SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PBHV9040ZF Nexperia USA Inc. PBHV9040ZF 0.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV9040 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 400 v 250 MA 100NA PNP 200mv @ 20ma, 100ma 100 @ 50MA, 10V 55MHz
PSMN1R1-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-25YLC, 115 1.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 83 NC @ 10 v ± 20V 5287 pf @ 12 v - 215W (TC)
PEMD12,115 Nexperia USA Inc. PEMD12,115 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD12 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
BC856SH-QF Nexperia USA Inc. BC856SH-QF 0.0305
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS, 118 3.5600
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN1R7 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 v ± 20V 9997 pf @ 30 v - 306W (TC)
BCP55-QF Nexperia USA Inc. BCP55-QF 0.1132
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCP55-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BUK9506-40B,127 Nexperia USA Inc. BUK9506-40B, 127 -
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA 44 NC @ 5 v ± 15V 4901 pf @ 25 v - 203W (TC)
PBSS5360Z-QX Nexperia USA Inc. PBSS5360Z-QX 0.1524
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5360Z-QXTR 귀 99 8541.21.0075 1,000 60 v 3 a 100NA PNP 550MV @ 300MA, 3A 150 @ 50MA, 5V 130MHz
PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ370Unyl 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ370 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.8V, 4.5V 490mohm @ 500ma, 4.5v 1.05V @ 250µA 1.16 NC @ 4.5 v ± 8V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
BF822-QR Nexperia USA Inc. BF822-QR 0.0914
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BF822-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 250 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PUMD48-QZ Nexperia USA Inc. PUMD48-QZ 0.0402
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD48 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PUMD48-QZTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma / 100mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 47kohms, 2.2kohms 47kohms
PBSS302ND-QH Nexperia USA Inc. PBSS302ND-QH 0.2082
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS302 360 MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS302ND-QHTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 4 a 100NA NPN 450MV @ 600MA, 6A 300 @ 1a, 2v 150MHz
ON5463,118 Nexperia USA Inc. on5463,118 -
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065694118 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
PMPB30XPEX Nexperia USA Inc. pmpb30xpex 0.1228
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - PMPB30 - - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 8.5A (TJ) - - - +8V, -12V - -
PMPB12UNEX Nexperia USA Inc. pmpb12unex 0.5300
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB12 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 11.4A (TA) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 7.9a, 4.5v 900MV @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 12V 1220 pf @ 10 v - 470MW (TA)
PSMN1R6-60CLJ Nexperia USA Inc. PSMN1R6-60CLJ -
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - PSMN1R6 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067535118 귀 99 8541.29.0095 800 - - - - - -
BF820,215 Nexperia USA Inc. BF820,215 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF820 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PMPB100ENEAX Nexperia USA Inc. PMPB100ENEAX -
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB100 - DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070699115 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - ± 20V - -
PHPT60410NY,115 Nexperia USA Inc. PHPT60410NY, 115 -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
PUMB3HF Nexperia USA Inc. pumb3hf -
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb3 240MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-pumb3hf 쓸모없는 1 50V 100ma 100NA 2 pnp 프리 p p (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 180MHz 4.7kohms -
PMH400UNEH Nexperia USA Inc. pmh400onh 0.3600
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH400 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.5V, 4.5V 460mohm @ 700ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.93 nc @ 4.5 v ± 8V 4540 pf @ 15 v - 360MW (TA), 2.23W (TC)
PUMH10-QAX Nexperia USA Inc. pumh10-qax 0.0473
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh10 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumh10-qaxtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2kohms 47kohms
PBLS1504Y-QX Nexperia USA Inc. PBLS1504Y-QX 0.1055
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PBLS1504 200MW 6-TSSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBLS1504Y-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 15V 100ma, 500ma 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 50ma, 500ma 60 @ 5ma, 5v / 200 @ 10ma, 2v 280MHz 22kohms 22kohms
BCP53-16T,115 Nexperia USA Inc. BCP53-16T, 115 0.0500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 6,099
PSMN4R8-100PSEQ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSEQ 5.3900
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn4r8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TJ) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 278 NC @ 10 v ± 20V 14400 pf @ 50 v - 405W (TC)
BUK7K5R1-30E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K5R1-30E, 115 1.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk7k5 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 40a 5.1MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 31.1NC @ 10V 2352pf @ 25v 논리 논리 게이트
PSMNR67-30YLEX Nexperia USA Inc. psmnr67-30ylex 3.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmnr67 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 365A (TA) 7V, 10V 0.7mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 185 NC @ 10 v ± 20V 12417 pf @ 15 v - 333W (TA)
PSMNR82-30YLEX Nexperia USA Inc. psmnr82-30ylex 3.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmnr82 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 330A (TA) 7V, 10V 0.87mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 149 NC @ 10 v ± 20V 10131 pf @ 15 v - 268W (TA)
PSMN070-200B,118-NEX Nexperia USA Inc. PSMN070-200B, 118- 넥스 -
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 200 v 35A (TA) 70mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 v ± 20V 4570 pf @ 25 v - 250W (TA)
PMV37ENER Nexperia USA Inc. PMV37ENER 0.4100
RFQ
 ECAD 709 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PMV37ENERTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 49mohm @ 3.5a, 10V 2.7V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 30 v - 710MW (TA), 8.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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