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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60PS, 127 3.8100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN3R0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 8079 pf @ 30 v - 306W (TC)
PEMD2,315 Nexperia USA Inc. PEMD2,315 0.1015
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD2 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934056860315 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
BC54PAS-QX Nexperia USA Inc. BC54PAS-QX 0.0962
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 420 MW DFN2020D-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC54PAS-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PDTA114EU/MIF Nexperia USA Inc. PDTA114EU/MIF -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069649135 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PDTC143XQCZ Nexperia USA Inc. PDTC143XQCZ 0.2600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2PB1219AS,115 Nexperia USA Inc. 2PB1219AS, 115 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PB1219 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 170 @ 150ma, 10V 140MHz
PDTA143EM,315 Nexperia USA Inc. PDTA143EM, 315 0.0396
RFQ
ECAD 6455 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA143 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PDTD123EQAZ Nexperia USA Inc. PDTD123EQAZ 0.0579
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTD123 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069265147 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 40 @ 50MA, 5V 210MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PMV40UN2 Nexperia USA Inc. pmv40un2 -
RFQ
ECAD 7935 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMPB85ENEA/F,115 Nexperia USA Inc. PMPB85ENEA/F, 115 0.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 3,000
PXT2222A,115 Nexperia USA Inc. PXT2222A, 115 0.4200
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PXT2222 1.1 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BC847A/SNR Nexperia USA Inc. BC847A/SNR -
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660336215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS, 118 3.7700
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn3r8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 170 nc @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 50 v - 306W (TC)
PBSS4320T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4320T, 215 0.4400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4320 540 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 310mv @ 300ma, 3a 220 @ 1a, 2v 100MHz
BC856BS/DG/B3X Nexperia USA Inc. BC856BS/DG/B3X -
RFQ
ECAD 2450 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068388115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMBT4401YSX Nexperia USA Inc. PMBT4401YSX 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4401 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 80 @ 10ma, 1v 250MHz
BC847AM,315 Nexperia USA Inc. BC847AM, 315 0.2500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PMCM6501UNEZ Nexperia USA Inc. PMCM6501UNEZ 0.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP PMCM6501 MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,500 n 채널 20 v 8.7A (TA) 1.5V, 4.5V 21mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 8V 1050 pf @ 10 v - 400MW
BUK9K18-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K18-40E, 115 1.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K18 MOSFET (금속 (() 38W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 30A 16MOHM @ 10A, 10V 2.1v @ 1ma 14.5NC @ 10V 1061pf @ 25v 논리 논리 게이트
PHP20NQ20T,127 Nexperia USA Inc. PHP20NQ20T, 127 2.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP20NQ20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 20A (TC) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 65 nc @ 10 v ± 20V 2470 pf @ 25 v - 150W (TC)
PEMD20,115 Nexperia USA Inc. PEMD20,115 0.1074
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD20 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms 2.2kohms
BC817K-40R Nexperia USA Inc. BC817K-40R 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PSMN1R9-40YSDX Nexperia USA Inc. psmn1r9-40ysdx 2.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn1r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 200a (TA) 10V 1.9mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 20V 6198 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 194W (TA)
PDTA124XMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA124XMB, 315 0.0361
RFQ
ECAD 1192 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTA124 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065883315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 180MHz 22 KOHMS 47 Kohms
PBSS2515VS,115 Nexperia USA Inc. PBSS2515VS, 115 0.4600
RFQ
ECAD 9294 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PBSS2515 200MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 15V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 50ma, 500ma 150 @ 100MA, 2V 420MHz
BCP56-16,115 Nexperia USA Inc. BCP56-16,115 0.4700
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 960 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 180MHz
PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc. pmxb40unz 0.4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PMXB40 MOSFET (금속 (() DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 12 v 3.2A (TA) 1.2V, 4.5V 45mohm @ 3.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 4.5 v ± 8V 556 pf @ 10 v - 400MW (TA), 8.33W (TC)
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100BS, 118 3.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn7r0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 6686 pf @ 50 v - 269W (TC)
PDTC143XTVL Nexperia USA Inc. PDTC143XTVL 0.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC143 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100 MA 1µA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BUK7J1R4-40HX Nexperia USA Inc. BUK7J1R4-40HX 3.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK buk7j1 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 120A (TA) 10V 1.4mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 126 NC @ 10 v +20V, -10V 8155 pf @ 25 v - 395W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고