SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTA124TM,315 Nexperia USA Inc. PDTA124TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA124 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
2PB709ASW,115 Nexperia USA Inc. 2PB709ASW, 115 0.0393
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PB709 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 290 @ 2MA, 10V 80MHz
PDTB113ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTB113ZT, 215 0.3200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
BCP53-16T,115 Nexperia USA Inc. BCP53-16T, 115 0.0500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 6,099
NHUMD9F Nexperia USA Inc. nhumd9f 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd9 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 10kohms 47kohms
PBSS5230T/ZLR Nexperia USA Inc. PBSS5230T/ZLR -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
PDTC115TT,215 Nexperia USA Inc. PDTC115TT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 1408 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC115 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 100 @ 1ma, 5V 100 KOHMS
BC55-10PA,115 Nexperia USA Inc. BC55-10PA, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC55 650 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PHB110NQ08T,118 Nexperia USA Inc. PHB110NQ08T, 118 1.4760
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 113.1 NC @ 10 v ± 20V 4860 pf @ 25 v - 230W (TC)
NX138BKWX Nexperia USA Inc. NX138BKWX 0.2400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v - 266MW (TA), 1.33W (TC)
BSS84AKS/ZLX Nexperia USA Inc. BSS84AKS/ZLX -
RFQ
 ECAD 3609 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 MOSFET (금속 (() 445MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070249115 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 160MA (TA) 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35NC @ 5V 36pf @ 25V 논리 논리 게이트
PSMN2R2-40YSDX Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40YSDX 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r2 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 180A (TA) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 63 NC @ 10 v ± 20V 5130 pf @ 20 v - 166W (TA)
PDTC123EU,115 Nexperia USA Inc. PDTC123EU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BCV65,215 Nexperia USA Inc. BCV65,215 0.1205
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV65 250MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 30V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP (이미 터 결합 결합) 650MV @ 5MA, 100MA 75 @ 2MA, 5V -
PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. pmdxb600unz 0.4800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB600 MOSFET (금속 (() 265MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 20V 600ma 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 논리 논리 게이트
BUK7510-100B,127 Nexperia USA Inc. BUK7510-100B, 127 -
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK7510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 20V 6773 pf @ 25 v - 300W (TC)
BF820,215 Nexperia USA Inc. BF820,215 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF820 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
MMBT3906,215 Nexperia USA Inc. MMBT3906,215 0.1400
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
BUK664R8-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK664R8-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 120A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 177 NC @ 10 v ± 16V 11400 pf @ 25 v - 263W (TC)
PSMN8R5-100PSFQ Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100PSFQ -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070402127 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 98A (TA) 7V, 10V 8.7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 3181 pf @ 50 v - 183W (TA)
PMCM650VNE/S500Z Nexperia USA Inc. PMCM650VNE/S500Z -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069565023 귀 99 8541.29.0095 9,000 n 채널 12 v 8.4A (TA) 1.5V, 4.5V 25mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 15.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1060 pf @ 6 v - 12.5W (TC)
PMV55ENEAR Nexperia USA Inc. PMV55ENEAR 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV55 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.1a, 10V 2.7V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 646 pf @ 30 v - 478MW (TA), 8.36W (TC)
PHC21025,118 Nexperia USA Inc. PHC21025,118 -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PHC21025 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 2.2a, 10V 2.8V @ 1MA 30NC @ 10V 250pf @ 20V 논리 논리 게이트
BCV61,235 Nexperia USA Inc. BCV61,235 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
BCV61,215 Nexperia USA Inc. BCV61,215 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
PSMN005-75B,118 Nexperia USA Inc. PSMN005-75B, 118 2.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN005 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 165 NC @ 10 v ± 20V 8250 pf @ 25 v - 230W (TC)
SPD04N80C3ATMA1 Nexperia USA Inc. SPD04N80C3ATMA1 0.8000
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 - 2156-SPD04N80C3ATMA1 38
PMPB29XPE,115 Nexperia USA Inc. PMPB29XPE, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB29 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 32.5mohm @ 5a, 4.5v 900MV @ 250µA 45 NC @ 4.5 v ± 12V 2970 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BCP56-16T,115 Nexperia USA Inc. BCP56-16T, 115 -
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BUK6D81-80EX Nexperia USA Inc. BUK6D81-80EX 0.5200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d81 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 3.2A (TA), 9.8A (TC) 4.5V, 10V 81mohm @ 3.2a, 10V 2.7V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 504 pf @ 40 v - 2W (TA), 18.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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