SIC
close

트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PBSS302ND-QX Nexperia USA Inc. PBSS302ND-QX 0.2082
RFQ
 ECAD 1819 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS302 360 MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS302ND-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 4 a 100NA NPN 450MV @ 600MA, 6A 300 @ 1a, 2v 150MHz
BUK763R4-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK763R4-30B, 118 -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK763 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 75 NC @ 10 v ± 20V 4951 pf @ 25 v - 255W (TC)
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60BS, 118 1.6400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn7r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 92A (TC) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 38.7 NC @ 10 v ± 20V 2651 pf @ 30 v - 149W (TC)
PSMN2R0-25MLDX Nexperia USA Inc. psmn2r0-25mldx 1.1700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN2R0 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 2.27mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 34.4 NC @ 10 v ± 20V 2490 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 74W (TC)
PSMN025-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN025-80YLX 0.9300
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN025 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 37A (TC) 5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 17.1 NC @ 5 v ± 20V 2703 pf @ 25 v - 95W (TC)
NMBT3906VL Nexperia USA Inc. NMBT3906VL -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
PMV130ENEA,215 Nexperia USA Inc. PMV130ENEA, 215 -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000
PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-40YLC, 115 1.9100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R8 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 96 NC @ 10 v ± 20V 6680 pf @ 20 v - 272W (TC)
PSMN7R8-120PS127 Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120PS127 -
RFQ
 ECAD 1684 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK7207-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK7207-30B, 118 -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 185 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 20V 2245 pf @ 25 v - 167W (TC)
BCX51TF Nexperia USA Inc. BCX51TF 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX51 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
BC817-16QBH-QZ Nexperia USA Inc. BC817-16QBH-QZ 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817QBH-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 420 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PHPT610030NPK,115 Nexperia USA Inc. PHPT610030NPK, 115 -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMPB14R0EPX Nexperia USA Inc. pmpb14r0epx 0.5500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB14 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 9A (TA) 16mohm @ 8.5a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 227 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 12.5W (TC)
PBSS4230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4230QAZ 0.1035
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBSS4230 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 190mv @ 50ma, 1a 100 @ 2a, 2v 190mhz
NX138BKWF Nexperia USA Inc. NX138BKWF 0.0311
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070157135 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v -
BUK7M15-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M15-60EX 0.8800
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M15 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 42.9A (TC) 10V 15mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 19.4 NC @ 10 v ± 20V 1262 pf @ 25 v - 62W (TC)
PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLDX 2.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK psmn0r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.87mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 109 NC @ 10 v ± 20V 7668 pf @ 15 v - 291W
NX138BKSF Nexperia USA Inc. NX138BKSF 0.0534
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX138 MOSFET (금속 (() 860MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070156135 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 330ma (TC) 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7NC @ 10V 20pf @ 30V -
PH2530AL,115 Nexperia USA Inc. PH2530AL, 115 -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 PH2530 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063084115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 2.4mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 57 NC @ 10 v 3468 pf @ 12 v - -
NX6020CAKS,115 Nexperia USA Inc. NX6020CAKS, 115 -
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1
NX5008NBKHH Nexperia USA Inc. NX5008NBKHH 0.3800
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn NX5008 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 50 v 350MA (TA) 2.8ohm @ 200ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 30 pf @ 25 v - 380MW (TA), 2.8W (TC)
BC847-QVL Nexperia USA Inc. BC847-QVL 0.0210
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC847-QVLTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PBSS4021PT-QR Nexperia USA Inc. PBSS4021PT-QR 0.1740
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 390 MW TO-236AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4021PT-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 3.5 a 100NA PNP 330mv @ 400ma, 4a 250 @ 500ma, 2V 155MHz
BUK763R1-40B Nexperia USA Inc. BUK763R1-40B -
RFQ
 ECAD 8671 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PXP011-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP011-20QXJ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10.5A (TA), 56.6A (TC) 2.5V, 4.5V 11.4mohm @ 10.5a, 4.5v 1.25V @ 250µA 65.1 NC @ 4.5 v ± 12V 4200 pf @ 10 v - 1.8W (TA), 50W (TC)
PMPB16R5XNEX Nexperia USA Inc. pmpb16r5xnex 0.5000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TA) 1.5V, 4.5V 19mohm @ 4.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V 1150 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M85-60EX 0.6000
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M85 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 12.8A (TC) 5V 73mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 4.4 NC @ 5 v ± 10V 434 pf @ 25 v - 31W (TC)
BUK7S0R9-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S0R9-40HJ -
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 BUK7S0 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 375A (TA) 10V 0.9mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 166 NC @ 32 v +20V, -10V 12888 pf @ 25 v - 375W (TA)
SPD04N80C3ATMA1 Nexperia USA Inc. SPD04N80C3ATMA1 0.8000
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 - 2156-SPD04N80C3ATMA1 38
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다