SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK7620-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7620-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 54A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1592 pf @ 25 v - 118W (TC)
PMH260UNEH Nexperia USA Inc. PMH260UNH 0.3600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH260 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.5V, 4.5V 310mohm @ 700ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.95 nc @ 4.5 v ± 8V 41 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.23W (TC)
BUK9Y3R0-40E/DMANX Nexperia USA Inc. buk9y3r0-40e/dmanx -
RFQ
 ECAD 2037 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-buk9y3r0-40e/dmanx 귀 99 8541.29.0095 1
2PC4617RMB,315 Nexperia USA Inc. 2PC4617RMB, 315 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn 2PC4617 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 100MHz
PH7730DLX Nexperia USA Inc. ph7730dlx -
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
PMN40XPEAX Nexperia USA Inc. pmn40xpeax 0.1213
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 2.5V, 8V 46MOHM @ 4.7A, 8V 1.3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 12V 1025 pf @ 10 v - 660MW (TA), 7.5W (TC)
PZTA92/ZLX Nexperia USA Inc. PZTA92/ZLX -
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070729115 귀 99 8541.29.0075 1 300 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 50MHz
PDTC114EU,135 Nexperia USA Inc. PDTC114EU, 135 0.1900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 10 KOHMS 10 KOHMS
BC847CW-QX Nexperia USA Inc. BC847CW-QX 0.0221
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847XW-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN8R0-40HLX Nexperia USA Inc. psmn8r0-40hlx 1.7300
RFQ
 ECAD 9806 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 psmn8r0 MOSFET (금속 (() 53W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TA) 9.4mohm @ 10a, 5V 2.1v @ 1ma 15.7NC @ 5V 2110pf @ 25v 논리 논리 게이트
PDTD123YT-QR Nexperia USA Inc. PDTD123YT-QR 0.0631
RFQ
 ECAD 4007 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD123 250 MW TO-236AB 다운로드 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
PBHV8115Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV8115Z, 115 0.5600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV8115 1.4 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 1 a 100NA NPN 350mv @ 200ma, 1a 50 @ 500ma, 10V 30MHz
PSMN4R4-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R4-80BS, 118 3.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r4 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 40 v - 306W (TC)
PMST3906,135 Nexperia USA Inc. PMST3906,135 0.0276
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST3906 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PDTC143ZQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTC143ZQB-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
PMPB10R3XNX Nexperia USA Inc. pmpb10r3xnx 0.4200
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8.9A (TA) 1.8V, 4.5V 12.2mohm @ 8.9a, 4.5v 900MV @ 250µA 9.9 NC @ 4.5 v ± 12V 770 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 19W (TC)
BUK9614-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9614-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 1382 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 73A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 3307 pf @ 25 v - 149W (TC)
PSMN012-100YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YL, 115 -
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMP5201Y/DG/B2,115 Nexperia USA Inc. PMP5201Y/DG/B2,115 -
RFQ
 ECAD 7414 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP5201 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062589115 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PHB21N06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB21N06LT, 118 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB21N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 19A (TC) 5V, 10V 70mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 v ± 15V 650 pf @ 25 v - 56W (TC)
BC857BQCZ Nexperia USA Inc. BC857BQCZ 0.2500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC857XQC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 850mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PMPB20SNAX Nexperia USA Inc. PMPB20SNAX 0.0600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
PBSS4240Y,115 Nexperia USA Inc. PBSS4240Y, 115 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PBSS4240 430 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 320mv @ 200ma, 2a 300 @ 1a, 2v 230MHz
PXP013-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP013-30QLJ 0.5500
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.6A (TA), 42.5A (TC) 4.5V, 10V 13.3mohm @ 8.6a, 10V 2.5V @ 250µA 50.1 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 40W (TC)
BCP54-10TF Nexperia USA Inc. BCP54-10TF 0.0920
RFQ
 ECAD 9751 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP54 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PSMN5R0-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-100PS, 127 4.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn5r0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 170 nc @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 50 v - 338W (TC)
PHP79NQ08LT,127 Nexperia USA Inc. php79nq08lt, 127 2.0100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP79NQ08 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 73A (TC) 10V 16mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 15V 3026 pf @ 25 v - 157W (TC)
PHP23NQ11T,127 Nexperia USA Inc. php23nq11t, 127 1.6500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 php23nq11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 110 v 23A (TC) 10V 70mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 20V 830 pf @ 25 v - 100W (TC)
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100PS, 127 2.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn9r5 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 89A (TC) 10V 9.6mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 82 NC @ 10 v ± 20V 4454 pf @ 50 v - 211W (TC)
PDTC144EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTC144EQB-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC144 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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