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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTC124EU-QX Nexperia USA Inc. PDTC124EU-QX 0.0365
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC124EU-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BUK7510-55AL,127 Nexperia USA Inc. BUK7510-55AL, 127 -
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK7510 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1727-BUK7510-55AL, 127 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TA) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 6280 pf @ 25 v - 300W (TA)
PMPB14XPZ Nexperia USA Inc. PMPB14XPZ 0.1502
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB14 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8.6A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 8V 2303 pf @ 6 v - 1.8W (TA), 15.6W (TC)
BC54-10PA-QX Nexperia USA Inc. BC54-10PA-QX 0.0923
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn 420 MW 3- 휴슨 (2x2) - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMN30ENEAH Nexperia USA Inc. pmn30eneah 0.1258
RFQ
 ECAD 1965 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP - Rohs3 준수 1727-pmn30eneahtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 5.4A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 5.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11.7 NC @ 10 v ± 20V 440 pf @ 20 v - 667MW (TA), 7.5W (TC)
PMPB95ENEA/S500X Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA/S500X 0.1100
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 - 2156-PMPB95ENEA/S500X 2,500 n 채널 80 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 2.8a, 10v 2.7V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 504 pf @ 40 v - 1.6W (TA), 15.6W (TC)
PDTC144EU/6X Nexperia USA Inc. PDTC144EU/6x 0.0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SC-70 - 2156-PDTC144EU/6X 15,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47 Kohms 47 Kohms
PMZ350UPE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZ350UPE/S500YL 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 - 2156-PMZ350UPE/S500YL 8,800 p 채널 20 v 1A (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 300ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 v ± 8V 127 pf @ 10 v - 360MW (TA), 3.13W (TC)
BUK4D16-20X Nexperia USA Inc. BUK4D16-20X 0.1675
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk4d MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8.5A (TA), 26A (TC) 2.5V, 8V 14mohm @ 9a, 8v 1.3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 931 pf @ 10 v - 2W (TA), 19W (TC)
BUK4D110-20PX Nexperia USA Inc. BUK4D110-20PX 0.1183
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk4d MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.4A (TA), 6.7A (TC) 2.5V, 8V 96mohm @ 3.4a, 8v 1.3V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 12V 365 pf @ 10 v - 2W (TA), 7.5W (TC)
PMPB07R3ENAX Nexperia USA Inc. pmpb07r3enax 0.1948
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 12a, 10V 2.2V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 914 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 12.5W (TC)
BUK7S1R0-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S1R0-40HJ 4.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 BUK7S1 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 325A (TA) 10V 1MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 137 NC @ 10 v +20V, -10V 10322 pf @ 25 v - 375W (TA)
PSMNR51-25YLHX Nexperia USA Inc. psmnr51-25ylhx 3.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmnr51 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 380A (TA) 4.5V, 10V 0.57mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 113 NC @ 10 v ± 20V 6990 pf @ 12 v - 333W (TA)
BC846BS-QF Nexperia USA Inc. BC846BS-QF 0.0386
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC846BS-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PH6930DLX Nexperia USA Inc. ph6930dlx -
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067886115 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
BUK6D72-30EX Nexperia USA Inc. BUK6D72-30EX 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d72 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA), 11a (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 3.3 NC @ 10 v ± 20V 100 pf @ 15 v - 2W (TA), 15W (TC)
BUK7207-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK7207-30B, 118 -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 185 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 25 v - 167W (TC)
BCX51TF Nexperia USA Inc. BCX51TF 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX51 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
BC817-16QBH-QZ Nexperia USA Inc. BC817-16QBH-QZ 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817QBH-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 420 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BUK9M9R5-40HX Nexperia USA Inc. BUK9M9R5-40HX 0.9100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk9m9 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 40A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 24 nc @ 10 v +16V, -10V 1537 pf @ 25 v - 55W (TA)
BUK9107-55ATE,118 Nexperia USA Inc. BUK9107-55ATE, 118 -
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 1mA 108 NC @ 5 v ± 15V 5836 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
PHPT610030NPK,115 Nexperia USA Inc. PHPT610030NPK, 115 -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMDXB950UPEL/S500Z Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL/S500Z 0.0800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB950 MOSFET (금속 (() 265MW (TA), 4.025W (TC) DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2156-PMDXB950UPEL/S500Z 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 43pf @ 10V -
PMPB14R0EPX Nexperia USA Inc. pmpb14r0epx 0.5500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB14 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 9A (TA) 16mohm @ 8.5a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 227 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 12.5W (TC)
PHP29N08T,127 Nexperia USA Inc. PHP29N08T, 127 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP29N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 27A (TC) 11V 50mohm @ 14a, 11v 5V @ 2MA 19 NC @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 88W (TC)
PSMN005-75P,127 Nexperia USA Inc. PSMN005-75p, 127 1.7968
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN005 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 165 NC @ 10 v ± 20V 8250 pf @ 25 v - 230W (TC)
PMST5089,115 Nexperia USA Inc. PMST5089,115 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5089 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 400 @ 100µa, 5V 100MHz
PBSS4230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4230QAZ 0.1035
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBSS4230 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 190mv @ 50ma, 1a 100 @ 2a, 2v 190mhz
BUK6D43-40PX Nexperia USA Inc. BUK6D43-40PX 0.5100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d43 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6A (TA) 4.5V, 10V 43mohm @ 6a, 10V 2.7V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 20 v - 15W (TC)
NX138BKWF Nexperia USA Inc. NX138BKWF 0.0311
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070157135 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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