SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NHDTA124EUX Nexperia USA Inc. NHDTA124EUX 0.0310
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA124 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 150MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BC807-40HZ Nexperia USA Inc. BC807-40Hz 0.2800
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PMPB20ENA115 Nexperia USA Inc. PMPB20ANE115 -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
BCP55-10TF Nexperia USA Inc. BCP55-10TF 0.0920
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PBSS4630PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS4630PA, 115 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS4630 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30 v 6 a 100NA NPN 275mv @ 300ma, 6a 260 @ 2A, 2V 115MHz
PMPB19XP,115 Nexperia USA Inc. PMPB19XP, 115 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB19 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A (TA) 1.8V, 4.5V 22.5mohm @ 7.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 43.2 NC @ 4.5 v ± 12V 2890 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
PDTD113ZT-QVL Nexperia USA Inc. PDTD113ZT-QVL 0.0467
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTD113ZT-QVLTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc. PXN012-60QLJ 0.5700
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 42A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 18.77 NC @ 10 v ± 20V 957 pf @ 30 v - 34.7W (TC)
BST52,115 Nexperia USA Inc. BST52,115 0.6900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BST52 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 50NA npn-달링턴 1.3V @ 500µa, 500ma 2000 @ 500ma, 10V 200MHz
BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M4R3-40HX 1.5600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m4 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 95a, 10V - 24 nc @ 10 v +20V, -10V - 90W
PMPB95ENEA/FX Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA/FX 0.1709
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB95 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 4.1A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 2.8a, 10v 2.7V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 504 pf @ 40 v - 1.6W (TA)
PDTD123TT,215 Nexperia USA Inc. PDTD123TT, 215 0.3300
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 100 @ 50MA, 5V 2.2 Kohms
PDTC123EU,115 Nexperia USA Inc. PDTC123EU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PBSS4120T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4120T, 215 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4120 480 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 50ma, 1a 300 @ 500ma, 2V 100MHz
BUK752R3-40E,127 Nexperia USA Inc. BUK752R3-40E, 127 -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
PMV65XPVL Nexperia USA Inc. PMV65XPVL 0.4400
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv65 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 2.8A (TA) 1.8V, 4.5V 74mohm @ 2.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 7.7 NC @ 4 v ± 12V 744 pf @ 20 v - 480MW (TA)
BC807-25QBH-QZ Nexperia USA Inc. BC807-25QBH-QZ 0.3200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC807QBH-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 420 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
PMPB29XNE,115 Nexperia USA Inc. PMPB29XNE, 115 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB29 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.6 NC @ 4.5 v ± 12V 1150 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BC846B/DG/B4VL Nexperia USA Inc. BC846B/DG/B4VL -
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068354235 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC816-16HVL Nexperia USA Inc. BC816-16HVL 0.2800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC816H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC816 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BC868-QX Nexperia USA Inc. BC868-QX 0.1710
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC868-QXTR 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 170MHz
NHDTA114YUX Nexperia USA Inc. NHDTA114YUX 0.2500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA114 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BUK7607-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK7607-30B, 118 -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 20V 2427 pf @ 25 v - 157W (TC)
PSMN013-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100PS, 127 2.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN013 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 68A (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 3195 pf @ 50 v - 170W (TC)
PSMN016-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN016-100BS, 118 1.6800
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN016 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 57A (TJ) 10V 16mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 49 NC @ 10 v ± 20V 2404 pf @ 50 v - 148W (TC)
BCV49-QX Nexperia USA Inc. BCV49-QX 0.1581
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCV49 1.3 w SOT-89 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCV49-QXTR 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 220MHz
PBSS5540Z-QX Nexperia USA Inc. PBSS5540Z-QX 0.1467
RFQ
 ECAD 7259 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5540Z-QXTR 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 375mv @ 500ma, 5a 250 @ 500ma, 2V 120MHz
PUMD10/ZLF Nexperia USA Inc. PUMD10/ZLF -
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD10 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 2.2kohms 47kohms
2PD601ASW-QX Nexperia USA Inc. 2PD601ASW-QX 0.0412
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-2pd601asw-qxtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 290 @ 2MA, 10V 100MHz
BCW61C,215 Nexperia USA Inc. BCW61C, 215 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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