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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BCP51-10TF Nexperia USA Inc. BCP51-10TF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP51 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 140MHz
PMCM4401UPE084 Nexperia USA Inc. PMCM4401UPE084 1.0000
RFQ
 ECAD 9198 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 9,000
PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn0r9-25yldx 2.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn0r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 89.8 nc @ 10 v ± 20V 6721 pf @ 12 v - 238W (TC)
PSMN2R1-40PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R1-40PLQ 1.6229
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn2r1 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 150A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 87.8 NC @ 5 v ± 20V 9584 pf @ 25 v - 293W (TC)
PSMN1R5-25YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R5-25YL, 115 -
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 76 NC @ 10 v ± 20V 4830 pf @ 12 v - 109W (TC)
BCX55-QF Nexperia USA Inc. BCX55-QF 0.1118
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCX55-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BUK763R4-30,118 Nexperia USA Inc. BUK763R4-30,118 -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) MOSFET (금속 (() - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BUK763R4-30,118-1727 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TA) 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 75 NC @ 10 v ± 20V 4951 pf @ 25 v - 255W (TC)
BC817,215 Nexperia USA Inc. BC817,215 0.1800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BUK9MFF-65PSS,518 Nexperia USA Inc. BUK9MFF-65PSS, 518 -
RFQ
 ECAD 1928 0.00000000 Nexperia USA Inc. 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) buk9m MOSFET (금속 (() 4.75W (TC) 20- 의자 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063228518 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 65V 13.6A (TC) 12.3mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 40.2NC @ 5V 3052pf @ 25v 논리 논리 게이트
PDTA143EQBZ Nexperia USA Inc. PDTA143EQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA143 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc. PMZ290UNE2YL 0.3900
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ290 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.5V, 4.5V 320mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 10 v - 350MW (TA), 5.43W (TC)
BC847CW/SNX Nexperia USA Inc. BC847CW/SNX -
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BCW68H215 Nexperia USA Inc. BCW68H215 1.0000
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PDTA114EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA114EQB-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA114 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PMST5550-QX Nexperia USA Inc. PMST5550-QX 0.0604
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMST5550-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 140 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BUK7109-75AIE,118 Nexperia USA Inc. BUK7109-75AIE, 118 -
RFQ
 ECAD 6861 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
PHB66NQ03LT,118 Nexperia USA Inc. PHB66NQ03LT, 118 -
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB66NQ03 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 25 v 66A (TC) 10V 10.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 12 nc @ 5 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 93W (TC)
PMN230ENEX Nexperia USA Inc. PMN230ENEX -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN230 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660261115 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 222mohm @ 1.6a, 10V 2.7V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 177 pf @ 30 v - 475MW (TA), 3.9W (TC)
BUK4D122-20PX Nexperia USA Inc. BUK4D122-20PX -
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 buk4d - 1727-buk4d122-20px 1
PHPT610035NK,115 Nexperia USA Inc. PHPT610035NK, 115 -
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
PDTC115EU,115 Nexperia USA Inc. PDTC115EU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC115 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 20 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5V 100 KOHMS 100 KOHMS
PSMN2R2-40BS Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40BS -
RFQ
 ECAD 1718 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK6D43-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK6D43-60E, 115 -
RFQ
 ECAD 5310 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BSS138BKVL Nexperia USA Inc. BSS138BKVL 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 360MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 350ma, 10V 1.6V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 56 pf @ 10 v - 350MW (TA)
PMN80XP,115 Nexperia USA Inc. PMN80XP, 115 -
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 102mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 12V 550 pf @ 10 v - 385MW (TA)
PMV20XNEAR Nexperia USA Inc. PMV20XNEAR 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV20 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.3A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 6.3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 930 pf @ 10 v - 460MW (TA), 6.94W (TC)
PDTC144TU,115 Nexperia USA Inc. PDTC144TU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
PDTC114ET-QR Nexperia USA Inc. PDTC114ET-QR 0.1800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PHPT61010NY,115 Nexperia USA Inc. PHPT61010NY, 115 -
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
PHB110NQ08T,118 Nexperia USA Inc. PHB110NQ08T, 118 1.4760
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 113.1 NC @ 10 v ± 20V 4860 pf @ 25 v - 230W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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