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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BCX55-16-QX	0.1242	RFQ	5415	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			500MW	SOT-89	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BCX55-16-QXTR	귀 99	8541.21.0075	1,000													60 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	180MHz
PMN27UP, 115	-	RFQ	4206	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.7A (TA)	1.8V, 4.5V	32mohm @ 2.4a, 4.5v	950MV @ 250µA	31 NC @ 4.5 v	± 8V	2340 pf @ 10 v	-	540MW (TA), 6.25W (TC)
BUK7S0R7-40HJ	6.3200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1235	BUK7S0	MOSFET (금속 (()		LFPAK88 (SOT1235)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	425A (TA)	10V	0.7mohm @ 25a, 10V	3.6v @ 1ma	202 NC @ 10 v	+20V, -10V	15719 pf @ 25 v	-	375W (TA)
PUMD16/ZLX	-	RFQ	1959	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD16		300MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934070268115	귀 99	8541.21.0095	3,000													50V	100ma	1µA	1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	150mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V	-	47kohms	47kohms
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PBSS303PX	-	RFQ	5842	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인								다운로드						0000.00.0000	1
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buk9y107-80ex	0.6700	RFQ	7824	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	buk9y107	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널	80 v	11.8A (TC)	5V	98mohm @ 5a, 10V	2.1v @ 1ma	6.2 NC @ 5 v	± 10V	706 pf @ 25 v	-	37W (TC)
BUK962R6-40E, 118	-	RFQ	3214	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK962	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	100A (TC)	5V, 10V	2.4mohm @ 25a, 10V	2.1V @ 250µA	80.6 NC @ 32 v	± 10V	10285 pf @ 25 v	-	263W (TC)
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pmv100xpear	0.4600	RFQ	26	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV100	MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.4A (TA)	2.5V, 4.5V	128mohm @ 2.4a, 4.5v	1.25V @ 250µA	6 NC @ 4.5 v	± 12V	386 pf @ 10 v	-	463MW (TA), 1.9W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²