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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BF720,115 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BF720 | 1.2 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300 v | 100 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 30ma | 50 @ 25MA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||
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![]() | phk31nq03lt, 518 | - | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30.4A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 25a, 10V | 2.15v @ 1ma | 33 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4235 pf @ 12 v | - | 6.9W (TC) | ||||||||||||||
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![]() | psmn7r5-30yldx | 0.8000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn7r5 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 51A (TJ) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 15a, 10V | 2.2v @ 1ma | 11.3 NC @ 10 v | ± 20V | 655 pf @ 15 v | - | 34W (TC) | |||||||||||||
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![]() | pumb9,125 | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumb9 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 5ma, 5V | 180MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
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![]() | PUMD48,125 | 0.2900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD48 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 1µA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 150mv @ 500µa, 10ma / 100mv @ 250µa, 5mA | 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10ma, 5V | - | 47kohms, 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
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![]() | pimp32x | 0.4200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | pimp32 | 290MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 500ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 100mv @ 2.5ma, 50ma | 70 @ 50MA, 5V | 140MHz | 2.2kohms | 10kohms | ||||||||||||||||
![]() | psmn8r5-100esq | - | ![]() | 7473 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 100A (TJ) | 10V | 8.5mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 111 NC @ 10 v | ± 20V | 5512 pf @ 50 v | - | 263W (TC) | ||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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