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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMX100UNEZ Nexperia USA Inc. pmx100unez 0.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) PMX100 MOSFET (금속 (() DFN0603-3 (SOT8013) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 15,000 n 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 160mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 8V 123 pf @ 10 v - 300MW (TA), 4.7W (TC)
2N7002HWX Nexperia USA Inc. 2N7002HWX 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 20V 34 pf @ 10 v - 310MW (TA)
PMV50XNEAR Nexperia USA Inc. pmv50xnear 0.4200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV50 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.4A (TA) 2.5V, 8V 57mohm @ 3.4a, 8v 1.25V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 12V 296 pf @ 15 v - 590MW (TA), 5.6W (TC)
BUK9237-55A/C1,118 Nexperia USA Inc. BUK9237-55A/C1,118 -
RFQ
 ECAD 6529 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK9237-55A/C1,118-1727 1 n 채널 55 v 32A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 15a, 10V 2V @ 1mA 17.6 NC @ 5 v ± 15V 1236 pf @ 25 v - 77W (TC)
BUK9880-55A/CU,115 Nexperia USA Inc. BUK9880-55A/CU, 115 -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
BC846BPNH-QX Nexperia USA Inc. BC846BPNH-QX 0.0305
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PH1030DLSX Nexperia USA Inc. ph1030dlsx -
RFQ
 ECAD 2860 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PH1030DLSX 쓸모없는 1
BUK964R1-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK964R1-40E, 118 2.1100
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK964 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 5V 3.5mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 52.1 NC @ 5 v ± 10V 6650 pf @ 25 v - 182W (TC)
PMZ270XN,315 Nexperia USA Inc. PMZ270XN, 315 -
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 2.15A (TC) 2.5V, 4.5V 340mohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.72 nc @ 4.5 v ± 12V 34 pf @ 20 v - 2.5W (TC)
BF821,215 Nexperia USA Inc. BF821,215 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF821 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 800mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PIMP31-QX Nexperia USA Inc. PIMP31-QX 0.4400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 pimp31 290MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 500ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 1kohms 10kohms
BUK6212-40C,118 Nexperia USA Inc. BUK6212-40C, 118 -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 11.2mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 1MA 33.9 nc @ 10 v ± 16V 1900 pf @ 25 v - 80W (TC)
BUK752R3-40E,127 Nexperia USA Inc. BUK752R3-40E, 127 -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
PSMN3R3-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80PS, 127 4.6700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn3r3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 v ± 20V 9961 pf @ 40 v - 338W (TC)
PSMN020-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN020-100ys, 115 1.1300
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN020 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 43A (TC) 10V 20.5mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 41 NC @ 10 v ± 20V 2210 pf @ 50 v - 106W (TC)
PMX400UPZ Nexperia USA Inc. pmx400upz 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) MOSFET (금속 (() DFN0603-3 (SOT8013) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15,000 p 채널 20 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 500mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 2.4 NC @ 4.5 v ± 12V 146 pf @ 10 v - 500MW (TA), 4.7W (TC)
BUK9507-30B,127 Nexperia USA Inc. BUK9507-30B, 127 -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA 32 NC @ 5 v ± 15V 3373 pf @ 25 v - 157W (TC)
BUK9222-100EJ Nexperia USA Inc. BUK9222-100EJ -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069877118 귀 99 8541.29.0095 2,500 -
PSMN045-100HLX Nexperia USA Inc. PSMN045-100HLX 1.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PSMN045 MOSFET (금속 (() 53W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 21A (TA) 42mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 18.5NC @ 5V 2152pf @ 25v 논리 논리 게이트
PBSS305PX,115 Nexperia USA Inc. PBSS305PX, 115 0.6000
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS305 2.1 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 4 a 100NA (ICBO) PNP 420mv @ 235ma, 4.7a 120 @ 2a, 2v 100MHz
BCP68,115 Nexperia USA Inc. BCP68,115 0.4700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP68 1.4 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 170MHz
PMPB215ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB215ENEAX 0.5200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB215 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 230mohm @ 1.9a, 10V 2.7V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 20V 215 pf @ 40 v - 1.6W (TA), 15.6W (TC)
2N7002BK,215 Nexperia USA Inc. 2N7002BK, 215 0.2800
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 350MA (TA) 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 10 v - 370MW (TA)
BUK7M6R7-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M6R7-40HX 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m6 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA) 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 3.6v @ 1ma 24 nc @ 10 v +20V, -10V 1625 pf @ 25 v - 65W (TA)
PMV48XPA2R Nexperia USA Inc. pmv48xpa2r 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv48 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 8V 49mohm @ 4a, 8v 1.3V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 679 pf @ 10 v - 610MW (TA), 8.3W (TC)
PMST5550-QF Nexperia USA Inc. PMST5550-QF 0.0447
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMST5550-QFTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 140 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BUK9E08-55B,127 Nexperia USA Inc. BUK9E08-55B, 127 -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 5V, 10V 7mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 45 NC @ 5 v ± 15V 5280 pf @ 25 v - 203W (TC)
PEMB13115 Nexperia USA Inc. PEMB13115 0.0600
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 3,235
BUK7Y12-40EX Nexperia USA Inc. BUK7Y12-40EX 0.9300
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y12 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 52A (TC) 10V 12MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1MA 15 nc @ 10 v ± 20V 1039 pf @ 25 v - 65W (TC)
BSR31-QF Nexperia USA Inc. BSR31-QF 0.2505
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR31 1.35 w SOT-89 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BSR31-QFTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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