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트랜지스터 (4628)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BC55PAS-QX	0.0962	RFQ	4114	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)		표면 표면	3-udfn n 패드			420 MW	DFN2020D-3	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BC55PAS-QXTR	귀 99	8541.21.0075	3,000														60 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	180MHz
PSMN014-60HSX	1.7000	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56	PSMN014	MOSFET (금속 (()	53W (TA)	LFPAK56D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널)			60V	30A (TA)		14mohm @ 10a, 10V	4V @ 1MA	23.6NC @ 10V		1578pf @ 25v	-
BUK7510-55AL, 127	-	RFQ	8899	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	마지막으로 마지막으로		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3	BUK7510	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	-				1727-BUK7510-55AL, 127	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		55 v	75A (TA)	10V	10mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	124 NC @ 10 v	± 20V	6280 pf @ 25 v	-	300W (TA)
BC54-10PA-QX	0.0923	RFQ	5011	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)		표면 표면	3-powerudfn			420 MW	3- 휴슨 (2x2)	-	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0075	3,000														45 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 500ma	63 @ 150ma, 2V	180MHz
pmn30eneah	0.1258	RFQ	1965	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SC-74, SOT-457		MOSFET (금속 (()		6TSOP	-	Rohs3 준수			1727-pmn30eneahtr	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		40 v	5.4A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 5.4a, 10V	2.5V @ 250µA	11.7 NC @ 10 v	± 20V	440 pf @ 20 v	-	667MW (TA), 7.5W (TC)
PMPB14XPZ	0.1502	RFQ	6368	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB14	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드					귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		12 v	8.6A (TA)	1.8V, 4.5V	19mohm @ 8.6a, 4.5v	900MV @ 250µA	42 NC @ 4.5 v	± 8V	2303 pf @ 6 v	-	1.8W (TA), 15.6W (TC)
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PSMN017-60ys, 115	0.8900	RFQ	80	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN017	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널		60 v	44A (TC)	10V	15.7mohm @ 15a, 10V	4V @ 1MA	20 nc @ 10 v	± 20V	1172 pf @ 30 v	-	74W (TC)
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BUK9Y12-55B, 115	-	RFQ	2048	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SC-100, SOT-669	buk9y12	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널		55 v	61.8A (TC)	5V, 10V	11mohm @ 20a, 10V	2.15v @ 1ma	32 NC @ 5 v	± 15V	2880 pf @ 25 v	-	106W (TC)
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PMPB08R6ENX	0.4200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB08	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	11A (TA)		10.5mohm @ 11a, 10V	2V @ 250µA	20.6 NC @ 10 v	± 20V	840 pf @ 15 v	-	1.9W (TA), 12.5W (TC)
BUK7610-100B, 118	-	RFQ	4472	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK7610	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		100 v	75A (TC)	10V	10mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	80 nc @ 10 v	± 20V	6773 pf @ 25 v	-	300W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (4628)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²