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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC847AQB-QZ Nexperia USA Inc. BC847AQB-QZ 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PMN48XPA2X Nexperia USA Inc. pmn48xpa2x 0.4600
RFQ
 ECAD 6849 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN48 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 8V 49mohm @ 4.4a, 8v 1.3V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 679 pf @ 10 v - 660MW (TA), 7.5W (TC)
PMZ290UNYL Nexperia USA Inc. PMZ290Unyl -
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 SC-101, SOT-883 - SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 - 1A (TJ) 1.8V, 4.5V - - ± 8V - -
PBSS5350X,147 Nexperia USA Inc. PBSS5350X, 147 0.4700
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS5350 1.6 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 390mv @ 300ma, 3a 200 @ 1a, 2v 100MHz
BCX71K,235 Nexperia USA Inc. BCX71K, 235 0.2000
RFQ
 ECAD 315 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 100MHz
BCW70,235 Nexperia USA Inc. BCW70,235 0.0407
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW70 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 150mv @ 2.5ma, 50ma 215 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK9Y7R6-40E/DMANX Nexperia USA Inc. buk9y7r6-40e/dmanx -
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-buk9y7r6-40e/dmanx 귀 99 8541.29.0095 1
PMDXB290UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB290UNEZ 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB290 MOSFET (금속 (() 280MW (TA), 6W (TC) DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 20V 930MA (TA), 3.5A (TC) 320mohm @ 1.2a, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 43.6pf @ 10V 기준
PSMN7R0-30MLC Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC 1.0000
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK9K22-80EX Nexperia USA Inc. BUK9K22-80EX 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k22 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 21A (TA) 19mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 23.1NC @ 5V 3115pf @ 25v 논리 논리 게이트
BUK6C2R1-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK6C2R1-55C, 118 -
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 228A (TC) 10V 2.3MOHM @ 90A, 10V 2.8V @ 1MA 253 NC @ 10 v ± 16V 16000 pf @ 25 v - 300W (TC)
PSMN4R5-80YSFX Nexperia USA Inc. psmn4r5-80ysfx 1.2994
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn4r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 100A (TA) 7V, 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 v ± 20V 6009 pf @ 40 v - 238W (TA)
PHP18NQ10T,127 Nexperia USA Inc. php18nq10t, 127 1.6000
RFQ
 ECAD 8522 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP18NQ10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 18A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 79W (TC)
PBSS5240T-QR Nexperia USA Inc. PBSS5240T-QR 0.1062
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5240T-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 350MV @ 200MA, 2A 300 @ 100MA, 2V 200MHz
PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc. psmn8r5-40msdx 0.9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn8r5 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 60A (TA) 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3.6v @ 1ma 19 NC @ 10 v ± 20V 1322 pf @ 20 v - 59W (TA)
PXP015-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP015-30QLJ 0.5600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8A (TA), 24.7A (TC) 4.5V, 10V 15.8mohm @ 8.1a, 10V 2V @ 250µA 36.9 NC @ 10 v ± 25V 1200 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 16W (TC)
BC847BS/DG/B4X Nexperia USA Inc. BC847BS/DG/B4X -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 400MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070434115 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCP69-25-QX Nexperia USA Inc. BCP69-25-QX 0.1257
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 650 MW SOT-223 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCP69-25-QXTR 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 160 @ 500ma, 1V 140MHz
BC847A-QR Nexperia USA Inc. BC847A-QR 0.0163
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC52PASX Nexperia USA Inc. BC52PASX 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC52 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PMBT4403/DLT215 Nexperia USA Inc. PMBT4403/DLT215 0.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB32N06LT, 118 1.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB32N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 34A (TC) 4.5V, 5V 37mohm @ 20a, 10V 2V @ 1mA 17 nc @ 5 v ± 15V 1280 pf @ 25 v - 97W (TC)
NX7002BKVL Nexperia USA Inc. NX7002BKVL 0.0290
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 270MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 310MW (TA)
BUK9Y43-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y43-60E, 115 0.8200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y43 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 22A (TC) 5V 41mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 8.2 NC @ 5 v ± 10V 880 pf @ 25 v - 45W (TC)
PUMH9/ZLF Nexperia USA Inc. PUMH9/ZLF -
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10kohms 47kohms
PSMN7R0-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30YL, 115 0.8100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn7r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 76A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 22 nc @ 10 v ± 20V 1270 pf @ 12 v - 51W (TC)
PHK13N03LT,518 Nexperia USA Inc. phk13n03lt, 518 -
RFQ
 ECAD 3912 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13.8A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2V @ 250µA 10.7 NC @ 5 v ± 20V 752 pf @ 15 v - 6.25W (TC)
PBSS5540Z-QF Nexperia USA Inc. PBSS5540Z-QF 0.1467
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5540Z-QFTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 375mv @ 500ma, 5a 250 @ 500ma, 2V 120MHz
PBSS4350Z,135 Nexperia USA Inc. PBSS4350Z, 135 0.4300
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS4350 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 50 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 290mv @ 200ma, 2a 100 @ 2a, 2v 100MHz
BCX56-10-QF Nexperia USA Inc. BCX56-10-QF 0.1118
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCX56-10-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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