SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK9Y19-75B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-75B, 115 1.4200
RFQ
ECAD 5408 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y19 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 75 v 48.2A (TC) 5V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 30 nc @ 5 v ± 15V 3096 pf @ 25 v - 106W (TC)
BUK7S0R7-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S0R7-40HJ 6.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 BUK7S0 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 425A (TA) 10V 0.7mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 202 NC @ 10 v +20V, -10V 15719 pf @ 25 v - 375W (TA)
PUMD16/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD16/ZLX -
RFQ
ECAD 1959 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD16 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070268115 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V - 47kohms 47kohms
PEMD15,115 Nexperia USA Inc. PEMD15,115 0.1074
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD15 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 4.7kohms
BUK9Y107-80EX Nexperia USA Inc. buk9y107-80ex 0.6700
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y107 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 11.8A (TC) 5V 98mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 6.2 NC @ 5 v ± 10V 706 pf @ 25 v - 37W (TC)
BC857A-QR Nexperia USA Inc. BC857A-QR 0.0163
RFQ
ECAD 7875 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc. PMZB600UNELYL 0.3700
RFQ
ECAD 349 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB600 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 600MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 360MW (TA)
PMPB10XNEZ Nexperia USA Inc. pmpb10xnez 0.5000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TA) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 9a, 4.5v 900MV @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 12V 2175 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK7K134-100EX Nexperia USA Inc. BUK7K134-100EX 1.0300
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K134 MOSFET (금속 (() 32W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 9.8A 121mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 10.5nc @ 10v 564pf @ 25v -
PSMN2R8-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-40BS, 118 -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn2r8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 71 NC @ 10 v ± 20V 4491 pf @ 20 v - 211W (TC)
BCX54-10,115 Nexperia USA Inc. BCX54-10,115 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX54 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMV37ENEAR Nexperia USA Inc. PMV37ENEAR 0.4300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV37 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 49mohm @ 3.5a, 10V 2.7V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 30 v - 710MW (TA), 8.3W (TC)
2N7002PS,115 Nexperia USA Inc. 2N7002PS, 115 0.4500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 420MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 320MA 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
PSMN1R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLDX 2.0500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.02mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 121.35 nc @ 10 v ± 20V 8598 pf @ 15 v - 238W (TC)
PSMN4R8-100BSE,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSE, 118 -
RFQ
ECAD 4258 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn4r8 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 -
PZTA92-QX Nexperia USA Inc. PZTA92-QX 0.1954
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA92 1.2 w SOT-223 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pzta92-qxtr 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 50MHz
PMZ950UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ950UPEYL 0.4200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ950 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 500MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
PMN27XPE,115 Nexperia USA Inc. PMN27XPE, 115 -
RFQ
ECAD 9173 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 22.5 nc @ 4.5 v ± 12V 1770 pf @ 10 v - 530MW (TA), 8.33W (TC)
PUMD2/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD2/ZLX -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PUMD2/ZLX-1727 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz, 180MHz 22kohms 22kohms
BC846S/DG/B4X Nexperia USA Inc. BC846S/DG/B4X -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069961115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PMV100XPEAR Nexperia USA Inc. pmv100xpear 0.4600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV100 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.4A (TA) 2.5V, 4.5V 128mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 386 pf @ 10 v - 463MW (TA), 1.9W (TC)
BUK9875-100A/CU,115 Nexperia USA Inc. BUK9875-100A/CU, 115 1.0000
RFQ
ECAD 9112 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK663R5-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK663R5-55C, 118 -
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 191 NC @ 10 v ± 16V 11516 pf @ 25 v - 263W (TC)
PDTC114YU-QX Nexperia USA Inc. PDTC114YU-QX 0.0365
RFQ
ECAD 7697 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC114YU-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BCW32,215 Nexperia USA Inc. BCW32,215 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW32 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 210MV @ 2.5MA, 50MA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK6210-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK6210-55C, 118 -
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 78A (TC) 10V 9.6mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 63 NC @ 10 v ± 16V 4000 pf @ 25 v - 128W (TC)
BC850B,215 Nexperia USA Inc. BC850B, 215 0.2200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R3-40YS, 115 0.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn8r3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 70A (TC) 10V 8.6mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 20V 1215 pf @ 20 v - 74W (TC)
PDTC114EQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTC114EQC-QZ 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC114 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BUK7M19-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M19-60EX 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M19 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 35.8A (TC) 10V 19mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 17.3 NC @ 10 v ± 20V 1055 pf @ 25 v - 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고