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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZTA14-QX Nexperia USA Inc. PZTA14-QX 0.1474
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1.25 w SOT-223 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pzta14-qxtr 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
PSMN1R5-40ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R5-40ES, 127 -
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 136 NC @ 10 v ± 20V 9710 pf @ 20 v - 338W (TC)
PUMD48/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD48/ZLX -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD48 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 47kohms, 2.2kohms 47kohms
BUK6C3R3-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6C3R3-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 181A (TC) 10V 3.4mohm @ 90a, 10V 2.8V @ 1MA 253 NC @ 10 v ± 16V 15800 pf @ 25 v - 300W (TC)
PHP33NQ20T,127 Nexperia USA Inc. PHP33NQ20T, 127 2.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP33NQ20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 32.7a (TC) 10V 77mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 32.2 NC @ 10 v ± 20V 1870 pf @ 25 v - 230W (TC)
PUMH7HF Nexperia USA Inc. pumh7hf -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh7 240MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-pumh7hf 쓸모없는 1 50V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 230MHz 4.7kohms -
PHKD13N03LT,518 Nexperia USA Inc. phkd13n03lt, 518 -
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) phkd13 MOSFET (금속 (() 3.57W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 934057755518 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 10.4a 20mohm @ 8a, 10V 2V @ 250µA 10.7nc @ 5v 752pf @ 15V 논리 논리 게이트
PBSS5160U-QX Nexperia USA Inc. PBSS5160U-QX 0.0845
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PBSS5160 250 MW SOT-323 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5160U-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 700 MA 100NA PNP 340mv @ 100ma, 1a 200 @ 1ma, 5V 185MHz
PMV130ENEA,215 Nexperia USA Inc. PMV130ENEA, 215 -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000
PBSS5360XX Nexperia USA Inc. PBSS5360XX 0.4700
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA PBSS5360 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 3 a 100NA PNP 550MV @ 3A, 300MA 80 @ 3a, 5V 65MHz
BSP230,135 Nexperia USA Inc. BSP230,135 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP230 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 300 v 210MA (TA) 10V 17ohm @ 170ma, 10V 2.55V @ 1MA ± 20V 90 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-40YLC, 115 1.9100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R8 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 96 NC @ 10 v ± 20V 6680 pf @ 20 v - 272W (TC)
PDTA124EQA Nexperia USA Inc. PDTA124EQA -
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA124 다운로드 0000.00.0000 1
PMN30XPX Nexperia USA Inc. pmn30xpx 0.4900
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN30 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.2A (TA) 1.5V, 4.5V 34mohm @ 5.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 12V 1575 pf @ 10 v - 550MW (TA), 6.25W (TC)
PMN55ENEX Nexperia USA Inc. PMN55ENEX 0.5300
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN55 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.4a, 10V 2.7V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 646 pf @ 30 v - 560MW (TA), 6.25W (TC)
BC857BS-QF Nexperia USA Inc. BC857BS-QF 0.0353
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 200 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PUMH9,165 Nexperia USA Inc. PUMH9,165 0.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
BCP56-QX Nexperia USA Inc. BCP56-QX 0.1038
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BCP56-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BUK763R4-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK763R4-30B, 118 -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK763 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 75 NC @ 10 v ± 20V 4951 pf @ 25 v - 255W (TC)
PBSS302ND-QX Nexperia USA Inc. PBSS302ND-QX 0.2082
RFQ
 ECAD 1819 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS302 360 MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS302ND-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 4 a 100NA NPN 450MV @ 600MA, 6A 300 @ 1a, 2v 150MHz
PSMN025-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN025-80YLX 0.9300
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN025 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 37A (TC) 5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 17.1 NC @ 5 v ± 20V 2703 pf @ 25 v - 95W (TC)
BC56PASX Nexperia USA Inc. BC56PASX 0.0936
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC56 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
NMBT3906VL Nexperia USA Inc. NMBT3906VL -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
PSMN4R5-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R5-30YLC, 115 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn4r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 84A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 20.5 nc @ 10 v ± 20V 1324 pf @ 15 v - 61W (TC)
BUK9M42-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M42-60EX 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M42 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 22A (TC) 5V 37mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 8.3 NC @ 5 v ± 10V 867 pf @ 25 v - 44W (TC)
2N7002NXBKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXBKR 0.2100
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 270MA (TA), 330MA (TC) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 310MW (TA), 1.67W (TC)
PSMN1R5-25MLHX Nexperia USA Inc. psmn1r5-25mlhx 1.7100
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN1R5 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 150A (TA) 4.5V, 10V 1.81mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 58 NC @ 10 v ± 20V 3167 pf @ 12 v - 106W (TA)
BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856BQC-QZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC856XQC-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC856 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
2PA1576R,115 Nexperia USA Inc. 2PA1576R, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PA1576 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 100MHz
BUK9675-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9675-100A, 118 1.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9675 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 23A (TC) 5V, 10V 72mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA ± 15V 1704 pf @ 25 v - 99W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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