inc. buk7e2r3-40e, 127 -
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
NHDTA114EUF Nexperia USA Inc. NHDTA114EUF 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA114 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PUMH10,125 Nexperia USA Inc. PUMH10,125 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh10 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V - 2.2kohms 47kohms
PMBT4401,185 Nexperia USA Inc. PMBT4401,185 0.1400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4401 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
BC53PASX Nexperia USA Inc. BC53PASX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC53 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PQMH2Z Nexperia USA Inc. PQMH2Z 0.0562
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PQMH2 230MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47kohms 47kohms
PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YLX 1.2900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn7r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 86A (TC) 5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 31 NC @ 5 v ± 20V 4570 pf @ 25 v - 147W (TC)
BCP55-10,115 Nexperia USA Inc. BCP55-10,115 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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