전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | PSMN3R0-60PS, 127 | 3.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PSMN3R0 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 8079 pf @ 30 v | - | 306W (TC) | |||||||||||||
![]() | PEMD2,315 | 0.1015 | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PEMD2 | 300MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934056860315 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100ma | 1µA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 150mv @ 500µa, 10ma | 60 @ 5MA, 5V | - | 22kohms | 22kohms | |||||||||||||||
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![]() | BC856BS/DG/B3X | - | ![]() | 2450 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068388115 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (() | 300mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||
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![]() | PHP20NQ20T, 127 | 2.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP20NQ20 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 20A (TC) | 10V | 130mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 2470 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
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BC817K-40R | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | psmn1r9-40ysdx | 2.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn1r9 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 200a (TA) | 10V | 1.9mohm @ 25a, 10V | 3.6v @ 1ma | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 6198 pf @ 20 v | Schottky Diode (Body) | 194W (TA) | |||||||||||||
![]() | PDTA124XMB, 315 | 0.0361 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-xfdfn | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934065883315 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | pnp- 사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | 180MHz | 22 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||
![]() | PBSS2515VS, 115 | 0.4600 | ![]() | 9294 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PBSS2515 | 200MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 15V | 500ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 250mv @ 50ma, 500ma | 150 @ 100MA, 2V | 420MHz | |||||||||||||||||
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![]() | PSMN7R0-100BS, 118 | 3.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | psmn7r0 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 10V | 6.8mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 6686 pf @ 50 v | - | 269W (TC) | |||||||||||||
PDTC143XTVL | 0.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC143 | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 100mv @ 500µa, 10ma | 50 @ 10ma, 5V | 230MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||
![]() | BUK7J1R4-40HX | 3.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1023, 4-LFPAK | buk7j1 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56; Power-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 120A (TA) | 10V | 1.4mohm @ 25a, 10V | 3.6v @ 1ma | 126 NC @ 10 v | +20V, -10V | 8155 pf @ 25 v | - | 395W (TA) |
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