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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc. PSMNR55-40SSHJ 7.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 500A (TA) 10V 0.55mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 267 NC @ 10 v ± 20V 21162 pf @ 25 v - 375W (TA)
PXN4R7-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN4R7-30QLJ 0.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 15.2a, 10V 2.5V @ 250µA 46.2 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 15 v - 1.8W (TA), 42W (TC)
PDTC144ET/DG/B4215 Nexperia USA Inc. PDTC144ET/DG/B4215 0.0200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PDTC144ET/DG/B4215-1727 1
BUK7226-75A/C1,118 Nexperia USA Inc. BUK7226-75A/C1,118 1.0000
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK7226-75A/C1,118-1727 1 n 채널 75 v 45A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 48 NC @ 10 v ± 20V 2385 pf @ 25 v - 158W (TC)
PMV15ENER Nexperia USA Inc. PMV15ENER 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 5.8a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 15 v - 700MW (TA), 8.3W (TC)
PMV88ENER Nexperia USA Inc. pmv88ener 0.3700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 2.2A (TA) 4.5V, 10V 117mohm @ 2.2a, 10V 2.7V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 196 pf @ 30 v - 615MW (TA), 7.5W (TC)
BUK9Y12-55B/C3X Nexperia USA Inc. BUK9Y12-55B/C3X -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,500 n 채널 55 v 61.8A (TA) 5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 32 NC @ 5 v ± 15V 2880 pf @ 25 v - 106W (TA)
PH3830DLX Nexperia USA Inc. ph3830dlx -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
PDTC143EQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTC143EQC-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc. psmnr90-50slhax 6.4400
RFQ
 ECAD 2278 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 50 v 410A (TA) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 383 NC @ 10 v ± 20V 25001 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 375W (TA)
PMDXB550UNE,147 Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE, 147 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB550 MOSFET (금속 (() 285MW (TA), 4.03W (TC) DFN1010B-6 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-PMDXB550UNUE, 147 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 590MA (TA) 670mohm @ 590ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.05NC @ 4.5V 30.3pf @ 15V -
PMP3906AYS-QZ Nexperia USA Inc. PMP3906AYS-QZ 0.5200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP3906 230MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PMP3906AYSH Nexperia USA Inc. pmp3906aysh 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP3906 230MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PMN30XPEAX Nexperia USA Inc. pmn30xpeax 0.1421
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.4A (TA) 2.5V, 8V 33mohm @ 5.4a, 8v 1.3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 12V 1025 pf @ 10 v - 660MW (TA), 7.5W (TC)
PMX800ENEZ Nexperia USA Inc. pmx800enez 0.1000
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) MOSFET (금속 (() DFN0603-3 (SOT8013) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-PMX800ENEZ 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 4.5V, 10V 1.1ohm @ 400ma, 10V 2.5V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 32 pf @ 30 v - 300MW (TA), 4.7W (TC)
BC856SH-QX Nexperia USA Inc. BC856SH-QX 0.0305
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC856SH-QX 귀 99 8541.21.0095 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BSH-QX Nexperia USA Inc. BC847BSH-QX 0.0305
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC846SH-QF Nexperia USA Inc. BC846SH-QF 0.0305
RFQ
 ECAD 4286 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BSH-QF Nexperia USA Inc. BC847BSH-QF 0.0305
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMX2000ENZ Nexperia USA Inc. PMX2000ENZ -
RFQ
 ECAD 6956 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 PMX2000 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-PMX2000ENZ 쓸모없는 1
PMX3000ENEZ Nexperia USA Inc. PMX3000ENEZ -
RFQ
 ECAD 6468 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 PMX3000 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-PMX3000ENEZ 쓸모없는 1
BCM847BSHX Nexperia USA Inc. BCM847BSHX -
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM847 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-BCM847BSHX 쓸모없는 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BCM846BSHX Nexperia USA Inc. BCM846BSHX -
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-BCM846BSHX 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BC856BSHX Nexperia USA Inc. BC856BSHX -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC856 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC856BSHX 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC817-16QB-QZ Nexperia USA Inc. BC817-16QB-QZ 0.0424
RFQ
 ECAD 3380 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 350 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BC847CQB-QZ Nexperia USA Inc. BC847CQB-QZ 0.0381
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMNR89-25YLEX Nexperia USA Inc. psmnr89-25ylex 2.7700
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmnr89 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 270A (TA) 7V, 10V 0.98mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 120 nc @ 10 v ± 20V 7452 pf @ 12 v - 224W (TA)
PSMN012-60HLX Nexperia USA Inc. PSMN012-60HLX 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PSMN012 MOSFET (금속 (() 64W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40A (TA) 12.5mohm @ 10a, 5V 2.1v @ 1ma 22.4NC @ 5V 2953pf @ 25v 논리 논리 게이트
PSMN9R3-60HSX Nexperia USA Inc. PSMN9R3-60HSX 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 psmn9r3 MOSFET (금속 (() 68W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40A (TA) 9.3mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 34.2NC @ 10V 2348pf @ 25v -
BUK7M4R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M4R3-40HX 1.5600
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m4 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 95A (TA) 10V 4.3mohm @ 95a, 10V - 24 nc @ 10 v +20V, -10V - 90W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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