SIC
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트랜지스터 (4628)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZTA14,135 Nexperia USA Inc. PZTA14,135 0.1288
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1.25 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
BCM856BSHF Nexperia USA Inc. BCM856BSHF -
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1727-BCM856BSHF 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BC858B,235 Nexperia USA Inc. BC858B, 235 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK9C10-65BIT,118 Nexperia USA Inc. BUK9C10-65 비트, 118 -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063235118 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 65 v 75A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 59.6 NC @ 5 v ± 15V 4170 pf @ 25 v - 171W (TA)
BF823,215 Nexperia USA Inc. BF823,215 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF823 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 250 v 50 MA 10NA (ICBO) PNP 800mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BUK7Y28-75B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y28-75B, 115 1.2100
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y28 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 75 v 35.5A (TC) 10V 28mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 21.2 NC @ 10 v ± 20V 1417 pf @ 25 v - 85W (TC)
BUK7909-75ATE127 Nexperia USA Inc. BUK7909-75ATE127 -
RFQ
 ECAD 4865 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
PBSS5360ZX Nexperia USA Inc. PBSS5360ZX 0.4100
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS5360 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 60 v 3 a 100NA PNP 550MV @ 300MA, 3A 120 @ 1a, 5V 130MHz
NHUMB1X Nexperia USA Inc. nhumb1x 0.3900
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumb1 235MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 150MHz 22kohms 22kohms
2PC4617RM,315 Nexperia USA Inc. 2PC4617RM, 315 0.0308
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 2PC4617 430 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 100MHz
BSS84AKW Nexperia USA Inc. BSS84AKW 1.0000
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
PDTC114ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC114ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PMCM440VNEZ Nexperia USA Inc. PMCM440VNEZ -
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.78x0.78) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 9,000 n 채널 12 v 3.9A (TA) 4.5V 67mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.2 NC @ 4.5 v ± 8V 360 pf @ 6 v - 400MW (TA), 12.5W (TC)
PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB1200UPEZ 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB1200 MOSFET (금속 (() 285MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 p 채널 (채널) 30V 410ma 1.4ohm @ 410ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 43.2pf @ 15V -
PDTA114TM,315 Nexperia USA Inc. PDTA114TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 9244 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA114 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
PSMNR90-40SSHJ Nexperia USA Inc. psmnr90-40sshj 4.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 psmnr90 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 375A (TA) 10V 0.9mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 166 NC @ 10 v ± 20V 12888 pf @ 25 v Schottky Diode (Body) 375W (TA)
PMBT2907A/DLT215 Nexperia USA Inc. PMBT2907A/DLT215 0.0200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMBT2907 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PEMD3,115 Nexperia USA Inc. PEMD3,115 0.4700
RFQ
 ECAD 9464 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD3 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V - 10kohms 10kohms
BC848W,135 Nexperia USA Inc. BC848W, 135 0.0240
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BCP53-16HX Nexperia USA Inc. BCP53-16HX 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP53 2.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BKR 0.3900
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSN20 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 265MA (TA) 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 1.4V @ 250µA 0.49 nc @ 4.5 v ± 20V 20.2 pf @ 30 v - 310MW (TA)
BCV47-QVL Nexperia USA Inc. BCV47-QVL 0.0780
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCV47-QVLTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 60 v 500 MA 100NA npn-달링턴 1v @ 1ma, 100ma 10000 @ 100MA, 5V -
PH4030DLAX Nexperia USA Inc. ph4030dlax -
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
NX6020NBKS,115 Nexperia USA Inc. NX6020NBKS, 115 -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 NX6020N - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
PBSS5130PAP-QX Nexperia USA Inc. PBSS5130PAP-QX 0.2048
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS5130 370MW 6- 휴슨 (2x2) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5130PAP-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 280mv @ 50ma, 1a 250 @ 100MA, 2V 125MHz
PBSS4350T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4350T, 215 0.5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4350 540 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 370mv @ 300ma, 3a 300 @ 1a, 2v 100MHz
BCP56T,115 Nexperia USA Inc. BCP56T, 115 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 6,000
BCX54TF Nexperia USA Inc. BCX54TF 0.4000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX54 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
NX3008NBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008NBKV, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NX3008 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 400ma 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 논리 논리 게이트
BSP33,115 Nexperia USA Inc. BSP33,115 0.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP33 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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