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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTA144ET Nexperia USA Inc. PDTA144ET -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PUMB13,115 Nexperia USA Inc. pumb13,115 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb13 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 47kohms
PBSS4032SN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4032SN, 115 -
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PBSS4032SN 2.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30V 5.7a 100NA 2 NPN (() 450MV @ 300MA, 6A 250 @ 2A, 2V 140MHz
PSMN6R0-25YLB,115 Nexperia USA Inc. PSMN6R0-25YLB, 115 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn6r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 73A (TC) 4.5V, 10V 6.1MOHM @ 20A, 10V 1.95v @ 1ma 19.3 NC @ 10 v ± 20V 1099 pf @ 12 v - 58W (TC)
PDTC123YM,315 Nexperia USA Inc. PDTC123YM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC123 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
PMPB25ENEX Nexperia USA Inc. PMPB25ENEX 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB25 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.2a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 607 pf @ 15 v - 2.1W (TA)
BF723/ZLX Nexperia USA Inc. BF723/ZLX -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070728115 귀 99 8541.29.0075 1 250 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BC817-16QBZ Nexperia USA Inc. BC817-16QBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC817QB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC817 350 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PSMN3R3-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN3R3-60PLQ 3.3600
RFQ
 ECAD 6726 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn3r3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 95 NC @ 5 v ± 20V 10115 pf @ 25 v - 293W (TC)
PSMN6R1-40HLX Nexperia USA Inc. psmn6r1-40hlx 1.8800
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 psmn6r1 MOSFET (금속 (() 64W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 40A (TA) 6.1MOHM @ 10A, 10V 2.1v @ 1ma 22.2NC @ 5V 3000pf @ 25V 논리 논리 게이트
PDTA114EQAZ Nexperia USA Inc. PDTA114EQAZ 0.0501
RFQ
 ECAD 7956 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTA114 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069146147 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PMBT4401/S911,215 Nexperia USA Inc. PMBT4401/S911,215 0.0200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 2156-PMBT4401/S911,215-1727 귀 99 8541.21.0075 1
BC858B,215 Nexperia USA Inc. BC858B, 215 0.1400
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC817-16,215 Nexperia USA Inc. BC817-16,215 0.1800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BC847W,115 Nexperia USA Inc. BC847W, 115 0.1700
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XW 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PBLS6003D-QX Nexperia USA Inc. PBLS6003D-QX 0.1062
RFQ
 ECAD 3942 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS6003 200MW, 250MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBLS6003D-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 60V 100ma, 700ma 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 340mv @ 100ma, 1a 30 @ 5ma, 5v / 200 @ 1ma, 5v 185MHz 10kohms 10kohms
PH4030DLVX Nexperia USA Inc. ph4030dlvx -
RFQ
 ECAD 4424 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
PBSS4032PT,215 Nexperia USA Inc. PBSS4032PT, 215 0.5000
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4032 1.1 w TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 30 v 2.4 a 100NA PNP 330mv @ 200ma, 2a 150 @ 1a, 2v 160MHz
BC857AW,115 Nexperia USA Inc. BC857AW, 115 0.1700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BCM847DS,115 Nexperia USA Inc. BCM847DS, 115 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BCM847 380MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 npn (() 일치 한 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
PSMN6R1-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn6r1-30yldx 0.8600
RFQ
 ECAD 5441 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn6r1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 66A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.2v @ 1ma 13.6 NC @ 10 v ± 20V 817 pf @ 15 v - 47W (TC)
PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEZ 0.4000
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMCXB900 MOSFET (금속 (() 265MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 보완 p 채널 및 20V 600ma, 500ma 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 논리 논리 게이트
PUMZ2,125 Nexperia USA Inc. pumz2,125 0.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumz2 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz, 190MHz
BC816-25VL Nexperia USA Inc. BC816-25VL 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC816 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC816 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
NHUMD10F Nexperia USA Inc. nhumd10f 0.0503
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd10 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 2.2kohms 47kohms
BCX51-10F Nexperia USA Inc. BCX51-10F 0.1065
RFQ
 ECAD 3109 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX51 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933663040135 귀 99 8541.21.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PMBT3904YS-QX Nexperia USA Inc. PMBT3904YS-QX 0.0605
RFQ
 ECAD 3137 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMBT3904 230MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMBT3904YS-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PMP5501Y,115 Nexperia USA Inc. PMP5501Y, 115 0.4500
RFQ
 ECAD 767 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP5501 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
PMH950UPEH Nexperia USA Inc. pmh950upeh 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH950 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 530MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.5 nc @ 4 v ± 8V 36 pf @ 10 v - 370MW (TA), 2.2W (TC)
PBSS303PD-QX Nexperia USA Inc. PBSS303PD-QX 0.1478
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS303 360 MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS303PD-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA PNP 675MV @ 600MA, 6A 180 @ 500ma, 2V 110MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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