SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC847A/SNR Nexperia USA Inc. BC847A/SNR -
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660336215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R8-100BS, 118 3.7700
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn3r8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 170 nc @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 50 v - 306W (TC)
PBSS4320T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4320T, 215 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4320 540 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 310mv @ 300ma, 3a 220 @ 1a, 2v 100MHz
BC856BS/DG/B3X Nexperia USA Inc. BC856BS/DG/B3X -
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068388115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMBT4401YSX Nexperia USA Inc. PMBT4401YSX 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4401 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 80 @ 10ma, 1v 250MHz
BC847AM,315 Nexperia USA Inc. BC847AM, 315 0.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PMCM6501UNEZ Nexperia USA Inc. PMCM6501UNEZ 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP PMCM6501 MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,500 n 채널 20 v 8.7A (TA) 1.5V, 4.5V 21mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 8V 1050 pf @ 10 v - 400MW
BUK9K18-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K18-40E, 115 1.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K18 MOSFET (금속 (() 38W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 30A 16MOHM @ 10A, 10V 2.1v @ 1ma 14.5NC @ 10V 1061pf @ 25v 논리 논리 게이트
PHP20NQ20T,127 Nexperia USA Inc. PHP20NQ20T, 127 2.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP20NQ20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 20A (TC) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 65 nc @ 10 v ± 20V 2470 pf @ 25 v - 150W (TC)
PEMD20,115 Nexperia USA Inc. PEMD20,115 0.1074
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD20 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V - 2.2kohms 2.2kohms
BC817K-40R Nexperia USA Inc. BC817K-40R 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PSMN1R9-40YSDX Nexperia USA Inc. psmn1r9-40ysdx 2.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn1r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 200a (TA) 10V 1.9mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 20V 6198 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 194W (TA)
PDTA124XMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA124XMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTA124 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065883315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 180MHz 22 KOHMS 47 Kohms
PMST5550,115 Nexperia USA Inc. PMST5550,115 0.3300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 140 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
PSMN1R4-40YLDX Nexperia USA Inc. PSMN1R4-40YLDX 2.1800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R4 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 96 NC @ 10 v ± 20V 6661 pf @ 20 v - 238W (TC)
BSS138PW,115 Nexperia USA Inc. BSS138PW, 115 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 320MA (TA) 10V 1.6ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 10 v - 260MW (TA), 830MW (TC)
PMZB290UN,315 Nexperia USA Inc. PMZB290UN, 315 0.0504
RFQ
 ECAD 9119 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB290 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 380mohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.68 nc @ 4.5 v ± 8V 83 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
PBHV9115T-QVL Nexperia USA Inc. PBHV9115T-QVL 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 150 v 1 a 100NA PNP 300mv @ 100ma, 500ma 100 @ 100ma, 10V 115MHz
BC846BS,115 Nexperia USA Inc. BC846BS, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC856SF Nexperia USA Inc. BC856SF 0.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 400MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PBSS5240Y,135 Nexperia USA Inc. PBSS5240Y, 135 0.0867
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PBSS5240 430 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 200MA, 2A 210 @ 1a, 2v 100MHz
BSS123,215 Nexperia USA Inc. BSS123,215 0.3200
RFQ
 ECAD 419 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 150MA (TA) 10V 6ohm @ 120ma, 10V 2.8V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 25 v - 250MW (TA)
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40BS, 118 1.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r5 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 42.3 NC @ 10 v ± 20V 2683 pf @ 20 v - 148W (TC)
BUK6E3R2-55C,127 Nexperia USA Inc. buk6e3r2-55c, 127 -
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 258 NC @ 10 v ± 16V 15300 pf @ 25 v - 306W (TC)
PMSTA06,115 Nexperia USA Inc. PMSTA06,115 0.2200
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMSTA06 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 100MHz
BUK7215-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7215-55A, 118 0.8500
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 55A (TC) 10V 15mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 50 nc @ 10 v ± 20V 2107 pf @ 25 v - 115W (TC)
BCP51,115 Nexperia USA Inc. BCP51,115 0.4700
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP51 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
SPD07N60C3BTMA1 Nexperia USA Inc. SPD07N60C3BTMA1 1.8700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - 2156-SPD07N60C3BTMA1 161
PHPT60406PYX Nexperia USA Inc. phpt60406pyx 0.6700
RFQ
 ECAD 566 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60406 1.35 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 40 v 6 a 100NA PNP 540mv @ 300ma, 6a 210 @ 500ma, 2V 110MHz
BC807-16W-QF Nexperia USA Inc. BC807-16W-QF 0.0307
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-16W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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