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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN022-30BL,118 Nexperia USA Inc. PSMN022-30BL, 118 0.9800
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN022 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 22.6MOHM @ 5A, 10V 2.15v @ 1ma 9 NC @ 10 v ± 20V 447 pf @ 15 v - 41W (TC)
BC857BSHF Nexperia USA Inc. BC857BSHF -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC857BSHF 쓸모없는 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC857CW,115 Nexperia USA Inc. BC857CW, 115 0.1700
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK9M43-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M43-100EX 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M43 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 25A (TC) 5V 43mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 20.2 NC @ 5 v ± 10V 2309 pf @ 25 v - 80W (TC)
BUK9M24-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M24-40EX 0.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M24 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 30A (TC) 5V 20mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 7.7 NC @ 5 v ± 10V 798 pf @ 25 v - 44W (TC)
PUMD12/DG/B4X Nexperia USA Inc. PUMD12/DG/B4X -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD12 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069966115 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz, 180MHz 47kohms 47kohms
BC53PA,115 Nexperia USA Inc. BC53PA, 115 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC53 420 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y, 115 1.1900
RFQ
ECAD 8933 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN059 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 59mohm @ 12a, 10V 4V @ 1MA 27.9 NC @ 10 v ± 20V 1529 pf @ 30 v - 113W (TC)
BUK7107-55AIE,118 Nexperia USA Inc. BUK7107-55AIE, 118 -
RFQ
ECAD 2274 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
PHD101NQ03LT,118 Nexperia USA Inc. phd101nq03lt, 118 -
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD101 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 23 nc @ 5 v ± 20V 2180 pf @ 25 v - 166W (TC)
PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc. PHB33NQ20T, 118 2.0600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB33NQ20 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 32.7a (TC) 10V 77mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 32.2 NC @ 10 v ± 20V 1870 pf @ 25 v - 230W (TC)
PMN27UPH Nexperia USA Inc. pmn27uph -
RFQ
ECAD 8713 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064768125 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.7A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 2.4a, 4.5v 950MV @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 8V 2340 pf @ 10 v - 540MW (TA), 6.25W (TC)
BC807-25W-QF Nexperia USA Inc. BC807-25W-QF 0.0307
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-25W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
PUMD6H-QX Nexperia USA Inc. PUMD6H-QX 0.0319
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumd6 240MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-pumd6h-qx 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 230MHz, 180MHz 4.7kohms -
BC807-16W-QF Nexperia USA Inc. BC807-16W-QF 0.0307
RFQ
ECAD 3430 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-16W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
PSMN6R0-30YLB,115 Nexperia USA Inc. PSMN6R0-30YLB, 115 0.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn6r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 71A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 19 NC @ 10 v ± 20V 1088 pf @ 15 v - 58W (TC)
PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB950UPEYL 0.4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMZB950 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 500MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
SPD07N60C3BTMA1 Nexperia USA Inc. SPD07N60C3BTMA1 1.8700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - 2156-SPD07N60C3BTMA1 161
PHPT60406PYX Nexperia USA Inc. phpt60406pyx 0.6700
RFQ
ECAD 566 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60406 1.35 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 40 v 6 a 100NA PNP 540mv @ 300ma, 6a 210 @ 500ma, 2V 110MHz
PBSS5260PAPSX Nexperia USA Inc. PBSS5260PAPSX 0.6000
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PBSS5260 370MW DFN2020D-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 2A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 200ma, 2a 110 @ 1a, 2v 100MHz
NHDTA143ZUX Nexperia USA Inc. NHDTA143ZUX 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA143 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BUK7210-55B,118 Nexperia USA Inc. BUK7210-55B, 118 -
RFQ
ECAD 6537 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 185 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 35 NC @ 10 v ± 20V 2453 pf @ 25 v - 167W (TC)
PSMN8R0-40PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40PS, 127 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn8r0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 77A (TC) 10V 7.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 v ± 20V 1262 pf @ 12 v - 86W (TC)
BUK9Y65-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y65-100E, 115 0.8400
RFQ
ECAD 8549 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y65 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 19A (TC) 5V 63.3mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 14 nc @ 5 v ± 10V 1523 pf @ 25 v - 64W (TC)
BC807-40LVL Nexperia USA Inc. BC807-40LVL 0.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PMN100EPAX Nexperia USA Inc. PMN100epax 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN100 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2.5a, 10V 3.2V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 616 pf @ 30 v - 660MW (TA), 7.5W (TC)
BC857B,235 Nexperia USA Inc. BC857B, 235 0.1400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK7S0R5-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S0R5-40HJ 6.5300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 500A (TA) 10V 0.55mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 267 NC @ 10 v +20V, -10V 21162 pf @ 25 v - 375W (TA)
BUK6D43-40P,115 Nexperia USA Inc. BUK6D43-40P, 115 -
RFQ
ECAD 9151 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PSMN006-20K,518 Nexperia USA Inc. PSMN006-20K, 518 -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 32A (TC) 1.8V, 4.5V 5MOHM @ 5A, 4.5V 700mv @ 1ma (유형) 32 NC @ 2.5 v ± 10V 4350 pf @ 20 v - 8.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고