SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK7675-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7675-100A, 118 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 23A (TC) 10V 75mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1210 pf @ 25 v - 99W (TC)
PMV50XPR Nexperia USA Inc. PMV50XPR 0.4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV50 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 1.5V, 4.5V 60mohm @ 3.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 744 pf @ 20 v - 490MW (TA), 4.63W (TC)
PMPB13XNE,115 Nexperia USA Inc. PMPB13XNE, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB13 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TA) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 8a, 4.5v 900MV @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 12V 2195 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK7M42-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M42-60EX 0.6800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M42 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 20A (TC) 10V 42mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 9 NC @ 10 v ± 20V 508 pf @ 25 v - 36W (TC)
BUK9K5R6-30EX Nexperia USA Inc. BUK9K5R6-30EX 1.6300
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 40a 5.8mohm @ 10a, 5V 2.1v @ 1ma 22.6NC @ 5V 2480pf @ 25V 논리 논리 게이트
PBSS5230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5230QAZ 0.4200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 210MV @ 50MA, 1A 60 @ 2a, 2v 170MHz
PBSS4160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4160QAZ 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBSS4160 1 W. DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 245MV @ 50MA, 1A 85 @ 1a, 2v 180MHz
PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. pmxb120epez 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PMXB120 MOSFET (금속 (() DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 309 pf @ 15 v - 400MW (TA), 8.3W (TC)
PMPB19XP,115 Nexperia USA Inc. PMPB19XP, 115 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB19 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A (TA) 1.8V, 4.5V 22.5mohm @ 7.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 43.2 NC @ 4.5 v ± 12V 2890 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. pmdxb600unz 0.4800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB600 MOSFET (금속 (() 265MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 20V 600ma 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 논리 논리 게이트
PMST5551,115 Nexperia USA Inc. PMST5551,115 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5551 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 300 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
BC847DS,115 Nexperia USA Inc. BC847DS, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC847 380MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PBLS2024D,115 Nexperia USA Inc. PBLS2024D, 115 0.1512
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS2024 760MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 20V 100ma, 1.8a 1µA, 100NA 1 pnp 사전 p, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 210mv @ 100ma, 1.8a 60 @ 5ma, 5v / 200 @ 1a, 2v 130MHz 22kohms 22kohms
PMSTA05,115 Nexperia USA Inc. PMSTA05,115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMSTA05 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 100MHz
BC846BPN,115 Nexperia USA Inc. BC846bpn, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK7C10-75AITE,118 Nexperia USA Inc. BUK7C10-75AITE, 118 -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
PHD97NQ03LT,118 Nexperia USA Inc. phd97nq03lt, 118 -
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD97NQ03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 11.7 NC @ 4.5 v ± 20V 1570 pf @ 12 v - 107W (TC)
PMV25ENEAR Nexperia USA Inc. PMV25ENEAR 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV25 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.5A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 597 pf @ 15 v - 460MW (TA), 6.94W (TC)
PSMN013-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100PS, 127 2.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN013 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 68A (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 3195 pf @ 50 v - 170W (TC)
PSMN013-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC, 115 0.6100
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN013 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 32A (TC) 10V 13.6MOHM @ 10A, 10V 1.95v @ 1ma 8.3 NC @ 10 v ± 20V 521 pf @ 15 v - 26W (TC)
PMPB14XPX Nexperia USA Inc. PMPB14XPX 0.5300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB14 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12.7A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.6a, 4.5v 950MV @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 8V 2303 pf @ 6 v - 3.9W (TA)
PMPB08R4VPX Nexperia USA Inc. PMPB08R4VPX 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB08 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TA) 9.6mohm @ 12a, 4.5v 900MV @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 8V 2200 pf @ 6 v - 1.9W (TA), 12.5W (TC)
PMPB10UPX Nexperia USA Inc. pmpb10upx -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 11.5mohm @ 10a, 4.5v 900MV @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 8V 2200 pf @ 6 v - 1.7W (TA), 13MW (TC)
BSR19A-QR Nexperia USA Inc. BSR19A-QR 0.1063
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BSR19A-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 300 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
PDTA124ET-QR Nexperia USA Inc. PDTA124ET-QR 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA124 250 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 150mv @ 10ma 60 @ 5MA, 5V 180MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BSR43-QX Nexperia USA Inc. BSR43-QX 0.2765
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BSR43-QXTR 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
PBSS4240T-QR Nexperia USA Inc. PBSS4240T-QR 0.1062
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4240T-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 320mv @ 200ma, 2a 350 @ 100MA, 2V 230MHz
PSMN1R9-40PLQ Nexperia USA Inc. PSMN1R9-40PLQ 3.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn1r9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 120 nc @ 5 v ± 20V 13200 pf @ 25 v - 349W (TC)
BC807-25HZ Nexperia USA Inc. BC807-25Hz 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
BUK7K29-100E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K29-100E/1X -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K29 68W (TA) LFPAK56D - 1727-buk7k29-100e/1x 귀 99 8541.29.0095 1 100V 29.5A (TA) 24.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 38.1NC @ 10V 2436pf @ 25v 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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