SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PUMB17/ZLX Nexperia USA Inc. pumb17/zlx -
RFQ
 ECAD 5277 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb17 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 47kohms 22kohms
PSMNR90-40SSHJ Nexperia USA Inc. psmnr90-40sshj 4.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 psmnr90 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 375A (TA) 10V 0.9mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 166 NC @ 10 v ± 20V 12888 pf @ 25 v Schottky Diode (Body) 375W (TA)
BCX53-10115 Nexperia USA Inc. BCX53-10115 0.0700
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1
BC817DPNF Nexperia USA Inc. BC817DPNF 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC817 370MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz, 80MHz
PBSS4160PANPSX Nexperia USA Inc. PBSS4160PANPSX 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PBSS4160 370MW DFN2020D-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 100NA (ICBO) NPN, PNP 120mv @ 50ma, 500ma / 340mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 2v / 120 @ 500ma, 2v 175MHz, 125MHz
PBSS4350X,147 Nexperia USA Inc. PBSS4350X, 147 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4350 1.6 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 370mv @ 300ma, 3a 300 @ 1a, 2v 100MHz
PSMN8R5-100ESFQ Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESFQ -
RFQ
 ECAD 3646 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PSMN8R5-100ESFQ-1727 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 97A (TA) 7V, 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 3181 pf @ 50 v - 183W (TA)
BUK7513-75B,127 Nexperia USA Inc. BUK7513-75B, 127 -
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 2644 pf @ 25 v - 157W (TC)
PDTA143EQAZ Nexperia USA Inc. PDTA143EQAZ 0.0501
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTA143 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BC807-16LWX Nexperia USA Inc. BC807-16LWX 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 80MHz
PMSTA92,115 Nexperia USA Inc. PMSTA92,115 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMSTA92 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 2MA, 20MA 250MV 30 @ 30MA, 10V 50MHz
PUMB11-QF Nexperia USA Inc. pumb11-qf 0.0402
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb11 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumb11-qftr 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10kohms 10kohms
BUK9K6R8-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K6R8-40EX 1.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 40a 6.1MOHM @ 10A, 10V 2.1v @ 1ma 22.2NC @ 5V 3000pf @ 25V 논리 논리 게이트
PSMN2R0-60PSR,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PSR, 127 1.0000
RFQ
 ECAD 5159 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN2R0 다운로드 0000.00.0000 1
BC817-40W,135 Nexperia USA Inc. BC817-40W, 135 0.2000
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
NHUMH10F Nexperia USA Inc. nhumh10f 0.0503
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh10 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 2.2kohms 47kohms
BUK7M3R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M3R3-40HX 1.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m3 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 80A (TA) 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 45 NC @ 10 v +20V, -10V 3037 pf @ 25 v - 101W (TA)
PMH400UNEH Nexperia USA Inc. pmh400onh 0.3600
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH400 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 900MA (TA) 1.5V, 4.5V 460mohm @ 700ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.93 nc @ 4.5 v ± 8V 4540 pf @ 15 v - 360MW (TA), 2.23W (TC)
PH7730DL,115 Nexperia USA Inc. ph7730dl, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
PSMN3R9-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R9-25MLC, 115 0.7400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn3r9 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 4.15mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 21.5 nc @ 10 v ± 20V 1524 pf @ 12.5 v - 69W (TC)
PSMN2R0-25MLD,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-25MLD, 115 -
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN2R0 - 0000.00.0000 1
PDTB143XTVL Nexperia USA Inc. PDTB143XTVL 0.0424
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB143 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068348235 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BC847BPN-QZ Nexperia USA Inc. BC847BPN-QZ 0.0386
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 220MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC847BPN-QZTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PEMB3,115 Nexperia USA Inc. PEMB3,115 0.1074
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB3 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 200 @ 1ma, 5V - 4.7kohms -
BCV62B,215 Nexperia USA Inc. BCV62B, 215 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV62 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 pnp (() 현재 미러 미러
BCV27-QR Nexperia USA Inc. BCV27-QR 0.0692
RFQ
 ECAD 1795 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCV27-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V -
PBSS4160QA-QZ Nexperia USA Inc. PBSS4160QA-QZ 0.1019
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 325 MW DFN1010D-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4160QA-QZTR 귀 99 8541.21.0075 5,000 60 v 1 a 100NA NPN 235mv @ 100ma, 1a 230 @ 100MA, 2V 180MHz
BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30EX 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M10 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 54A (TC) 5V 7.8mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 12.2 NC @ 5 v ± 10V 1249 pf @ 25 v - 55W (TC)
PBSS4140DPN-QF Nexperia USA Inc. PBSS4140DPN-QF 0.1062
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4140 370MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4140DPN-QFTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 40V 1A 100NA NPN, PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V 150MHz
PXN010-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN010-30QLJ 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.3A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 10.2mohm @ 10.3a, 10v 2.2V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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