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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK9K134-100EX Nexperia USA Inc. BUK9K134-100EX 1.0400
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K134 MOSFET (금속 (() 32W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 8.5A 159mohm @ 5a, 5V 2.1v @ 1ma 7.4NC @ 5V 755pf @ 25V 논리 논리 게이트
BCX70H,235 Nexperia USA Inc. BCX70H, 235 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
PDTC123JT-QVL Nexperia USA Inc. PDTC123JT-QVL 0.0254
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC123JT-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BUK7907-55ATE127 Nexperia USA Inc. BUK7907-55ATE127 1.0000
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
PDTA123YM,315 Nexperia USA Inc. PDTA123YM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 6029 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA123 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
BC856AW-QX Nexperia USA Inc. BC856AW-QX 0.0322
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC856AW-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PBSS4140U,135 Nexperia USA Inc. PBSS4140U, 135 0.4400
RFQ
 ECAD 6276 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PBSS4140 350 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
PBLS4004D,115 Nexperia USA Inc. PBLS4004D, 115 0.1012
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS4004 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V, 40V 100ma, 700ma 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 310mv @ 100ma, 1a 60 @ 5ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V 150MHz 22kohms 22kohms
BSS138BKW/DG/B2X Nexperia USA Inc. BSS138BKW/DG/B2X 0.0400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 - 2156-BSS138BKW/DG/B2X 7,212 n 채널 60 v 320MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 320ma, 10V 1.6V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 56 pf @ 10 v - 260MW (TA), 830MW (TC)
BC817-40W-QX Nexperia USA Inc. BC817-40W-QX 0.0381
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
NMB2227AF Nexperia USA Inc. NMB2227AF 0.3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 NMB2227 300MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40V 600ma 10NA (ICBO) NPN, PNP 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
NHDTC144ETR Nexperia USA Inc. NHDTC144ET 0.2200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTC144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BUK9Y12-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y12-80E, 115 -
RFQ
 ECAD 6558 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y12 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067028115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v - - - - -
PMPB40SNA,115 Nexperia USA Inc. PMPB40SNA, 115 -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 12.9A (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 612 pf @ 30 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BC857CMB,315 Nexperia USA Inc. BC857CMB, 315 0.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC857 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 300MV @ 500µA, 10MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PZTA14,135 Nexperia USA Inc. PZTA14,135 0.1288
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1.25 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
BCM856BSHF Nexperia USA Inc. BCM856BSHF -
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-BCM856BSHF 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BCM857QASZ Nexperia USA Inc. BCM857QASZ 0.4300
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 BCM857 350MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BUK9880-55A/CU,115 Nexperia USA Inc. BUK9880-55A/CU, 115 -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
PDTA114YMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA114YMB, 315 0.2800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTA114 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
PDTC114YM,315 Nexperia USA Inc. PDTC114YM, 315 0.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC114 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
PMST4401,135 Nexperia USA Inc. PMST4401,135 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST4401 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
PBSS4120T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4120T, 215 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4120 480 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 50ma, 1a 300 @ 500ma, 2V 100MHz
PDTC123JMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC123JMB, 315 0.2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC123 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BC846A/SNVL Nexperia USA Inc. BC846A/SNVL -
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660337235 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BCW89-QR Nexperia USA Inc. BCW89-QR 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW89 250 MW TO-236AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 2MA, 5V 150MHz
PSMN9R0-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN9R0-25MLC, 115 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn9r0 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 55A (TC) 4.5V, 10V 8.65mohm @ 15a, 10V 1.95v @ 1ma 11.7 NC @ 10 v ± 20V 705 pf @ 12.5 v - 45W (TC)
PSMN2R1-40PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R1-40PLQ 1.6229
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn2r1 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 150A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 87.8 NC @ 5 v ± 20V 9584 pf @ 25 v - 293W (TC)
PBSS5160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5160QAZ 0.4600
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBSS5160 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 460mv @ 50ma, 1a 85 @ 1a, 2v 150MHz
BC807K-25,215 Nexperia USA Inc. BC807K-25,215 1.0000
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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