SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK6D120-40EX Nexperia USA Inc. BUK6D120-40EX 0.4200
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d120 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.9A (TA), 5.7A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.9a, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 113 pf @ 20 v - 2W (TA), 7.5W (TC)
NX7002BKMBYL Nexperia USA Inc. NX7002BKMBYL 0.3300
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn NX7002 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 350MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 350MW (TA), 3.1W (TC)
BUK763R8-80E118 Nexperia USA Inc. BUK763R8-80E118 -
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
BUK9Y19-55B/C2,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-55B/C2,115 -
RFQ
ECAD 2557 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 55 v 46A 17.3MOHM @ 20A, 10V 2V @ 1mA 18 nc @ 5 v 1992 pf @ 25 v -
PMCM6501VNEZ Nexperia USA Inc. PMCM6501VNEZ 0.5900
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP PMCM6501 MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,500 n 채널 12 v 7.3A (TA) 1.5V, 4.5V 18mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 8V 920 pf @ 6 v - 556MW (TA), 12.5W (TC)
PBSS4230PANP,115 Nexperia USA Inc. PBSS4230PANP, 115 0.5900
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS4230 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 2A 100NA (ICBO) NPN, PNP 290mv @ 200ma, 2a 200 @ 1a, 2v 120MHz
NX7002AKS/ZLX Nexperia USA Inc. NX7002AKS/ZLX -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX7002 MOSFET (금속 (() 1.06W 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070251115 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 170ma (TA) 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43NC @ 4.5V 17pf @ 10V -
BCV47-QR Nexperia USA Inc. BCV47-QR 0.0780
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCV47-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1v @ 1ma, 100ma 10000 @ 100MA, 5V -
BUK9607-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK9607-30B, 118 -
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA 32 NC @ 5 v ± 15V 3373 pf @ 25 v - 157W (TC)
PMCM4401UPEZ Nexperia USA Inc. PMCM4401UPEZ 0.4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP PMCM4401 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.78x0.78) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 9,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 420 pf @ 10 v - 400MW (TA), 12.5W (TC)
PMN48XPA,115 Nexperia USA Inc. PMN48XPA, 115 -
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 p 채널 20 v 4.1A (TA) 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 530MW (TA), 6.25W (TC)
BC807-25-QVL Nexperia USA Inc. BC807-25-QVL 0.0204
RFQ
ECAD 5962 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC807-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
PUMD6HF Nexperia USA Inc. pumd6hf -
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd6 240MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-pumd6hf 쓸모없는 1 50V 100ma 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 100mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 230MHz, 180MHz 4.7kohms -
PMN50EPEX Nexperia USA Inc. pmn50epex 0.1916
RFQ
ECAD 2785 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN50 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 793 pf @ 15 v - 560MW (TA), 6.25MW (TC)
BSS84AKW,115 Nexperia USA Inc. BSS84AKW, 115 0.2700
RFQ
ECAD 106 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 150MA (TA) 10V 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 260MW (TA), 830MW (TC)
PBSS4480XZ Nexperia USA Inc. PBSS4480XZ 0.5300
RFQ
ECAD 996 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4480 550 MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 4 a 100NA NPN 270mv @ 500ma, 5a 250 @ 1a, 2v 120MHz
PBSS304NXZ Nexperia USA Inc. PBSS304NXZ 0.2545
RFQ
ECAD 5842 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS304 SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 4.7 a 100NA (ICBO) NPN 290mv @ 80ma, 4a 300 @ 500ma, 2V 130MHz
PSMN6R1-25MLD,115 Nexperia USA Inc. psmn6r1-25mld, 115 -
RFQ
ECAD 8725 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
PH2520U,115 Nexperia USA Inc. PH2520U, 115 -
RFQ
ECAD 4156 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 20 v 100A (TC) 2.7mohm @ 25a, 4.5v 950mv @ 1ma 78 NC @ 4.5 v 5850 pf @ 10 v -
2PA1774QMB,315 Nexperia USA Inc. 2PA1774QMB, 315 0.0549
RFQ
ECAD 1249 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn 2PA1774 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065894315 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc. psmn3r5-80ysfx 2.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 150A (TA) 7V, 10V 3.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 108 NC @ 10 v ± 20V 7227 pf @ 40 v - 294W (TA)
NX7002AK,215 Nexperia USA Inc. NX7002AK, 215 0.2000
RFQ
ECAD 785 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 190ma (TA) 5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nc @ 4.5 v ± 20V 17 pf @ 10 v - 265MW (TA), 1.33W (TC)
PMP5201Y,135 Nexperia USA Inc. PMP5201Y, 135 0.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP5201 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BUK3F00-50WDFE,518 Nexperia USA Inc. Buk3f00-50wdfe, 518 -
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935284294518 쓸모없는 0000.00.0000 1
PMFPB8032XP,115 Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP, 115 0.6000
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PMFPB8032 MOSFET (금속 (() 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TA) 4.5V 102mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 8.6 NC @ 4.5 v ± 12V 550 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 485MW (TA), 6.25W (TC)
BUK7611-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7611-55A, 118 -
RFQ
ECAD 1353 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3093 pf @ 25 v - 166W (TC)
BUK6607-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6607-75C, 118 -
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 123 NC @ 10 v ± 16V 7600 pf @ 25 v - 204W (TC)
BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-100E, 115 1.4000
RFQ
ECAD 5355 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y19 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 56A (TC) 5V 18mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 39 NC @ 5 v ± 10V 5085 pf @ 25 v - 167W (TC)
NX7002BKHH Nexperia USA Inc. NX7002BKHH 0.2700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn NX7002 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 350MA (TA) 4.5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 22.2 pf @ 30 v - 380MW (TA), 2.8W (TC)
PSMN038-100HSX Nexperia USA Inc. PSMN038-100HSX 1.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PSMN038 MOSFET (금속 (() 53W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 21.4A (TA) 37.6MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 25.9NC @ 10V 1533pf @ 25v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고