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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PHP45NQ10T,127 Nexperia USA Inc. php45nq10t, 127 2.4100
RFQ
ECAD 6649 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 php45nq10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 61 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 150W (TC)
PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn0r9-25yldx 2.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn0r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 89.8 nc @ 10 v ± 20V 6721 pf @ 12 v - 238W (TC)
BCP51-10,135 Nexperia USA Inc. BCP51-10,135 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP51 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
NHDTC114EUF Nexperia USA Inc. NHDTC114EUF 0.2500
RFQ
ECAD 598 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTC114 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 170 MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PBSS5160DS-QX Nexperia USA Inc. PBSS5160DS-QX 0.1208
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS5160 290MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS5160DS-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 770ma 100NA 2 PNP (() 330mv @ 100ma, 1a 200 @ 1ma, 5V 185MHz
NXV40UNR Nexperia USA Inc. NXV40UNR 0.4400
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 347 pf @ 10 v - 340MW (TA), 2.1W (TC)
BC847BPN/ZLX Nexperia USA Inc. BC847BPN/ZLX -
RFQ
ECAD 5755 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069866115 귀 99 8541.21.0075 1 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK9Y15-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y15-60E, 115 1.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y15 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 53A (TC) 5V 13mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 17.2 NC @ 5 v ± 10V 2603 pf @ 25 v - 95W (TC)
PDTC144EU-QX Nexperia USA Inc. PDTC144EU-QX 0.0286
RFQ
ECAD 1227 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC144EU-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz 47 Kohms 47 Kohms
PMV27UPEAR Nexperia USA Inc. pmv27upear 0.4300
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV27 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 22.1 NC @ 4.5 v ± 8V 1820 pf @ 10 v - 490MW (TA), 4.15W (TC)
BCX55TF Nexperia USA Inc. BCX55TF 0.4000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX55 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
PMV48XP/MIR Nexperia USA Inc. pmv48xp/mir -
RFQ
ECAD 8109 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068503215 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 510MW (TA), 4.15W (TC)
PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R4-30BLE, 118 2.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn3r4 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 81 NC @ 10 v ± 20V 4682 pf @ 15 v - 178W (TC)
PDTD113EU115 Nexperia USA Inc. PDTD113EU115 -
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PDTD113EU115-1727 1
BUK7K6R2-40E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K6R2-40E/1X -
RFQ
ECAD 6700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk7k6 68W (TA) LFPAK56D - 1727-BUK7K6R2-40E/1X 귀 99 8541.29.0095 1 40V 40A (TA) 5.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 32.3nc @ 10V 2210pf @ 25v 기준
PDTC123JT,215 Nexperia USA Inc. PDTC123JT, 215 0.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
BF550,235 Nexperia USA Inc. BF550,235 0.4300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF550 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 25 MA 50NA (ICBO) PNP - 50 @ 1ma, 10V 325MHz
BUK6Y14-40PX Nexperia USA Inc. buk6y14-40px 1.2400
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk6y14 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 64A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.8a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 110W (TA)
BC857BW-QF Nexperia USA Inc. BC857BW-QF 0.0196
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847XW-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC817-40W-QX Nexperia USA Inc. BC817-40W-QX 0.0381
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC856AQCZ Nexperia USA Inc. BC856AQCZ 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC856XQC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC856 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
NHUMB13F Nexperia USA Inc. NHUMB13F 0.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NHUMB13 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 4.7kohms 47kohms
PEMH10,115 Nexperia USA Inc. PEMH10,115 0.4700
RFQ
ECAD 7591 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH10 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 100ma, 5V - 2.2kohms 47kohms
PDTA143XQCZ Nexperia USA Inc. PDTA143XQCZ 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA143 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
PDTC124EU/ZLF Nexperia USA Inc. PDTC124EU/ZLF -
RFQ
ECAD 8928 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모없는 PDTC124 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
BUK6Y57-60PX Nexperia USA Inc. buk6y57-60px -
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 23A (TA) 4.5V, 10V 57mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 66W (TA)
BUK9M85-60E Nexperia USA Inc. BUK9M85-60E -
RFQ
ECAD 1474 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
NX138AKHH Nexperia USA Inc. NX138AKHH 0.2800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 260MA (TA) 2.5V, 10V 4.2ohm @ 190ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.6 nc @ 10 v ± 20V 15 pf @ 30 v - 360MW (TA), 2.3W (TC)
PMBS3904-QR Nexperia USA Inc. PMBS3904-QR 0.0196
RFQ
ECAD 9200 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBS3904 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 180MHz
BCP68-25/ZLF Nexperia USA Inc. BCP68-25/ZLF -
RFQ
ECAD 3020 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070726135 귀 99 8541.29.0075 1 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 160 @ 500ma, 1V 170MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고